I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı
böyük olur. Bu fakt alınmıș birləșmələrin quruluș elementlərinin vakansiyalarından ibarət
defektlərlə zəngin olduğunu söyləməyə imkan verir.
DTA sistem ərintilərinin termoqrammalarında solidus və likvidusa aid olan iki və ya üç
endotermik effektin müșahidə olunduğunu göstərir. DTA-in nəticələri qızma və soyuma
əyrilərində qeyd olunan bütün effektlərin dönən olduğunu göstərir. Mikroqurulușun
tədqiqində SnSe-DySe sistem ərintilərində DySe-nin 0-4 at % intervalında birfazalı, qalan
ərintilərdə isə iki fazalı olduğu așkar edilmișdir. SnSe-DySe sistem ərintilərinin
mikrobərkliyinin təyinində öç müxtəlif qiymətlər alınmıșdır: SnSe əsasında alınmıș bərk
məhlullara uyğun (500-650) MPa; DySnSe 2 mikrobərkliyinə uyğun 2150 MPa və DySe uyğun
gələn 2600 MPa.оров на основе SnSe, значения микротвердости для DySnSe 2 -2150 МПа
и для DySe-2600 МПа. DTA və MQA –dən alınan nəticələri təsdiq etmək üçün sistem
ərintilərinin RQA də aparılmıșdır. RQA-nin nəticələri tədqiq olunan kəsikdə SnSe və DySenin
1:1 nisbətində DySnSe 2 tərkibli üçlü birləșmənin alındığını göstərir. DTA, MSA və RQAnin,
mikrobərkliyin və sıxlığın qiymətlərinə əsasən SnSe-DySe sisteminin hal diaqramı
qurulmușdur (Șəkil 1).
Sistemin 855 o C-də inkonqurient əriyən DySnSe 2 birləșməsi əmələ gətirən, evtektik
tipli kvazibinar olduğu müəyyənləșdirilmișdir. DySnSe 2 birləșməsi ovuntularının rentgenoqrammalarının
təhlili bu birləșmənin Sb 2 S 3 tipli (fəza qrupu Pbnm-D 16 2h ) rombik sinqoniyada
kristallașdığı așkar edilmiș və elementar qəfəs parametrləri hesablanmıșdır: а= 5,74; b=
10,49; с= 11,66 Å, Z=7, V=702 Å 3 , sıxlıq ρ pik. =7,02 q/sm 3 , ρ rеnt. =7,26 q/sm 3 .
lg σ, Om -1·cm -1 340 380 420 460 500 540 580 620 660
-1,2
-1,3
- 1,4
-1,5
- 1,6
- 1,7
-1,8
-1,9
α, мкВ/К
160
140
120
100
80
60
40
20
1,3 1,5 1,7 1,9 2,1 2,3 2,5 2,7 2,9 3,1 3,3 3,5 10 3 /T,K
Șəkil 2. DySnSe 2 birləșməsinin elektrikkeçiriciliyinin
temperatur asılılığı
700 T, K
Șəkil 3. DySnSe 2 birləșməsinin termo e.h.q.-nin
temperatur asılılığı
DySnSe 2 üçlü birləșməsini xüsusi elektrikkeçiriciliyi və termo-e.h.q.-sinin temperatur
asılılıqlar șəkil 2 və 3-də təsvir edilmișdir. Səkil 2-dən göründüyü kimi temperatur 450 K
qədər artdıqda xüsusi elektrikkeçiriciliyidə artır. Kiçik temperatur intervalında (450-530 K)
temperaturun artımı ilə keçiriçilik azalaraq metallik xarakter göstərir. Temperaturun sonrakı
artımında isə termik ionlașma nəticəsində yükdașıyıcıların konsentrasiyasının artması
hesabına elektrikkeçiriciliyi yenidən artır.
Temperaturun məxsusi keçiricilik oblastına kimi artımında DySnSe 2 birləșməsində
termo-e.h.q.si də artır. 540-660 K temperatur intervalında isə temperaturun artımı ilə termoe.h.q.si
130 mkV/K-dən 60 vkV/K kimi azalır. Xüsusi elektrikkeçiriciliyi və termo-e.h.q.-nin
temperatur asılılıqları mürəkkəb zona qurulușlı așqar yarımkeçiricilər üçün xarakterikdir.
ƏDƏBİYYAT