I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı
и красной (длинноволновой) границы (λ пг ) спектрального распределения ИПФ
оказываются зависимыми от ρ то и с ростом последнего, при слабых Ф с (а также при не
очень больших U
i
), слегка смещаются в сторону более длинных волн.
В высокоомных кристаллах, в отличие от низкоомных, спад ИПФ после
выключения воздействии зондирующего света имеет долговременно- релаксирующий
характер - наблюдается остаточная ИПФ.
Проведенные нами экспериментальные измерения показывают, что в
высокоомных кристаллах p-GaSe ИПФ проявляет себя рядом аномалий. В частности, в
отличие от указанных в [5], с которыми хорошо коррелируются полученные нами в
низкоомных кристаллах p − GaSe результаты, в высокоомных кристаллах при низких
температурах и низких уровнях возбуждения положение максимума и красной границы
спектра ИПФ зависят от уровня возбуждения и величины ρ ; кинетика ИПФ имеет
медленнорелаксирующий характер – наблюдается остаточная ИПФ, величина (∆i оп ) и
время релаксации (τ оп ) которой зависят от уровня возбуждения и ρ
TO
; в начальной
части световой характеристики ИПФ наблюдается суперлинейный участок зависимости
∆i ф (Ф п ), показатель степени которой в зависимости от уровня возбуждения и ρ
меняется в пределах 2 ÷ 5 ; зависимость ∆i пф ( U
i
) имеет немонотонный характер (∆i пф -
при малых U
i
увеличивается, а при более высоких U
i
- уменьшается с применяемым
к образцу внешним напряжением).
Как установлено, высокоомные монокристаллы p − GaSe могут удовлетворительно
описываться на основе двухбаръерной энергетической модели частично
неупорядоченного полупроводника [6], согласно которой они в целом состоят из
низкоомной матрицы (НО), с хаотическими высокоомными включениями (ВО). Кроме
этого, в запрещенной зоне этих кристаллов существуют мелкие (α) и глубокие (β)
уровни прилипания, а также быстрые (S) и медленные (r) центры рекомбинации [1, 2, 7,
8]. Причем все эти локальные уровни распределены по объему изучаемого образца
неравномерно: α - уровни и S – центры преобладательно локализованы в НО, а β -
уровни и r – центры обладают более высокой плотностью в ВО. На границах НО-ВО
существуют рекомбинационные, а в разрешенных энергетических зонах между
соседними ВО – дрейфовые баръеры. При рассмотренных нами условиях ИПФ
преимущественно создается именно вследствие возбуждения квазиравновесных
носителей заряда, захваченных β - уровнями. Поэтому не исключается также создания
ИПФ вследствие облегченном туннелированием носителей через рекомбинационные
барьеры.
Влияние легирования атомами диспрозия на характеристики ИПФ в кристаллах
p − GaSe , скорее всего, обусловлено соответствующей зависимостью степени
неупорядоченности исследуемых образцов от уровня легирования редкоземельным
элементом.
Таким образом, можно заключить, что обнаруженные аномалии индуцированной
примесной фотопроводимости в высокоомных кристаллах p − GaSe , прежде всего,
обусловлены частичной неупорядоченностью этих кристаллов и преобладательной
локализацией носящих непосредственную ответственность в создании ИПФ уровней
прилипания в существующих в них хаотических высокоомных включениях.
ЛИТЕРАТУРА
1. А.Ш.Абдинов, А.Г.Кязым-заде. Отрицательная фотопроводимость, индуцированная
TO
TO