I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı
Температурные зависимости тока короткого и замыкания холостого хода при
освещенности 5000 лк представлены на рис.2. Напряжение холостого хода возрастает
с убыванием температуры и достигает 0,38 В при температуре 80 К. Температурный
коэффициент изменения U Х.Х равен (1,1÷1,2) х 10 -3 B . Ток короткого замыкания
град
слабо изменяется с температурой и достигает максимального значения при температуре
15 0 С.
Iф, отн.ед.
1,0
0,5
0
К⋅10 -4 , см -1
2,0
0,5
• • °
I
° °° • °
• °
ф • •
0,5
°
•
• 1
•
2
°
•
• °
•
° °
•
•
λ, мкм °
0
° °
λ, мкм °
0,7 0, 1,1 1,3
0,5 0,7 0, 1,1 1,3
° °
К
° °° °
°
1,0
° ° °
° °
Рис.3 Спектральная зависимость Рис4. Спектральное распределение
фоточувствительности гетероперехода
при 300К
300 (1) и 80К (2)
фотоответа гетероперехода при
Спектральное распределение фотоответа гетероперехода, исследованно в
режиме тока короткого замыкания (рис.3) показывает, что область спектральной
чувствительности при 300 К расположена в интервале 0,5-1,34 мкм.
Из спектралных характеристик следует, что вклад в фотопроводимость вносят
оба материала: GaSe и Gа 2 Sе 3 (к-кривая поглощения слоя Gа 2 Sе 3 )Максимум фотоответа
при 300К соответсвует длине волны 0,79 мкм и находится ближе к области
собственного поглащения слоя. С повышением температуры фотоответ в длинноволновой
области убывает кривая спектрального распределения фоточувствительности
сдвигается в коротковолновую область спектра (рис4).
Вычисленный температурный коэффициент сдвига коротковолнового края кривой
эВ
спектрального распределения фоточувствительности оказался равным ~5,3·10 - 4 град ,
1,0
I ф , отн.ед.
° ° ° ° °
длинноволного ~1,2·10 -4 эВ .Эти результаты близкил к температурным коэффициентам
изменения ширины запрещенной зоны Gа 2 Sе 3 (5,6·10 - 4 град ) (2)
град
эВ
и
эВ
GaSe(1,3·10 –4 град
).Из рис.4 видно, что при температуре 80 К более существенный
вклад в фотоответ вносит селенид галлия.
Таким образом, исследование температурной зависимости ВАХ гетероперехода
GaSe-Gа 2 Sе 3 при освещении подверждает вывод о преобладании тунельногорекомбинационного
механизма токопереноса. Изучение интегральных характеристик
гетеропереходов при различных толщинах широкозонного материала показало, что