I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />
ПОДВИЖНОСТЬНЫЙ ФОТОЭФФЕКТ В КРИСТАЛЛАХ InSe<br />
А.Ш.Абдинов, Р.Ф.Бабаева ∗ , С.И.Амирова, Н.А.Рагимова, Р.М.Рзаев<br />
Бакинский Государственный Университет,<br />
*Азербайджанский Государственный Экономический Университет<br />
rovnaq.rzayev@mail.ru<br />
В работе исследовано влияние света на подвижность носителей тока в кристаллах n-<br />
InSe. обнаружен подвижностный фотоэффект и выяснен его физический механизм.<br />
В ранних работах [1-3] сказано о возможности объяснения электрических и<br />
фотоэлектрических свойств кристаллов моноселенида индия (InSe) на основе<br />
частичной неупорядоченности этого материала, согласно которой образцы этого<br />
материала в целом состоят из низкоомной матрицы (НО) с хаотическими<br />
высокоомными включениями (ВО). Предполагается, что на границах НО-ВО<br />
существуют рекомбинационные (РБ), а между соседними ВО включениями –<br />
дрейфовые барьеры (ДБ). Роль дрейфовых барьеров в электронных свойствах и<br />
влияние их на величины отдельных физических параметров в этом полупроводнике не<br />
выяснена на нужном уровне.<br />
В данной работе с целью выявления роли дрейфовых барьеров в<br />
фотоэлектрических свойствах кристаллов моноселенида индия экспериментально<br />
исследовано влияние света на подвижность носителей тока в этом материале при<br />
различных внешних условиях.<br />
Исследуемые образцы скалывались из выращенных методом медленного<br />
охлаждения при постоянном градиенте температуры вдоль слитка [4] n-типа<br />
моноселенида индия.<br />
Измерения проводились при помощи экспериментальной установки, собранной на<br />
базе монохроматора МДР-12 и электромагнита с управляемой индукцией в пределах<br />
практически от нуля до 6 кэрстед. Световой пучок и магнитное поле были направлены<br />
перпендикулярно, а ток через образец параллельно слоям. Температура образца менялась<br />
в пределах 77÷400К, т.к. при Т≥450К начиналась собственная проводимость.<br />
Применяемая установука позволяла провести фотоэлектрические измерение в пределах<br />
длины волны 0.2÷4.0 мкм, при интенсивностях Ф≤10 2 Лк.<br />
Подвижность и концентрации носителей тока, а также удельное сопротивление<br />
(удельная проводимость) образцов при различных условиях (в темноте и при<br />
воздействия света) измерялись на основе традиционного комбинированного<br />
трехзондового метода, позволяющего измерять постоянную Холла (концентрацию<br />
носителей тока) и удельную электропроводимость (удельное сопротивление) образцов<br />
[5].<br />
В результате проведенных измерений установлено, что при 300 К значение<br />
ρ ) изучаемых образцов n-InSe меняется в<br />
удельного темнового сопротивления (<br />
T<br />
пределах 10÷10 2 Ом·см и значительно меньше по сравнению с имеющимся место при 77<br />
К, которая cоставляет ~10 3 ÷10 8 Ом·см для различных образцов в зависимости от их<br />
происхождения и предыстории. Однако концентрация носителей тока (n) в<br />
рассмотренном диапазоне (77÷300 К) незначительно меняется с температурой. Для<br />
различных образцов величина n составляет ~5·10 12 ÷10 13 см -3 и ~5·10 13 ÷ 10 14 см -3 при 77К<br />
и 300К, соответственно. Эти результаты свидетельствуют о том, что резкий рост<br />
удельного темнового сопротивления при понижении температуры от 300К до 77К,<br />
прежде всего, обусловлен сильным уменьшением подвижности носителей тока (µ)<br />
, а
Change language