I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />
возбуждения концентрация экситонов растет, и при ее достижении некоторого<br />
критического значения происходит взаимодействие между экситонами, что приводит к<br />
распаду экситонов и образованию свободных электронно-дырочных пар.<br />
Взаимодействие экситонов в GaSe при высоких интенсивностях возбуждения<br />
наблюдается и при исследовании нами фотолюминесценции кристаллов GaSe под<br />
действием лазерного света. Известно, что при экситон-экситонном взаимодействии<br />
энергия излучающего кванта hν на 2E b меньше ширины запрещенной зоны E g<br />
где E b – энергия связи экситона<br />
hν = E g - 2E b -∆E (3)<br />
1 h 3<br />
(<br />
µ 8 8π<br />
N<br />
V<br />
2<br />
2 / 3 2 / 3<br />
∆ = ) ( )<br />
(4)<br />
E<br />
1 1 −1<br />
здесь N/V – темп генерации свободных носителей в единице объема, µ = ( + )<br />
m e<br />
m h<br />
- приведенная эффективная масса электронно - дырочных пар.<br />
Обнаруженная нами в спектрах люминесценции GaSe при высоких уровнях<br />
оптического возбуждения полоса излучения с максимумом λ=597нм соответствует<br />
энергии излучающего кванта, связанной с взаимодействием экситонов. Оценки ∆Е по<br />
формуле (4) показывают, что при значении m e = 0,7m 0 , m h =0,5 m 0 и I 0 = 10 МВт/см 2 ,<br />
∆Е для GaSe составляет ~15мэВ, что сравнимо с экспериментально найденными<br />
значениями.<br />
В заключении отметим, что спектры поглощения кристаллов GaSe при 300К<br />
содержат линию свободного экситона с энергией связи ~20 мэВ, поэтому они являются<br />
удобным объектом для исследования таких нелинейных явлений при комнатной<br />
температуре, как взаимодействие между экситонами и экранировка экситонов плазмой<br />
свободных носителей, генерированных лазерным излучением.<br />
ЛИТЕРАТУРА<br />
[1] А. Байдуллаева, З.К. Власенко, Б.К. Даулетмурато<br />
в, Л.Ф. Кузан, П.Е. Мозоль. Особенности спектров нелинейного поглощения света в<br />
нестехиометрических и легированных Ni монокристаллах GaSe. ФТП 2006, т.40, вып.4,<br />
с. 397-399.<br />
[2] А.Г. Кязым-заде, В.М. Салманов, А.М. Алиева, А.А. Салманова. Экситонное<br />
поглощение в кристаллах GaSe и InSe при пикосекундном возбуждении.<br />
Неорганические материалы, 2007, т.43, №12, с. 1419-1423.<br />
[3] А.Г. Кязым-заде, В.М. Салманов, А.М. Алиева, А.А. Салманова. Фотопроводимость<br />
и люминесценция кристаллов GaSe при высоких уровнях оптического возбуждения.<br />
ФТП, 2010, т.44, вып.3, с.306-310.
Change language