I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı
плохого смачивания может образовывать изолированные кластеры. Отметим, что
ОСУНТ получается с использованием газовой смеси CH 4 и A 2 . Струя ВЧ –
микроплазмы генерируется при атмосферном давлении с помощью однотрубчатого
электрода и направляется на подложку к-Si с покрытой пленкой Fe .
В широком диапазоне изменения параметров синтеза (внутреннего диаметра
сопла электрода, скорости потока метана и температуры подложки) получены такие
углеродные микроструктуры, как алмазные частицы, углеродные нанопроволочки,
углеродные нанотрубки и конусообразные микрочастицы Si .
Также изучено влияние условий роста скорости потока метана, тип подложки на
распределение, структуру и свойства двухстеночных углеродных нанотрубок (ВУН).
При скорости потока 600куб см/мин получаются ДУН с преимущественно
полупроводковыми свойствами. При более высокой скорости потока (700куб см/мин)
образуется смесь одностенных и двухстенных нанотрубок, большинство из которых
являются полупроводниковыми. При более низких скоростях (300-500куб см/мин)
преобладают металлические многостенные углеродные нанотрубки. Длина полученных
нанотрубок составляет 1-4мкм.
Обнаружено, что полученные из газовой смеси SiH 4 + H 2 + PH 3 или
SiH + H + B на кварцевой, стеклянной или же подложек с увеличением
4 2 2H
6
концентрации PH 3 уменьшается средний размер зерен (d) и доля кристаллических
зерен объема (Ve). При легировании бором с увеличением концентрации B 2 H 6
значение d не меняется, а с Vc уменьшается.
Полученные пленки нанокристаллические SiC толщиной 0,5-1,0мкм на
подложки кварца при температуре 200-6000 0 С в плазме 80% H 2 +20% A 2 , при
повышении температуры подложки до 600 0 С наблюдалось увеличение плотности
нанокристаллов SiC средний размер которых составлял 12пм до 24пм.
Полученные результаты проверены также и методом ИК спектра поглощения.
Исходя из этих результатов, можно утверждать, что наногидридные Si − H и
дигидридные Si − H 2 комплексно ведут себя как пространственный барьер в объеме
пленок и изменяют рост нанокристаллов [8].
Для анализа картины, получаемой на дебасграмме, воспользуемся
представлением Брега-Вульфа. Для получения отражения определенного порядка от
некоторых серий плоскостей, кристаллик должен быть ориентирован таким образом,
чтобы эти плоскости составляли с подающим пучком угол θ , удовлетворяющий
уравнению:
2d sinθ = λ
(1)
Зная угол падения пучка и длину волны из уравнения (1) можно определить
диаметр нанокристаллов. Пользуясь формулой (1) для каждой линии можно определить
отношение межкомплексного расстояния отражающей серии сеток к порядку
отражения:
d λ
=
(2)
n 2sinθ
d
Значение для всех линий является конечным результатом, полученным
n
непосредственно из диаграммы.
Рентгеноструктурный анализ проведен пороликовым методом и спектра ИК
поглощения измерено ИКС-21.