I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />
Температурные зависимости тока короткого и замыкания холостого хода при<br />
освещенности 5000 лк представлены на рис.2. Напряжение холостого хода возрастает<br />
с убыванием температуры и достигает 0,38 В при температуре 80 К. Температурный<br />
коэффициент изменения U Х.Х равен (1,1÷1,2) х 10 -3 B . Ток короткого замыкания<br />
град<br />
слабо изменяется с температурой и достигает максимального значения при температуре<br />
15 0 С.<br />
Iф, отн.ед.<br />
1,0<br />
0,5<br />
0<br />
К⋅10 -4 , см -1<br />
2,0<br />
0,5<br />
• • °<br />
I<br />
° °° • °<br />
• °<br />
ф • •<br />
0,5<br />
°<br />
•<br />
• 1<br />
•<br />
2<br />
°<br />
•<br />
• °<br />
•<br />
° °<br />
•<br />
•<br />
λ, мкм °<br />
0<br />
° °<br />
λ, мкм °<br />
0,7 0, 1,1 1,3<br />
0,5 0,7 0, 1,1 1,3<br />
° °<br />
К<br />
° °° °<br />
°<br />
1,0<br />
° ° °<br />
° °<br />
Рис.3 Спектральная зависимость Рис4. Спектральное распределение<br />
фоточувствительности гетероперехода<br />
при 300К<br />
300 (1) и 80К (2)<br />
фотоответа гетероперехода при<br />
Спектральное распределение фотоответа гетероперехода, исследованно в<br />
режиме тока короткого замыкания (рис.3) показывает, что область спектральной<br />
чувствительности при 300 К расположена в интервале 0,5-1,34 мкм.<br />
Из спектралных характеристик следует, что вклад в фотопроводимость вносят<br />
оба материала: GaSe и Gа 2 Sе 3 (к-кривая поглощения слоя Gа 2 Sе 3 )Максимум фотоответа<br />
при 300К соответсвует длине волны 0,79 мкм и находится ближе к области<br />
собственного поглащения слоя. С повышением температуры фотоответ в длинноволновой<br />
области убывает кривая спектрального распределения фоточувствительности<br />
сдвигается в коротковолновую область спектра (рис4).<br />
Вычисленный температурный коэффициент сдвига коротковолнового края кривой<br />
эВ<br />
спектрального распределения фоточувствительности оказался равным ~5,3·10 - 4 град ,<br />
1,0<br />
I ф , отн.ед.<br />
° ° ° ° °<br />
длинноволного ~1,2·10 -4 эВ .Эти результаты близкил к температурным коэффициентам<br />
изменения ширины запрещенной зоны Gа 2 Sе 3 (5,6·10 - 4 град ) (2)<br />
град<br />
эВ<br />
и<br />
эВ<br />
GaSe(1,3·10 –4 град<br />
).Из рис.4 видно, что при температуре 80 К более существенный<br />
вклад в фотоответ вносит селенид галлия.<br />
Таким образом, исследование температурной зависимости ВАХ гетероперехода<br />
GaSe-Gа 2 Sе 3 при освещении подверждает вывод о преобладании тунельногорекомбинационного<br />
механизма токопереноса. Изучение интегральных характеристик<br />
гетеропереходов при различных толщинах широкозонного материала показало, что