I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />
кремний формируется вглубь от поверхности кремния, она однородна, не содержит<br />
загрязнений<br />
В связи с возможностью создания простых и стабильных в физико-технологическом<br />
отношении приёмников ИК –излучения в диапазоне 3-5мкм значительно возрос<br />
интерес к структурам типа силицид металла –кремний. Диоды с барьером Шотки<br />
(ДБШ), изготовленные на их основе отличаются высокой однородностью<br />
чувствительности по элементам, а также возможностью использования отработанной<br />
промышленной технологии производства ИС и применимости в качестве исходного<br />
материала стандартного монокристаллического кремния. Однако многочисленные<br />
технологические операции в ходе изготовления этих многослойных структур<br />
существенно влияют на их качество, понижая их квантовую эффективность, а также<br />
воспроизводимость характеристик. Была разработана оптимальная упрощённая<br />
технология, позволяющая повысить качество и надежность ДБШ на основе силицида<br />
палладия. Для изготовления образцов в качества подложек были использованы p и n -<br />
типы Si с ориентациями (100) и (111) с ρ = 0 ,7 ÷ 10 Ом·см, на которых после<br />
стандартной химической обработки выращивался SiO 2 толщиной 0 ,3 ÷ 0, 4 мкм. В<br />
окиси открывались окна фотолитографическим способом, после чего вакуумным<br />
напылением наносился слой палладия толщиной 80 ÷ 400 A . Для образования Pd 2 Si<br />
o<br />
образцы подвергались термообработке в смеси газов при T = 200 C в течение<br />
10 ÷ 60 мин. Толщина Pd 2 Si измерялась как оптическим методом, так и в поперечном<br />
сколе пластин с полосками силицида растровым электронным микроскопом. В качестве<br />
диффузионного барьера был использован NiTi толщиной 0,<br />
21мкм, для металлизаций<br />
применён Al , которые наносились в едином технологическом цикле. Были<br />
исследованы электрические свойства ДШ, изготовленных на основе силицидов Pt и<br />
Pd с/без диффузионного барьера из сплава NiTi и с Al разводкой. Дело в том, что<br />
контакт может быть неустойчивым после неизбежной в технологическом процессе<br />
термообработки, которая может привести к взаимодействию Al , широко<br />
применяемого в технологии СБИС, с силицидом металла[5]. Для предотвращения<br />
подобных процессов и применяются диффузионные барьеры из тугоплавких металлов.<br />
По прямым и обратным ветвям ВАХ определены основные параметры ДШ: высота<br />
барьера Φ В , коэффициент неидеальности n , и построены их зависимости от размеров<br />
контактов (14 прямоугольных ДШ с площадями от 100 до 1400мкм 2 ). Для<br />
Al − NiTi−<br />
PtSi/ n − Si ДШ ( T отж<br />
= 883K<br />
)<br />
Φ В<br />
= 0 ,75 ÷ 0,79 эВ, n =1 ,03÷<br />
1, 15. Для Al− NiTi−<br />
Pd2 Si/<br />
n−Si<br />
ДШ ( T отж<br />
= 723K<br />
)<br />
Φ В<br />
= 0 ,66 ÷ 0,69 эВ, n = 1 ,2 ÷ 1, 3 . Для Al − Pd2 Si / n − Si ДШ ( T отж<br />
= 723K<br />
)<br />
Φ В<br />
= 0 ,69 ÷ 0,71эВ, n =1 ,06 ÷ 1, 16 . ДШ на основе Al 2 Si ( T отж<br />
= 673K<br />
) имеет сильный<br />
разброс параметров, что объясняется структурным несовершенством ГР. Обнаружено,<br />
что введение диффузионного барьера между Pd 2 Si и Al оказывается лишним<br />
технологическим этапом, приводящим к ухудшению диодных характеристик.<br />
Установлено, что с уменьшением площади контактов влияние периферии на приборные<br />
характеристики растёт.<br />
ЛИТЕРАТУРА<br />
1. Hirosht Ishiwara. Characterization of epitaxial metal silicide films grown on Si<br />
//Surface Set. -1979 –Vol. 86 –P. 711-717.
Change language