I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />
ЛИТЕРАТУРА<br />
1. Магеррамов А.М., Лобанов А.М., Багиров М.А., Гилимянов Ф.Г. Влияние влаги на<br />
диэлектрические свойства при сверхвысоких частотах высоконаполненных композитов<br />
на основе полипропилена.// Пластические массы, 1993, №5, с.19-21.<br />
2. Трахтенберг Л.И., Герасимов Г.Н.. Потапов В.К. Нанокомпозиционные<br />
металлополимерные пленки, сенсоры, каталитические и электрофизические свойства.//<br />
Вестник Московского Университета, 2001,сер. 42 (5) 325-331.<br />
3. Магеррамов А.М., Нуриев М.А., Велиев И.А., Сафарова С.И. Короноэлектреты на<br />
основе композитов полипропилена, диспергированных полупроводниковым<br />
наполнителем Tl x Ce 1-x Se 2 . // Электронная обработка материалов, 2009. №2. С. 84-88.<br />
4. Годжаев Э.М., Магеррамов А.М., Османова С.С., Нуриев М.А., Аллахяров Э.А.<br />
Зарядовое состояние композиции на основе полиэтилена с полупроводниковым<br />
наполнителем TlInSe<br />
2<br />
.// Электронная обрабртка материалов. Академия Республики<br />
Молдова. Институт Прикладной Физики №2, 2007 с. 84-88<br />
5.Миронов В. Основы сканирующий зондовой микроскопии.// Изд. «Техносфера»,<br />
Москва, 2004, с. 197-201.<br />
6.Годжаев Э.М., Магеррамов А.М., Сафарова С.И., Нуриев М.А., Рагимов Р.С.<br />
Диэлектрические свойства полимерных композитов с полупровод-никовым<br />
наполнителем TlInSe<br />
2<br />
.// Академия Наук Республики Молдова. Институт прикладной<br />
физики Электронная обработка материалов №6, 2008с.66-71<br />
7. Сажина Б.И., Электрические свойстве полимеров,// (1986) 123.<br />
8. Рамазанов М.А.,Гусейнова А.С, Мехтиева С.И., Абасов С.А. «Електрет цчцн<br />
материал» Патент И 2007 0059, 04.04.2007.<br />
ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И ОПТИЧЕСКИЕ ФУНКЦИИ СОЕДИНЕНИЯ<br />
InGaSe<br />
Э.М.Годжаев, З.А.Джахангирли, П.Ф.Алиева<br />
Азербайджанский технический университет, Баку<br />
Рассчитана зонная структура, вычислены оптические функции, эффективные<br />
массы электронов и дырок, определены происхождения образования валентной зоны и<br />
зоны проводимости, определена ширина запрещенной зоны InGaSe<br />
2<br />
.<br />
В данной работе исследован и зонный спектр, определен генезис электронных<br />
состояний и рассчитаны оптические функции кристалла InGaSe<br />
2<br />
. Расчет электронной<br />
структуры проводился в рамках теории функционала локальной электронной<br />
плотности методом псевдопотенциала в базисе плоских волн. Нелокальные<br />
псевдопотенциалы конструировались по схеме предложенной в работе [2].<br />
Экранирование ионного псевдопотенциала осуществлялось через функцию,<br />
предложенную Хаббардом и Шемом [3]. В разложении волновой функции электронов<br />
использовались около 3800 плоских волн. Расчет проводился в симметричных точках Г,<br />
Т, N, Р а также по линиям, соединяющим эти точки.<br />
Параметры решетки определялись путем минимизации полной энергии, а<br />
параметры структуры оптимизировались с помощью сил Гельмана-Фейнмана. Процесс<br />
2
Change language