I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />
⎛ m<br />
⎜<br />
⎝<br />
0<br />
*<br />
m e<br />
⎞<br />
⎟ =<br />
⎠<br />
⎡2.32<br />
⎢<br />
⎢<br />
0<br />
⎢⎣<br />
0<br />
0<br />
2.32<br />
0<br />
0 ⎤<br />
0<br />
⎥<br />
⎥<br />
2.95⎥⎦<br />
Тензорные компоненты обратной эффективной массы дырок<br />
⎛<br />
⎜<br />
⎝<br />
m 0<br />
*<br />
m n<br />
⎞<br />
⎟<br />
=<br />
⎠<br />
⎡2.23<br />
⎢<br />
⎢<br />
0<br />
⎢⎣<br />
0<br />
0<br />
2.23<br />
0<br />
0 ⎤<br />
0<br />
⎥ ⎥⎥ 0.32⎦<br />
Как видно, тензоры обратной эффективной массы, как электронов, так и<br />
дырок имеют диагональный вид, и поэтому изоэнергетические поверхности являются<br />
эллипсоидами вращения, что согласуется со симметрией кристалла InGaSe<br />
2<br />
.<br />
ЗАКЛЮЧЕНИЕ<br />
Рассчитана электронная структура в рамках теории функционала локальной<br />
электронной плотности методом псевдопотенциала в базисе плоских волн,<br />
определены происхождения валентной зоны и зоны проводимости и ширина<br />
запрещенной зоны InGaSe<br />
2<br />
. Вычислены реальные и мнимые части диэлектрической<br />
r r<br />
проницаемости при поляризациях e c и e<br />
r r ⊥ c в интервале энергий (0-12)еВ,<br />
эффективные массы электрона в и дырок InGaSe<br />
2<br />
ЛИТЕРАТУРА<br />
1. M. Mobarak, H. Berger, G. F. Lorusso, V. Capozzi, G. Perna, M. M.Ibrahim, G.<br />
Margaritondo The growth and characterization of GaInSe 2 single crystals // J. Phys. D: Appl.<br />
Phys., 1997. 30. p. 2509-2516.<br />
2. В. Хейне, М. Коэн, Д. Уэйр Теория псевдопотенциала // Москва, Мир. 1973. С.557.<br />
3. Bаchelet G.B., Hаmаn D.R., Shlüter V. Psevdopotensiаls thаt work: from H to Pu //<br />
Physical Review B, v. 26. 1982. N 8. pp. 4199-4228.<br />
4. Ф. М. Гашимзаде Симметрия энергетических зон в кристаллах типа TlSe // ФТТ.<br />
1960, т.12. С. 3040-3044.<br />
5. X. Gonze, J.-M. Beuken, R. Caracas, F. Detraux, M. Fuchs, G.-M. Rignanese, L.Sindic,<br />
M.Verstraete, G. Zerah, F. Jollet, M. Torrent, A. Roy, M. Mikami, Ph. Ghosez, J.-Y. Raty,<br />
D.C. First-principles computation of material properties : the ABINIT software project //<br />
Allan. Computational Materials Science 25. 478-492 (2002).<br />
КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И КОНФОРМАЦИОННЫЕ<br />
ОСОБЕННОСТИ СОЕДИНЕНИЯ C 23 H 26 O 4<br />
Т.З.Кулиева, М.М.Курбанова, А.З.Садигова, А.В.Курбанов<br />
Бакинский Государственный Университет, Институт Физических Проблем<br />
AZ 1148 г.Баку, З.Халилова, 23