I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - BakÄ± DÃ¶vlÉt Universiteti

More documents

Recommendations

Info

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı ства монокристаллов FeIn 2 Se 4 // ФТП, 2003, т.37, в.2.,с. 173-175. [4] Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б., Мурадов М.Б. Электрические свойства слоиты монокристаллов FeIn 2 Se 4 на переменном токе // ФТП, 2008, т.42, в.3, с.268-270. [5] Н.Мотт, Э.Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М.,Мир, 1982), т.1. ПОЛУЧЕНИЕ РАЗЛИЧНЫХ ТИПОВ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБ (ОУН, ДУН, МУН) И ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ПОДЛОЖКИ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ-УГЛЕРОДА, ОСАЖДЕННЫХ РЕАКТИВНЫМ МАГНЕТРОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ Б.А.Наджафов, Х.Ф.Гаджиев * Институт Радиационных Проблем НАН Азербайджана, * Азербайджанский архитектурно-строительный Университет e-mail: najafov@rambler.ru najafov@husics.az najafov@yaxoo.com Пленки гидрогенеризованного нанокремтологического сплава кремния-углерода ( nk − Si1 −x Cx : H; x = 0 −1) по сравнению с пленками аморфного кремния и германия имеют большую ширину запрещенной зоны и лучшие оптоэлектронные свойства в видимой части спектра, а также являются термодинамически более стабильными и радиационно стойкими [1, 2.] Эти свойства позволяют использовать их для создания солнечных элементов и ряда других направлений электроники [1-3]. Эксперименты показывают, что аморфные пленки с изменением технологических параметров и условий осаждаются на различных структурных фазах. Кроме этого в зависимости от условий осаждения как структуры, так и оптоэлектронные свойства сильно зависят от скорости осаждения, температуры подложки, типа подложки и геометрии металлических покрытий. В работе рассмотрены некоторые параметры тонких пленок нанокристалического кремния-углерода ( nk − Si − C : H; x = 0 1). Также рассмотрены 1 x x − B 2 H механизм легирования с фосфором ( PH 3 ) и бором ( 6 ) данной пленки. Методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) изучена морфология полученных нанотрубок, длина которых составляет от 1 до 4мкм, в зависимости от условий режимов осаждения. Структурные свойства пленок анализировались методом ВК спектроскопии и методом рентгеновской дифракции (РД). Сделано предположение, что в зависимости от условий получения указанного, параметры изменяются, которые характерны для нанокристаллических тонких пленок. Результаты эксперимента и обсуждение В данной работе исследовались пленки нанокристаллического сплава кремния углерода ( nk − Si1−x Cx : H ) ( x = 0 −1) легированного фосфором ( PH 3 ) и бором ( B 2 H 6 ) на различных подложках кварца, стекла и кремния с покрытием Fe , Al , Pd , Ni , Ti . Поскольку Al и Ag имеют небольшие диффузионные барьеры и обладают плохим смачиванием поверхности одностеночные углеродные нанотрубки (ОСУНТ), то они стремятся к агрегации и образованию больших кластеров. С другой стороны, энергия связи между Fe и ОСУНТ велика, но из-за большой энергии коррозии и
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı плохого смачивания может образовывать изолированные кластеры. Отметим, что ОСУНТ получается с использованием газовой смеси CH 4 и A 2 . Струя ВЧ – микроплазмы генерируется при атмосферном давлении с помощью однотрубчатого электрода и направляется на подложку к-Si с покрытой пленкой Fe . В широком диапазоне изменения параметров синтеза (внутреннего диаметра сопла электрода, скорости потока метана и температуры подложки) получены такие углеродные микроструктуры, как алмазные частицы, углеродные нанопроволочки, углеродные нанотрубки и конусообразные микрочастицы Si . Также изучено влияние условий роста скорости потока метана, тип подложки на распределение, структуру и свойства двухстеночных углеродных нанотрубок (ВУН). При скорости потока 600куб см/мин получаются ДУН с преимущественно полупроводковыми свойствами. При более высокой скорости потока (700куб см/мин) образуется смесь одностенных и двухстенных нанотрубок, большинство из которых являются полупроводниковыми. При более низких скоростях (300-500куб см/мин) преобладают металлические многостенные углеродные нанотрубки. Длина полученных нанотрубок составляет 1-4мкм. Обнаружено, что полученные из газовой смеси SiH 4 + H 2 + PH 3 или SiH + H + B на кварцевой, стеклянной или же подложек с увеличением 4 2 2H 6 концентрации PH 3 уменьшается средний размер зерен (d) и доля кристаллических зерен объема (Ve). При легировании бором с увеличением концентрации B 2 H 6 значение d не меняется, а с Vc уменьшается. Полученные пленки нанокристаллические SiC толщиной 0,5-1,0мкм на подложки кварца при температуре 200-6000 0 С в плазме 80% H 2 +20% A 2 , при повышении температуры подложки до 600 0 С наблюдалось увеличение плотности нанокристаллов SiC средний размер которых составлял 12пм до 24пм. Полученные результаты проверены также и методом ИК спектра поглощения. Исходя из этих результатов, можно утверждать, что наногидридные Si − H и дигидридные Si − H 2 комплексно ведут себя как пространственный барьер в объеме пленок и изменяют рост нанокристаллов [8]. Для анализа картины, получаемой на дебасграмме, воспользуемся представлением Брега-Вульфа. Для получения отражения определенного порядка от некоторых серий плоскостей, кристаллик должен быть ориентирован таким образом, чтобы эти плоскости составляли с подающим пучком угол θ , удовлетворяющий уравнению: 2d sinθ = λ (1) Зная угол падения пучка и длину волны из уравнения (1) можно определить диаметр нанокристаллов. Пользуясь формулой (1) для каждой линии можно определить отношение межкомплексного расстояния отражающей серии сеток к порядку отражения: d λ = (2) n 2sinθ d Значение для всех линий является конечным результатом, полученным n непосредственно из диаграммы. Рентгеноструктурный анализ проведен пороликовым методом и спектра ИК поглощения измерено ИКС-21.
Page 1 and 2: Fizikanın müasir problemləri VI
Page 49: Fizikanın müasir problemləri VI

I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - BakÄ± DÃ¶vlÉt Universiteti

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?

I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - BakÄ± DÃ¶vlÉt Universiteti