Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı а) б) Рис.2 Объемные АСМ-изображение поверхности:а) 3 об. % TlInSe 2 ; б)5 об. % TlInSe 2 а) б) Рис.3. Гистограмма поверхности: а) 3 об. % TlInSe 2 ; б)5 об. % TlInSe 2 а) б) Рис.4. Спектр Фурье поверхности: а) 3 об. % TlInSe 2 ; б)5 об. % TlInSe 2 ;
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı ЛИТЕРАТУРА 1. Магеррамов А.М., Лобанов А.М., Багиров М.А., Гилимянов Ф.Г. Влияние влаги на диэлектрические свойства при сверхвысоких частотах высоконаполненных композитов на основе полипропилена.// Пластические массы, 1993, №5, с.19-21. 2. Трахтенберг Л.И., Герасимов Г.Н.. Потапов В.К. Нанокомпозиционные металлополимерные пленки, сенсоры, каталитические и электрофизические свойства.// Вестник Московского Университета, 2001,сер. 42 (5) 325-331. 3. Магеррамов А.М., Нуриев М.А., Велиев И.А., Сафарова С.И. Короноэлектреты на основе композитов полипропилена, диспергированных полупроводниковым наполнителем Tl x Ce 1-x Se 2 . // Электронная обработка материалов, 2009. №2. С. 84-88. 4. Годжаев Э.М., Магеррамов А.М., Османова С.С., Нуриев М.А., Аллахяров Э.А. Зарядовое состояние композиции на основе полиэтилена с полупроводниковым наполнителем TlInSe 2 .// Электронная обрабртка материалов. Академия Республики Молдова. Институт Прикладной Физики №2, 2007 с. 84-88 5.Миронов В. Основы сканирующий зондовой микроскопии.// Изд. «Техносфера», Москва, 2004, с. 197-201. 6.Годжаев Э.М., Магеррамов А.М., Сафарова С.И., Нуриев М.А., Рагимов Р.С. Диэлектрические свойства полимерных композитов с полупровод-никовым наполнителем TlInSe 2 .// Академия Наук Республики Молдова. Институт прикладной физики Электронная обработка материалов №6, 2008с.66-71 7. Сажина Б.И., Электрические свойстве полимеров,// (1986) 123. 8. Рамазанов М.А.,Гусейнова А.С, Мехтиева С.И., Абасов С.А. «Електрет цчцн материал» Патент И 2007 0059, 04.04.2007. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И ОПТИЧЕСКИЕ ФУНКЦИИ СОЕДИНЕНИЯ InGaSe Э.М.Годжаев, З.А.Джахангирли, П.Ф.Алиева Азербайджанский технический университет, Баку Рассчитана зонная структура, вычислены оптические функции, эффективные массы электронов и дырок, определены происхождения образования валентной зоны и зоны проводимости, определена ширина запрещенной зоны InGaSe 2 . В данной работе исследован и зонный спектр, определен генезис электронных состояний и рассчитаны оптические функции кристалла InGaSe 2 . Расчет электронной структуры проводился в рамках теории функционала локальной электронной плотности методом псевдопотенциала в базисе плоских волн. Нелокальные псевдопотенциалы конструировались по схеме предложенной в работе [2]. Экранирование ионного псевдопотенциала осуществлялось через функцию, предложенную Хаббардом и Шемом [3]. В разложении волновой функции электронов использовались около 3800 плоских волн. Расчет проводился в симметричных точках Г, Т, N, Р а также по линиям, соединяющим эти точки. Параметры решетки определялись путем минимизации полной энергии, а параметры структуры оптимизировались с помощью сил Гельмана-Фейнмана. Процесс 2