I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />
предварительного оптического возбуждения (λ = 440 нм) (рис.3) и при различных<br />
длительностях темноты после предварительного возбуждения (рис.4). Обнаружено, что<br />
с увеличением длительности предварительного оптического возбуждения значение<br />
максимума вспышки растет. Это связано со степенью заполнения уровней,<br />
ответственных за вспышки фототока. Интересным моментом является то<br />
обстоятельство, что при увеличении времени предварительного возбуждения время<br />
соответствующей максимуму вспышки не изменяется. С увеличением длительности<br />
темноты после предварительного возбуждения образца, значение максимума вспышки<br />
уменьшается. При этом время соответствующей максимуму вспышки растет. Это<br />
свидетельствует о том, что рассасывание заряда с уровней 1.06 ÷ 2.4 эВ<br />
происходит в темноте, т.е. уровни в темноте со временем опустошаются. Это означает,<br />
что рассасывание неравновесных электронов с центров не происходит через с-зону и не<br />
обусловлено последующим освещением.<br />
Обнаруживается корреляция между медленным ростом фотопроводимости и<br />
перезарядкой D-центров. Очувствление CdGa 2 S 4 происходит при заполнении уровней<br />
1.06 ÷ 2.4 эВ. Отметим, что опустошением и заполнением D-центров можно управлять<br />
медленным ростом фотопроводимости.<br />
Релаксация фототока после предварительного оптического возбуждения может быть<br />
объяснена в соответствии со следующей двухуровневой моделью [1]. Глубокие<br />
уровни 1.06 ÷ 2.4 эВ (D – центры) находятся вблизи середины запрещенной зоны<br />
и центры ФЧ (А - центры) находятся выше потолка валентной зоны (Исследование<br />
спектра оптического гашение фототока показывает, что центры ФЧ в CdGa 2 S 4<br />
находятся ~0.6 и 0.89 эВ выше потолка валентной зоны [2]). Предварительное<br />
возбуждение с энергией квантов hν ≥ Е сА переводит электроны с<br />
фоточувствительного уровня (А - центры) или из валентной зоны в зону<br />
проводимости. Далее неравновесные электроны из зоны проводимости<br />
захватываются D-центрами, которые являются опустошенными. После<br />
предварительного освещения создается неравновесная ситуация: А - центры<br />
частично опустошены, D - центры почти заполнены электронами.<br />
Рис.3.Кинетика примесной фотопроводимости<br />
(λ=850 нм) в монокристаллах<br />
CdGa 2 S 4 при различных<br />
временах предварительного оптического<br />
возбуждения: 1) 30 мин.; 2) 20<br />
мин.; 3) 10 мин.; 4) 2мин.<br />
Рис.4.Кинетика примесной фотопроводимости<br />
(λ=850нм) в монокристаллах<br />
CdGa 2 S 4 : при различных длительностях<br />
темноты после предварительного<br />
оптического возбуждения<br />
(λ =440 нм) в течение 30 мин.: 1) 5<br />
мин.; 2) 30 мин.; 3) 60 мин.; 4) 4 часа.
Change language