I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı
2. Foell H., Ho P.S. Transmission electron microscopy investigation of silicide formation
on slightly oxidized silicon substrates //J. Appl. Phys. -1981 –Vol. 52, N 9 –P. 5510-
5516.
3. Пашаев И.Г Влияние различных оброботок на свойства диодов Шоттки..
Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, вып. 8 pp,1108-1110
4. I.G. Pashaev //ElektronysikalL Properties of SCHOTTKYdiodes made on the basis of
silikon wtth amorphous and polycrystaline metal alloy at Low direct voltage
International Journal on “Technical and Physical Problems of Engineering” (IJTPE),
Iss. 10, Vol. 4, No. 1, 2012 pp. 41-44.
5. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС –М.: Мир, 1986, -С. 176.
НАНОФРАГМЕНТЫ МЕЖДУ КВИНТЕТАМИ В A V 2B VI 3
Ф.К. Алескеров, С.Ш Кахраманов, С.Б Багиров, С.А Насибова
Научно-Производственное Объединение «Селен» НАНА
aleskerov@physics.ab.az, samir.gahramanov@gmail.com, sarhad@physics.az.az,
seyyare.nabiyeva@mail.ru
Показано, что в результате диффузионного интеркалирования в процессе
роста кристаллов А V 2B VI 3 можно совместить методы вертикальной направленной
кристаллизации с дополнительной миграцией атомов (Cu, Ni, Zu, In, Se,) в межслои.
По-всей видимости, релаксация напряжений между квинтетами происходит
посредством пластической деформации с массопереносом и возникновением винтовых
дислокаций, что влияет на характер складчато-гофрированных субмикроструктур и
плотность распределения наноостровков.
Упругие напряжения, возникающие между квинтетами в А V 2 B VI 3 важны для
выяснения механизма формирования межслоевых нанофрагментов. К настоящему
времени, несмотря на большое число работ, посвященных механизму роста и состава
островков, а также упругих напряжений в них многие вопросы остаются открытыми.
Большой интерес к процессам самоорганизация наноостровков на поверхности в
упруго напряженных системах связан с перемещением дислокаций и выходом их на
поверхность и с возможностью получения нанообъектов в межслоях.
Целью работы является выявление морфологических особенностей
самоорганизации межслоевых нанообъектов, связанных с их деформацией в процессе
роста слоистых кристаллов А V 2 B VI 3 .
Рассмотрены деформационные процессы, происходящие между квинтетами А V 2
B VI 3. Сдвиг в них происходит по винтовой поверхности. Величина единичного
смещения между слоями Т (1) е-Те (1) это вектор Бюргерса , который отражает как
абсолютную величину сдвига так и его направление по плоскости (0001). Для слоистых
кристаллов типа Sb 2 Te 3 (Bi 2 Te 3 ) вектор b находится на плоскости (0001). Межслоевое
пространство –это области высокой дислокационной плотности; в этой области
концентрируются различные примеси образующие нанофрагменты.
Путем самоорганизации на межслоевой поверхности (0001) сформировались
упорядоченные наноостровки (см. рисунок). Рост этих нанообъектов можно считать
проявлением механизма множества дислокационных холмиков-наноостровков. На
изображениях снятых на атомно-силовом микроскопе (АСМ) поверхности (0001)