I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - BakÄ± DÃ¶vlÉt Universiteti

More documents

Recommendations

Info

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı ванного, так и легированного атомами редкоземельного металла диспрозия в различных концентрациях (0,001; 0,0025; 0,05 и 0,02 ат.%). 100 6000 90 5000 1 2 3 4 5 80 70 1 2 3 4 5 4000 60 3000 50 40 30 α, mkV⋅K -1 T , K a 2000 1000 σ, Om -1 cm -1 T , K b 20 50 100 150 200 250 300 350 0 50 100 150 200 250 300 350 10 8 χ, Vt/(smK) 1 2 3 4 5 6 4 2 c 0 50 100 150 200 250 300 T , 350 K Рис.1. Зависимость коэффициента термо-эдс α (a) , электропроводности σ (b) и коэффициента теплопроводности χ (c) для образцов твердого раствора Bi 0,7 Sb 1,3 Te 2,93 Se 0,07 , легированного атомами редкоземельного металла диспрозия, ат.% : 1- 0; 2 - 0,001; 3 - 0,0025; 4 - 0,05; 5 - 0,02. Из рисунков следует, что в исследованных твердых растворах электропроводность в интервале температур 100÷300 К с уменьшением температуры растет и в данном температурном интервале обнаруживает металлический характер проводимости. Такое поведение характерно для частично вырожденных полупроводников, где участвуют два механизма рассеяния носителей заряда: на заряженных примесях и тепловых колебаниях решетки. Коэффициент термо-эдс α с уменьшением температуры падает. По знаку коэффициента термо-эдс установлено, что исследованные образцы обладают проводимостью дырочного типа. Из рисунков видно, что зависимость электрических параметров твердого раствора от концентрации примесей диспрозия немонотонна: зависимость
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı удельной электропроводности от концентрации примесей диспрозия проходит через максимум при концентрации 0,005 aт.% Dy. Такую зависимость можно объяснит тем, что атомы Dy в исследованном твердом растворе играют роль акцепторов и при концентрациях примеси до 0,005 aт.% Dy приводят к росту концентрации дырок и тем самым к повышению электропроводности. В то же время, при концентрациях примеси больше 0,005 ат. % Dy с ростом концентрации дефектов в образцах усиливается рассеяние носителей заряда и наблюдается падение электропроводности образцов за счет превалирования уменьшения подвижности зарядов, что подтверждается измерениями коэффициента Холла и подвижности носителей заряда. ЛИТЕРАТУРА 1. Ettenberg M.N., Jesser W.A., Rosi F.D. Proc. Of the XV Int. Conf. on Thermoelectrics, Passadena, CA, USA, 1996, p. 52. 2. Кутасов В.А., Константинов П.П., Лукьянова Л.Н. Доклады V Межгосударственного семинара "Термоэлектрики и их применения", Санкт- Петербург, 1997, c. 14. 3. Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi 2 Te 3 . М., Наука, 1972, 320 с. 4. Чижевская С.Н., Шелимова Л.Е. Неорган.материалы, 1995, т. 31, N 9, c. 1184. 5. Бархалов Б.Ш., Алиев Р.Ю., Багиева Г.З., Мустафаев Н.Б. Материалы VII Межгосударственного семинара "Термоэлектрики и их применение" Санкт- Петербург, 2000, c. 64. РЕНТГЕНОГРАФИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ TlIn Gd 1− x xTe 2 Д.Д.Байрамов, М.М.Годжаев, С.К.Оруджов, Р.С.Агаева, В.Д.Шукюрова Сумгаитский Государственный Университет, Азербайджан e-mail: xedice-aliyeva@mail.ru В настоящей работе приводится синтеза и выращивания монокристаллов твердых растворов TlIn1 − xGd xTe2 , излагаются результаты физико-химического и рентгенофазового исследования и приводится Т-х фазовая диаграмма состояния системы TlInTe2 -TlGdTe 2 . Выявлено, что при частичном замещении атомов индия атомами гадолиния в решетке TlInTe 2 микротвердость и параметры элементарной ячейки закономерно увеличиваются, а ширина запрещенной зоны уменьшается. Рентгенографический анализ кристаллов системы TlInTe2 -TlGdTe 2 показал, что твердые растворы TlIn1 − xGd xTe2 (0
Page 1 and 2:
Fizikanın müasir problemləri VI
Page 3 and 4: Fizikanın müasir problemləri VI
Page 53: Fizikanın müasir problemləri VI
show all

I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - BakÄ± DÃ¶vlÉt Universiteti

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?

I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - BakÄ± DÃ¶vlÉt Universiteti