I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />
Arabidopsis Thaliana. Environmental Toxicology and Chemistry, Vol. 29, No. 3, pp. 669–<br />
675, 2010<br />
НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ СОЗДАНИЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ<br />
СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ<br />
М.А. Джафаров, Э.Ф.Насиров<br />
Азербайджан, г. Баку, ул. З.Халилова 23, Бакинский Государственный<br />
Университет,<br />
maarif.jafarov@mail.ru<br />
Данное сообщение посвящено разработке новой технологии осаждения и<br />
иcследованиям фотоэлектрических свойств гетероструктур p-CdS/CdTe/CdZnS на<br />
алюминиевой подложке, играющей одновременно роль нижнего контакта. Проведен<br />
сравнительный анализ ВАХ и спектр фототока. Установлено, что с увеличением<br />
содержания Zn в базовом материале напряжение холостого хода фотоэлемента<br />
увеличивается, а ток короткого замыкания уменьшается.<br />
В последнее время во всем мире наблюдается растущий интерес к<br />
нетрадиционным возобновляемым источникам энергии, обусловленный двумя<br />
негативными тенденциями развития традиционной энергетики. Для того чтобы<br />
фотоэлектрические преобразователи (ФЭП) стали более доступными, а электрическая<br />
энергия, полученная с их помощью, могла конкурировать с электроэнергией<br />
традиционных источников, необходима простая и доступная технология их<br />
изготовления, не требующая высоких температур, давлений и дефицитных<br />
дорогостоящих материалов и реагентов. В литературе последнее время появляется все<br />
больше сведений о том, что широкозонный проводник CdZnS является альтернативой<br />
применяемым на сегодняшний день материалам, который по своим физикохимическим<br />
характеристикам имеет ряд преимуществ. CdZnS обладает хорошей<br />
фоточувствительностью и высокой адсорбционной способностью, приемлемой<br />
шириной запрещенной зоны (2,4-3,6 эВ) [1]. Еще одним из преимуществ использования<br />
CdZnS является многообразие способов его нанесения. При этом метод химического<br />
осаждения пленок из раствора имеет преимущества перед другими известными<br />
методами синтеза – позволяет получить полупроводниковые нанокристаллы намного<br />
меньшего размера. [2]<br />
Традиционные конструкции ФЭП представляют собой многослойный элемент,<br />
состоящий из нескольких слоев разного состава, что в свою очередь усложняет<br />
технологию нанесения и последующую технологию его утилизации. Рекомендованная<br />
методика образования пленки сульфида кадмия и цинка с получением заданных<br />
свойств покрытия заключается в осаждении из водного раствора, содержащего хлорида<br />
кадмия, тиомочевины, гидроксида натрия и аммиака на стеклянную и алюминиевую<br />
подложку, при температурах 23 – 80 о С в течении времени 20 30 минут [3].<br />
Разработана методика электрохимического осаждения Zn 1-x Cd x S из раствора<br />
ZnSO 4 + Na 2 S 2 O 3 + CdCl 2 при V = -0.3B. При этом подложками служили алюминиевые<br />
подложки. Все полученные пленки Zn 1-x Cd x S имели n- типа проводимости.<br />
Представляет интерес исследование физико-химических особенностей получения их<br />
пленок методом химического осаждения. Метод получения халькогенидов металлов из
Change language