I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - BakÄ± DÃ¶vlÉt Universiteti

More documents

Recommendations

Info

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı ДВУХЛУЧЕВОЙ МЕТОД ИССЛЕДОВАНИЯ НЕЛИНЕЙНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ GaSe 1 А.Г. Кязым-заде, 1 В.М. Салманов, 2 А.А. Салманова, 1 И.М. Алиев 1 Бакинский Государственный Университет, 2 Азербайджанская Государственная Нефтяная Академия e-mail: vagif_salmanov @yahoo.com Экспериментально исследовано нелинейное поглощение света в области экситонного резонанса в слоистых кристаллах GaSe. Наблюдаемая временная зависимость коэффициента поглощения и его зависимость от интенсивности возбуждения определяются экситон - экситонным взаимодействием и экранированием экситонов плазмой неравновесных носителей, генерированных лазерным излучением. Монокристаллы селенида галлия, как и весь класс слоистых кристаллов А 3 В 6 , характеризуются сильно выраженной структурной анизотропией. Oсновным и наиболее интересным свойством их структуры, является чередование пакетов атомных плоскостей (слоев), связанных между собой слабыми силами типа Ван-дер-Ваальса, в то время как силы связи внутри слоев имеют ионно-ковалентный характер. Вариация параметров GaSe с использованием относительно простых технологий, таких как термическое и лазерное напыления, окисление, дают возможность создавать поверхностно-барьерные диоды, р-n – гомо- и гетеропереходы с широким спектром параметров и характеристик для целей опто-, фото- и квантовой электроники [1-3]. В настоящей работе исследованы спектры нелинейного поглощения света в монокристаллах GaSe методом двух источников излучения. В нем используется один высокоинтенсивный пучок, вторая гармоника YAG:Nd +3 лазера с энергией кванта излучения h ω1 =2,34эВ и второй - зондирующий, импульсный жидкостной лазер (Rodamin 6G), с широким спектром излучения (594-643нм), из которого выделяется узкий монохроматический пучок света с переменной энергией кванта h ω2 . На рис.1 представлен спектр поглощения GaSe при различных интенсивностях возбуждения. Как видно из рисунка, в области экситонного резонанса (~620нм) наблюдается нелинейное поглощение и происходит просветление образца при высоких уровнях возбуждения (между импульсом накачки и зондирующим импульсом нулевая временная задержка). Наблюдаемое просветление насыщается при интенсивности падающего света ~8 МВт/см 2 (рис. 2). Уменьшение величины экситонного поглощения может быть объяснено процессом экранирования (переходом Мотта) для системы экситонов высокой плотности n Mott = π 1.416 ( 4a ⋅ µ 3 B me + mh где a = 2 / e 2 B εh µ − боровский радиус экситона, µ -приведенная эффективная масса электрона и дырки. . На основании формулы (1) была вычислена концентрация (n Mott ) для GaSe, 17 −3 которая оказалась равной 2,5 × 10 см . Эксперименты показывают, что в GaSe плотность пар, генерированных лазерным светом, достигает величины ∼4,5·10 19 см -3 , что значительно превышает плотность, необходимую для моттовского перехода в GaSe. 3 ) (1)
Page 1: Fizikanın müasir problemləri VI
Page 5 and 6: Fizikanın müasir problemləri VI
Page 53 and 54:
Fizikanın müasir problemləri VI
Page 55 and 56:
Page 57 and 58:
Page 59 and 60:
Page 61 and 62:
Page 63 and 64:
Page 65 and 66:
Page 67 and 68:
Page 69 and 70:
Page 71 and 72:
Page 73 and 74:
Page 75 and 76:
Page 77 and 78:
Page 79 and 80:
Page 81 and 82:
Page 83 and 84:
Page 85 and 86:
show all

I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - BakÄ± DÃ¶vlÉt Universiteti

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?

I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - BakÄ± DÃ¶vlÉt Universiteti