I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />
Последующим освещением полупроводника с энергией квантов hν = Е сD<br />
электроны с уровня D генерируются в зону проводимости (Е сD , Е сА - энергетическое<br />
расстояние от дна зоны проводимости глубокого уровня D и уровня акцептора A,<br />
соответственно). Вспышечный характер фототока вызван изменением соотношения<br />
между рекомбинацией и повторным захватом освобожденных носителей со временем.<br />
Таким образом, вспышечная релаксация фототока после оптической перезарядки<br />
глубоких уровней объясняется перезарядкой D - центров.<br />
Обнаруживается корреляция между медленным ростом ФП и перезарядкой D -<br />
центров. Меняя степень заселенности уровней 1.06 ÷ 2.4 эВ (D - центров) можно<br />
управлять медленным ростом ФП в CdGa 2 S 4 .<br />
ЛИТЕРАТУРА<br />
1.Горя О.С., Ковалев Л.Е., Коротков В.А. и др. Спектральная память фотопроводимости<br />
высокоомного ZnSe // ФТП, 1990, Т.24, №8, С.1496-1499.<br />
2.Кадыроглы З., Гусейнов Д.Т., Гулиев Р.А. Оптическое гашение фототока в<br />
cоединении CdGa 2 S 4 // Fizika. 2007. T. 13. № 4. C. 115 - 117.<br />
О ВЛИЯНИИ ЧАСТИЧНОЙ НЕУПОРЯДОЧЕННОСТИ НА<br />
ИНДУЦИРОВАННУЮ ПРИМЕСНУЮ ФОТОПРОВОДИМОСТЬ В<br />
КРИСТАЛЛАХ GaSe<br />
Р.М.Рзаев<br />
Бакинский Государственный Университет<br />
rovnaq.rzayev@mail.ru<br />
В работе исследовано особенность индуцированной примесной фотопроводимости в<br />
монокристаллах GaS, обнаружены некоторые аномалии и выяснены их причины указанного<br />
эффекта в изучаемом материала.<br />
Среди полупроводниковых соединений A III B VI со слоистой структурой кристаллы<br />
моноселенида галлия (GaSe) привлекают особое внимание как перспективный материал<br />
для оптоэлектроники, имеющий достаточно высокую фоточувствительность (при<br />
температурах вплоть до ∼350К) и оптическую прозрачность в областях 0.30÷0.63 мкм и<br />
0.65÷1.80 мкм, соответственно. Сильная ионно-ковалентная связь внутри слоев и<br />
значительно слабая (Ван-дер-Ваальсовская с малым ионно-ковалентным вкладом) связь<br />
между слоями (вдоль оси «С» кристалла) помимо сильной анизотропии электрических,<br />
оптических, тепловых, механических свойств этих кристаллов, обуславливает также<br />
различные аномалии неравновесных электронных явлений в них. Слоистая структура<br />
делает монокристаллы GaSe перспективными также для создания различных контактных<br />
структур, фотоприемников и источников света, а также бистабильных и<br />
пороговых переключателей. Сочетание переключающего свойства с высокой<br />
фоточувствительностью и высокоэффективной инжекционной электролюминесценцией<br />
в видимом диапазоне позволяет создать на основе этих кристаллов различные<br />
генераторы и релаксаторы для оптоэлектроники, в том числе, приборы, которые<br />
называются витридами и являются конкурентами многослойным (с одним или
Change language