I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />
и красной (длинноволновой) границы (λ пг ) спектрального распределения ИПФ<br />
оказываются зависимыми от ρ то и с ростом последнего, при слабых Ф с (а также при не<br />
очень больших U<br />
i<br />
), слегка смещаются в сторону более длинных волн.<br />
В высокоомных кристаллах, в отличие от низкоомных, спад ИПФ после<br />
выключения воздействии зондирующего света имеет долговременно- релаксирующий<br />
характер - наблюдается остаточная ИПФ.<br />
Проведенные нами экспериментальные измерения показывают, что в<br />
высокоомных кристаллах p-GaSe ИПФ проявляет себя рядом аномалий. В частности, в<br />
отличие от указанных в [5], с которыми хорошо коррелируются полученные нами в<br />
низкоомных кристаллах p − GaSe результаты, в высокоомных кристаллах при низких<br />
температурах и низких уровнях возбуждения положение максимума и красной границы<br />
спектра ИПФ зависят от уровня возбуждения и величины ρ ; кинетика ИПФ имеет<br />
медленнорелаксирующий характер – наблюдается остаточная ИПФ, величина (∆i оп ) и<br />
время релаксации (τ оп ) которой зависят от уровня возбуждения и ρ<br />
TO<br />
; в начальной<br />
части световой характеристики ИПФ наблюдается суперлинейный участок зависимости<br />
∆i ф (Ф п ), показатель степени которой в зависимости от уровня возбуждения и ρ<br />
меняется в пределах 2 ÷ 5 ; зависимость ∆i пф ( U<br />
i<br />
) имеет немонотонный характер (∆i пф -<br />
при малых U<br />
i<br />
увеличивается, а при более высоких U<br />
i<br />
- уменьшается с применяемым<br />
к образцу внешним напряжением).<br />
Как установлено, высокоомные монокристаллы p − GaSe могут удовлетворительно<br />
описываться на основе двухбаръерной энергетической модели частично<br />
неупорядоченного полупроводника [6], согласно которой они в целом состоят из<br />
низкоомной матрицы (НО), с хаотическими высокоомными включениями (ВО). Кроме<br />
этого, в запрещенной зоне этих кристаллов существуют мелкие (α) и глубокие (β)<br />
уровни прилипания, а также быстрые (S) и медленные (r) центры рекомбинации [1, 2, 7,<br />
8]. Причем все эти локальные уровни распределены по объему изучаемого образца<br />
неравномерно: α - уровни и S – центры преобладательно локализованы в НО, а β -<br />
уровни и r – центры обладают более высокой плотностью в ВО. На границах НО-ВО<br />
существуют рекомбинационные, а в разрешенных энергетических зонах между<br />
соседними ВО – дрейфовые баръеры. При рассмотренных нами условиях ИПФ<br />
преимущественно создается именно вследствие возбуждения квазиравновесных<br />
носителей заряда, захваченных β - уровнями. Поэтому не исключается также создания<br />
ИПФ вследствие облегченном туннелированием носителей через рекомбинационные<br />
барьеры.<br />
Влияние легирования атомами диспрозия на характеристики ИПФ в кристаллах<br />
p − GaSe , скорее всего, обусловлено соответствующей зависимостью степени<br />
неупорядоченности исследуемых образцов от уровня легирования редкоземельным<br />
элементом.<br />
Таким образом, можно заключить, что обнаруженные аномалии индуцированной<br />
примесной фотопроводимости в высокоомных кристаллах p − GaSe , прежде всего,<br />
обусловлены частичной неупорядоченностью этих кристаллов и преобладательной<br />
локализацией носящих непосредственную ответственность в создании ИПФ уровней<br />
прилипания в существующих в них хаотических высокоомных включениях.<br />
ЛИТЕРАТУРА<br />
1. А.Ш.Абдинов, А.Г.Кязым-заде. Отрицательная фотопроводимость, индуцированная<br />
TO<br />
TO