I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı
Șəkil 1-də FeIn 2 Se 4 monokristalı üçün 295K temperaturda dielektrik itkisinin tangens
bucağının tezlikdən asılılıq qrafiki verilmișdir. Șəkildən görünür ki, tezlik artdıqca itki
bucağının tangensinin qiyməti azalır və tg δ ~ 1/
ω asılılığı ödənilir. FeIn 2 Se 4 monokristalı
yüksək kompensasiya edilmiș yarımkeçirici olduğu üçün dielektrik itkisinin tangens
bucağının qiyməti kifayət qədər böyük olur.
Dielektriklərdə itki bucağının dəyișən elektrik sahəsinin tezliyindən asılılığına baxaq.
Tutaq ki, paralel birləșmə zamanı dielektrik C tutumuna malik kondensator və R aktiv
müqavimətli naqil ilə əvəz edilmișdir.
Bu zaman itki bucağının tangensini belə ifadə etmək olar:
tgδ
=
I
a I σ
= = . (1)
I ωC
R εε ω
r
R
0
Burada J a – R müqavimətinə malik naqildən keçən aktiv cərəyanın, J r -isə C tutumlu
kondensatordan keçən reaktiv cərəyanın qiymətidir. ω=2πf- tezlik, σ -elektrikkeçiriciliyi, ε 0 -
elektrik sabitidir.
FeIn 2 Se 4 kristalında ε və σ tezlikdən asılı olaraq az dəyișdiyi üçün itki bucağının
tangensinin tezliklə tərs mütənasib tgδ~1/ω asılılığı ödənilir. Aktiv keçiricilik kifayət qədər
yüksək olduğu üçün qrafikdə relaksasiya maksimumu müșahidə edilmir və itki bucağının
tangensi tezlik artdıqca azalır (șəkil 1.)
Șəkil 1. FeIn 2 Se 4 monokristalı üçün 295K temperaturda dielektrik itkisinin tangens
bucağının elektrik sahəsinin tezliyindən aslılığı.