I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı
несколькими p-n переходами) полупроводниковым прибором, таким как динисторы,
тиристиры, фототриггеры, источники света с «S» образной вольтамперной
характеристикой. Преимущество последних (витридов), по сравнению приборами с p-n
переходами заключаются в возможностях их работы при любой полярности
управляющего внешнего электрического напряжения и независимости величины
напряжения переключения от крутизны фронта управляющего импульса.
Интересным на наш взгляд является тот факт, что в этом материале имеет место
отрицательная фотопроводимость, ИК гашение собственной фотопроводимости,
индуцированная примесная фотопроводимость (ИПФ), индуцированная электрическим
полем отрицательная фотопроводимость [1, 2]. Указанные свойства, во-первых, значительно
расширяют спектр фоточувствительности кристаллов p-GaSe в сторону ближней
ИК-области спектра (вплоть до ∼2.60 мкм); во-вторых, позволяют целенаправленно
управлять их фотоэлектрическими свойствами; в - третьих, делают эти полупроводники
пригодным материалом и для создания различных фотоприемников и
преобразователей, представляющих большой интерес для оптоэлектроники.
В данной работе ставилась цель на основе подробного экспериментального
исследования ИПФ в монокристаллах p-GaSe выяснить причин ее аномалий в
указанном материале.
Изучаемые образцы скалывались из различных участков одного и того же
чистого (специально нелегированного) и легированных атомами диспрозия (Dy) с
различным процентным содержанием (N Dy ≈10 -5 ; 10 -4 ; 10 -3 ; 10 -2 и 10 -1 ат.%)
монокристаллического слитка (p-GaSe и p-GaSe) по плоскостям спайности. Оба
типа слитков выращивались методом медленного охлаждения при постоянном
градиенте температуры [3], а легирования Dy различного состава осуществлялось по
аналогичной технологией применяемой в [4] для получения легированных
редкоземельными элементами (РЗЭ) кристаллов n-InSe.
Измерения проводились на экспериментальной установке, собранной на базе двух
монохроматоров (типа МДР-12 и МДР-12 У) с кварцевыми линзами в интервалах
77≤T≤300 K, U≤3·10 3 B/cм, Ф≤5·10 2 Лк и 0.30≤λ≤3.00 мкм температуры (Т),
приложенного к образцу внешнего электрического напряжения (U), интенсивности (Ф)
и длины волны (λ) света, соответственно. В качестве источников освещения брались
лампы накапливания, предназначенные специально для использованных
монохроматоров.
Снимались все основные характеристики ИПФ (спектральное распределение,
световые характеристики, кинетика, температурная зависимость и зависимость от
приложенного к образцу внешнего электрического напряжения) в изучаемых образцах.
В результате проведенных измерений установлено, что монокристаллы
моноселенида галлия по своим ИПФ свойствам тоже при низких температурах
(Т