I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı
высокоомных включений (ВО) в низкоомной матрице (НО). Дело в том, что в таком
полупроводниковом образце носители тока для участия в проводимости должны
обладать энергией, необходимой для преодоления дрейфовых барьеров (∆ε d ). При этом,
в темноте же при низких температурах концентрация носителей тока незначительна, а
подвижность их (µ) отличается от истинной (дрейфовой) подвижности (µ d ). Поэтому
дрейфовые барьеры играют доминирующую роль в сопротивлении образца, т.е. чем
больше размеры и количество дрейфовых барьеров, тем больше будет и ρ
TO
.
При освещении в зависимости от температуры, а также длины волны и
интенсивности света концентрация носителей тока и размеры дрейфовых барьеров
будет меняться по-разному. В частности, под действием собственного света вследствие
роста концентрации носителей тока будут уменьшаться размеры дрейфовых барьеров,
что, в свою очередь будет приводить к соответствующему росту подвижности
носителей тока. После прекращения воздействия света, часть созданных фотоносителей
быстро рекомбинируется, а в зависимости от температуры, величины исходного
темнового удельного сопротивления образца и интенсивности света, остальная часть их
рекомбинируется значительно медленно. Вследствие чего, после прекращения
воздействия света исходное состояние флуктуации потенциала и размеры дрейфовых
барьеров также восстанавливаются медленно, и наблюдается подвижностная память.
При этом остаточная подвижность ∆µ=(µ n -µ 0 )>0, а величина ее зависит как от ρ
TO
, так
и от Т и Ф. Это обусловлено тем, что размеры рекомбинационных барьеров в образцах
с большим ρ велики, а с повышением Т и Ф – уменьшаются. Это предположение
TO
подтверждается полученными экспериментальными зависимостями ∆ µ ( ρ TO
) , ∆ µ(Т ) и
∆ µ(Ф) .
Таким образом, можно сказать, что в чистых высокоомных и слаболегированных
РЗЭ кристаллах моноселенида индия при низких температурах наблюдается
подвижностный фотоэлектрический эффект, т.е. изменение проводимости за счет
зависимости подвижности воздействия света. Можно предполагать, что увеличение
подвижности носителей тока при воздействии собственного света обусловлено
оптическим сглаживанием флуктуации потенциала свободных энергетических зон.
Уменьшение подвижности носителей тока при воздействии примесного света,
обусловлено уменьшением концентрации носителей тока в свободных энергетических
зонах вследствие замены рекомбинационного канала через медленных на быстрые
центры рекомбинации.
ЛИТЕРАТУРA
1. А.Ш.Абдинов, А.Г.Кязым-заде, А.А.Ахмедов. К вопросу остаточной
фотопроводимости в монокристаллах InSe и GaSe. Изв.АН Аз.ССР сер.ФТ и мн.
1977, № 2, с.72-76
2. А.Ш.Абдинов, А.Г.Кязым-заде, А.А.Ахмедов. Изв. АН Аз. ССР. Сер. физ.-техн. и
мат. н, № 2, 72 (1977).
3. А.Ш.Абдинов, А.Г.Кязым-заде. ФТП, 9, № 10, 1970 (1975).
4. А.Ш.Абдинов, Р.Ф.Бабаева. Долговременная изотермическая релаксация темнового
электросопротивления монокристаллов селенида индия, легированного диспрозием.
Ж. «Неорганические материалы». 1995. Т.31. №8. С. 1020-1022.
5. Р.Ф.Мехтиев, Г.Б.Абдуллаев, Г.А.Ахундов. Методика выращивания монокристаллов
GaSe и исследование их некоторых свойств // ДАН Аз. ССР, 1962, Т.
18, В. 6, с. 11-17.