I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />
К. Образцы монтировались в криостате и во время измерений поддерживался вакуум<br />
10 -3 ÷ 10 -4 мм рт. ст.<br />
Обнаружено, что после предварительного оптического возбуждения излучением<br />
CdGa 2 S 4 определенной длины волны из области 2.6 ÷ 3.2 эВ на релаксационных кривых<br />
фототока наблюдается вспышка фототока на других длинах волн из области 1.06 ÷ 2.4<br />
эВ (D-центры). Вспышечный характер фототока исследованных нами образцов CdGa 2 S 4<br />
наблюдался в области температур 300 - 450 К. Значения максимума вспышки<br />
фототока зависит от длины волны и времени предварительного возбуждения, а также<br />
длительности темноты после прекращения предварительного возбуждения. На рис.1<br />
представлена зависимость тока, проходящего через образец, от времени I = I (t), где I =<br />
I dark + I ph (I dark - темновой ток, I ph - фототок). При возбуждении монохроматическим<br />
светом из области энергий 2.6 ÷ 3.2 эВ (момент t 1 ), фототок со временем увеличивается<br />
и достигает значительной величины (аb). После снятия возбуждения (момент t 2 ) ток в<br />
цепи сначала резко (bc), а затем медленно (сd) уменьшается, причем значение<br />
темнового тока оказалось меньше, чем до освещения (сd проходит ниже аh). Видно, что<br />
в процессе очувствления темновой ток уменьшается. Выдерживая образец некоторое<br />
время в темноте, а после этого освещая монохроматическим светом из области энергий<br />
1.06 ÷ 2.4 эВ (момент t 3 ) видим, что ток в цепи сначала возрастает вспышкой (dе),<br />
проходит через максимум и уменьшается (ef). После опустошения уровней светом<br />
Рис.1.Кинетика фотопроводимости<br />
в монокристаллах CdGa 2 S 4 при 300 К.<br />
освещение из области hν= 2.6 ÷ 3.2 эВ.<br />
образец возвращается в исходное<br />
нефоточувствительное состояние<br />
(моменты t 4 и t 5 ). Для очувствления<br />
образца требуется повторное<br />
Зависимость тока, соответствующая максимуму вспышки от энергии подсветки<br />
представлена на рис.2. Спектр представляет собой широкую полосу в интервале 1.06 ÷<br />
2.4 эВ с максимумом при 1.45 эВ.<br />
Представлялось интересным изучить кинетику примесной фотопроводимости в<br />
CdGa 2 S 4 при различных заселенностях уровней 1.06 ÷ 2.4 эВ. С этой целью<br />
исследована кинетика примесного фототока (λ = 850 нм) при различных временах