I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - BakÄ± DÃ¶vlÉt Universiteti

More documents

Recommendations

Info

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı К. Образцы монтировались в криостате и во время измерений поддерживался вакуум 10 -3 ÷ 10 -4 мм рт. ст. Обнаружено, что после предварительного оптического возбуждения излучением CdGa 2 S 4 определенной длины волны из области 2.6 ÷ 3.2 эВ на релаксационных кривых фототока наблюдается вспышка фототока на других длинах волн из области 1.06 ÷ 2.4 эВ (D-центры). Вспышечный характер фототока исследованных нами образцов CdGa 2 S 4 наблюдался в области температур 300 - 450 К. Значения максимума вспышки фототока зависит от длины волны и времени предварительного возбуждения, а также длительности темноты после прекращения предварительного возбуждения. На рис.1 представлена зависимость тока, проходящего через образец, от времени I = I (t), где I = I dark + I ph (I dark - темновой ток, I ph - фототок). При возбуждении монохроматическим светом из области энергий 2.6 ÷ 3.2 эВ (момент t 1 ), фототок со временем увеличивается и достигает значительной величины (аb). После снятия возбуждения (момент t 2 ) ток в цепи сначала резко (bc), а затем медленно (сd) уменьшается, причем значение темнового тока оказалось меньше, чем до освещения (сd проходит ниже аh). Видно, что в процессе очувствления темновой ток уменьшается. Выдерживая образец некоторое время в темноте, а после этого освещая монохроматическим светом из области энергий 1.06 ÷ 2.4 эВ (момент t 3 ) видим, что ток в цепи сначала возрастает вспышкой (dе), проходит через максимум и уменьшается (ef). После опустошения уровней светом Рис.1.Кинетика фотопроводимости в монокристаллах CdGa 2 S 4 при 300 К. освещение из области hν= 2.6 ÷ 3.2 эВ. образец возвращается в исходное нефоточувствительное состояние (моменты t 4 и t 5 ). Для очувствления образца требуется повторное Зависимость тока, соответствующая максимуму вспышки от энергии подсветки представлена на рис.2. Спектр представляет собой широкую полосу в интервале 1.06 ÷ 2.4 эВ с максимумом при 1.45 эВ. Представлялось интересным изучить кинетику примесной фотопроводимости в CdGa 2 S 4 при различных заселенностях уровней 1.06 ÷ 2.4 эВ. С этой целью исследована кинетика примесного фототока (λ = 850 нм) при различных временах
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı предварительного оптического возбуждения (λ = 440 нм) (рис.3) и при различных длительностях темноты после предварительного возбуждения (рис.4). Обнаружено, что с увеличением длительности предварительного оптического возбуждения значение максимума вспышки растет. Это связано со степенью заполнения уровней, ответственных за вспышки фототока. Интересным моментом является то обстоятельство, что при увеличении времени предварительного возбуждения время соответствующей максимуму вспышки не изменяется. С увеличением длительности темноты после предварительного возбуждения образца, значение максимума вспышки уменьшается. При этом время соответствующей максимуму вспышки растет. Это свидетельствует о том, что рассасывание заряда с уровней 1.06 ÷ 2.4 эВ происходит в темноте, т.е. уровни в темноте со временем опустошаются. Это означает, что рассасывание неравновесных электронов с центров не происходит через с-зону и не обусловлено последующим освещением. Обнаруживается корреляция между медленным ростом фотопроводимости и перезарядкой D-центров. Очувствление CdGa 2 S 4 происходит при заполнении уровней 1.06 ÷ 2.4 эВ. Отметим, что опустошением и заполнением D-центров можно управлять медленным ростом фотопроводимости. Релаксация фототока после предварительного оптического возбуждения может быть объяснена в соответствии со следующей двухуровневой моделью [1]. Глубокие уровни 1.06 ÷ 2.4 эВ (D – центры) находятся вблизи середины запрещенной зоны и центры ФЧ (А - центры) находятся выше потолка валентной зоны (Исследование спектра оптического гашение фототока показывает, что центры ФЧ в CdGa 2 S 4 находятся ~0.6 и 0.89 эВ выше потолка валентной зоны [2]). Предварительное возбуждение с энергией квантов hν ≥ Е сА переводит электроны с фоточувствительного уровня (А - центры) или из валентной зоны в зону проводимости. Далее неравновесные электроны из зоны проводимости захватываются D-центрами, которые являются опустошенными. После предварительного освещения создается неравновесная ситуация: А - центры частично опустошены, D - центры почти заполнены электронами. Рис.3.Кинетика примесной фотопроводимости (λ=850 нм) в монокристаллах CdGa 2 S 4 при различных временах предварительного оптического возбуждения: 1) 30 мин.; 2) 20 мин.; 3) 10 мин.; 4) 2мин. Рис.4.Кинетика примесной фотопроводимости (λ=850нм) в монокристаллах CdGa 2 S 4 : при различных длительностях темноты после предварительного оптического возбуждения (λ =440 нм) в течение 30 мин.: 1) 5 мин.; 2) 30 мин.; 3) 60 мин.; 4) 4 часа.
Page 1 and 2:
Fizikanın müasir problemləri VI
Page 3 and 4:
Page 5 and 6:
Page 7 and 8: Fizikanın müasir problemləri VI
Page 57: Fizikanın müasir problemləri VI
show all

I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - BakÄ± DÃ¶vlÉt Universiteti

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?

I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - BakÄ± DÃ¶vlÉt Universiteti