I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - BakÄ± DÃ¶vlÉt Universiteti

More documents

Recommendations

Info

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı изучение поведения различных примесей в решетке TlInTe 2 . В работах [1] выполнен синтез и в некоторых случаях детально исследованы физико-химические [2], электрофизические [3] и теплофизические свойства сплавов системы TlInX VI 2 -TlLnX VI 2 , где Ln - лантаноиды. X VI 2 -S, Se,Tl. Показано существование в этих системах широких областей растворимости на основе исходных соединений типа TlInX VI 2 . Однако в литературе не имеются сведения по рентгенографическому и электрофизическому исследованию сплавов системы TlInTe2 -TlGdTe 2 . Цель данной работы -получить твердые растворы TlIn1 − xGd xTe2 и методами дифференциально термического анализа (ДТА), рентгенофазового анализа (РФА) и исследованием электрических свойств подтвердить их индивидуальность и определить параметры их элементарных ячеек. Синтез сплавов системы проводился следующим образом: исходные элементы, загруженные в вакуумированную до ~ 0,01 Па ампулу из плавленого кварца, помещали в печь, заранее нагретую до 1220 К. С увеличением количества гадолиния время выдержки увеличивается от 5 до 6 ч. Гомогенизирующий отжиг проводили при 1250 – 1350 К в течении недели. Образцы системы TlInTe2 − TlGdTe2 готовили путем сплавления соединения TlInTe 2 и TlGdTe 2 в разных состояниях. При этом температуру в печи повышали со скоростью 30 – 60 К/ч до 1150 – 1250 К. Ампулу выдерживали при этой температуре 4 – 5 ч. и медленно охлаждали до температуры отжига, определенной предварительно по кривым ДТА. Сплавы, содержащие до 10 мол % TlGdTe 2 , отжигали при 600 – 650 К в течении 60 ч, а сплавы с концентрацией TlGdTe 2 10 – 60 мол % - при 850 – 900 К в течении 140 ч, далее температуру снижали до комнатной со скоростью 10 – 15 К/ч. Полученные образцы оказались плотными , хорошо сформированными и приобрели свойственную им окраску. Синтезированы сплавы TlIn1 − xGd xTe2 , где 0 ≤ х≤ 0,10, TlInGdTe 4 и TlGdTe 2 . Для проведения рентгенографических исследований методом Бриджмена выращены монокристаллы сплавов системы TlInTe2 − TlGdTe2 . Скорость перемещения ампулы с расплавом составляла 2,5 мм/ч. При выращивании монокристаллов TlIn1 − xGd xTe2 температуру высокотемпературной зоны варьировали от 1000 – 1300 К. По результатам дифференциально – термического, микроструктурного и рентгенофазового анализов исследуемых сплавов были построены диаграммы состояния систем TlInTe2 − TlGdTe2 . При соотношении исходных компонентов 1:1 образуется новая конгурэнтно плавящаяся при 1265 К четверная фаза Tl 2InGdTe4 В интервале 0 – 10 мол % TlGdTe 2 наблюдается область твердых растворов замещения. Область растворимости в этой системе подтверждена также микроструктурными и рентгенофазовыми анализами. С помощью рентгенофазового анализа выявлено, что в твердых растворах при частичном замещении атомов индия атомами гадолиния параметры тетрагональной ячейки увеличиваются по закону аддитивности, что, по-видимому, связано с различием ионных радиусов индия и гадолиния. В результате проведенного рентгенографического исследования монокристаллов TlIn1 − xGd xTe 2 установлено, что при замещении атомов индия атомами гадолиния в интервале 0-10 мол % TlGdTe 2 образуются твердые растворы замещения. В области растворимости отклонения от закона Вегарда не наблюдали. Сплавы с TlInTe 2 , так же как соединение TlInTe 2 , кристаллизуются в тетрагональной сингонии , и происходящие
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı фазовые превращения не вызывают появления сверхструктурных линий на дифрактограммах. Отсутствие таких линий подтверждает, что исследованные сплавы твердых растворов в упорядоченном состоянии кристаллизуются в одной и той же сингонии. ЛИТЕРАТУРА 1. Годжаев Э.М. Структура, электронные и тепловые свойства сложных полупроводников на основе Sp и 4t элементов. Дис.докт.физ.- мат.наук. Баку 1984 с.250 2. Байрамов Д.Д. Электрофизические и упругие свойства твердых растворов TlIn1 − xGd xS 2 . Дис. на соискание уч.стен.канд.физ.- мат.наук. Баку. 1991. с. 135. 3. Гусейнов Я.Ю., Байрамов Д.Д., Мустафаева У.М., Магеррамов А.Б. * Синтез и свойства твердых растворов TlIn1 − xGd xSe2 // Неорган.материалы 2012, т.48. №4. с.394-397. КИНЕТИКА ФОТОПРОВОДИМОСТИ КРИСТАЛЛОВ CdGa 2 S 4 ПРИ ОПТИЧЕСКОЙ ПЕРЕЗАРЯДКЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ Зафар Кадыроглы Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, АZ-1143, пр. Г. Джавида, 33 е-mail: zafark@mail.ru Обнаружено, что после предварительного оптического возбуждения излучением CdGa 2 S 4 определенной длины волны из области 2.6÷3.2 эВ на релаксационных кривых фототока наблюдается вспышка фототока на других длинах волн из области 1.06÷2.4 эВ. Значения максимума вспышки фототока зависит от длины волны и времени предварительного возбуждения, а также длительности темноты после прекращения предварительного возбуждения. Релаксация фотопроводимости после предварительного оптического возбуждения объяснена двухуровневой моделью. Ключевые слова: фототок, CdGa 2 S 4 , фотопроводимость, релаксация фототока, локальные уровни, оптическая перезарядка. Целью настоящей работы является изучение оптической перезарядки примесных центров в CdGa 2 S 4 , которые позволяют получить информацию о спектре локальных состояний, механизме генерационно - рекомбинационных процессов. Исследована кинетика примесной фотопроводимости после предварительного оптического возбуждения. Монокристаллы выращивали из синтезированного соединения СdGa 2 S 4 методом газотранспортных реакций в замкнутом объеме с использованием кристаллического йода в качестве носителя. При изготовлении образцам придавался вид плоскопараллельных пластин размерами 3 х 2 х 1 мм 3 . При этом одна из сторон всегда соответствовала естественной зеркальной грани кристалла. Образцы имели n-тип проводимости и удельное сопротивление в темноте составляло ρ d ≥ 10 9 Ом см при 300
Page 1 and 2:
Fizikanın müasir problemləri VI
Page 3 and 4:
Fizikanın müasir problemləri VI
Page 5 and 6: Fizikanın müasir problemləri VI
Page 55: Fizikanın müasir problemləri VI
show all

I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - BakÄ± DÃ¶vlÉt Universiteti

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?

I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - BakÄ± DÃ¶vlÉt Universiteti