I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı
1. Смоленский Г.А., Боярченков М.А., Лисовский Ф.В., Раев В.К. // Микроэлектроника.
1972. Т. 1. с. 26.
2. Lock R.D., Lucas J.M. // Radio Electron. 1972. V. 42.p. 435.
3. Насибов И.О., Султанов Т.И. Исследование взаимодействия в тройной системе по
разрезу Eu 2 Se 3 - SnSe 2 // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1980. Т. 10. № 3. с. 422-
425.
4. Гусейнов Д.И., Мургузов М.И., Исмаилов Ш.С Теплопрводность твердых растворов
Er х Sn 1-х Se (x< 0.025) // Изв. АН России. Неорган. материалы. 2008. Т.44. № 5. с. 542-
544.
5. Гуршумов А.П., Кулиев Б.Б., Аббасов К.Х., Магеррамов Ю.Д. Система SnSe-Dy 2 Se 3 //
Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1990. Т. 26. № 9. с. 1827-1829.
6. Гусейнов Дж.И., Джафаров Т.А. Влияние γ -облучения на электрофизические
свойства термообработанных монокристаллов Tb х Sn 1-х Se // ФТП, 2012. Т. 46. В 4. С
447-449.
FeIn 2 Se 4 MOHOKRİSTALININ DİELEKTRİK İTKİSİNİN TEZLİK VƏ
TEMPERATURDAN ASILILIĞI
F.M. Məmmədov, * M.B. Muradov, ** N.N. Niftiyev
AMEA Kımya Problemləri İnstitutu, Az1143, H.Cavıd pr., 29
* Bakı Dövlət Unıversıtetı, Az1145, Z. Xəlılov, 23
** Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti, Az 1000, Bakı, Ü.Hacıbəyov,34.
İșdə müxtəlif temperaturlarda FeIn 2 Se 4 monokristalının dielektrik itkisinin tangens
bucağının tezlikdən asılılıği tədqiq edilmișdir. Müəyyən edilmișdir ki, tezlik artdıqca itki
bucağının tangensinin qiyməti azalır və tg δ ~ 1/
ω asılılığı ödənilir. FeIn 2 Se 4
monokristalında așağı temperaturda (295K) keçiricilik sıçrayıș mexanizmi ilə, yuxarı
temperaturda (3755K) isə zona mexanizmi ilə əlaqədardır.
Hal-hazırda eyni zamanda yarımkeçirici və maqnit xassələrinə malik olan
materialların yaradılması istiqamətində intensiv tədqiqatlar aparılır. Belə ki, d və f təbəqələri
tamamilə dolmayan elementlər daxil olan üçlü xalkoqenit birləșmələr qeyri - adi fiziki
xassələri və praktik tətbiqləri sayəsində geniș tədqiqatların obyektinə çevrilmișdir. Bu
birləșmələr içərisində fotoelektronikanın yeni nəsil cihazlarının funksional diopazonunu
genișləndirmək üçün böyük potensiala malik olan fiziki prosesləri az öyrənilmiș AB 2 X 4
(burada A-Mn, Fe, Co, Ni; B- Ga, In; X-S, Se,Te) tipli maqnit yarımkeçiriciləri xüsusi
maraq kəsb edir. AB 2 X 4 tipli birləșmələr sinfinə aid olan FeIn 2 Se 4 monokristalı Bricmen
metodu ilə alınmıșdır. Rentgenoqrafik metodla müəyyən edilmișdir ki, FeIn 2 Se 4 monokristalı
qəfəs parametrləri a = 4,18Å; c=19,47 Å; c/a=4,65 olan heksaqonal qurulușa kristallașır [1].
FeIn 2 Se 4 monokristalının bəzi fiziki xassələri [ 2 - 4 ] ișlərində tədqiq edilmișdir. Dielektrik
itkisinin tangens bucağını ölçmək üçün qalınlığı ~ 0,1mm olan kristal lövhələrə gümüș
pastası vuraraq kondensatorlar hazirlanmıș və ölçülmələr E7-20 ( 25 ÷ 10 6 Hz ) rəqəmli
immetans ölçü cihazının köməyi ilə aparılmıșdır. Nümunəyə 1V ölçmə gərginliyi verilmișdir.