21.01.2015 Views

I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />

elektron təbəqələri tamamlanmıș, tripeptidin C sonuna COO və N sonuna NH 2 qrupları<br />

fizioloji mühitdəkı șəraitə uyğun olaraq əlavə edilmișdir. Belə model birdeterminantlı<br />

yanașmaya və Hartre-Fok-Rutan tənliklərinə əsaslanan kvant-kimyəvi hesablama<br />

metodlarından istifadə etməyə imkan verir. Tripeptidlərin nanohissəciklərlə valent<br />

komplekslərinin sistein amin turșu qalığının yan zəncirinə aid S atomu ilə nanohissəciklərin<br />

tərkibinə daxil olan Cd atomlarının –S-Cd-S- șəklində ortaq kimyəvi rabitələrdə iștirakı<br />

hesabına meydana çıxdığı qəbul edilmișdir. Bağlayıcı qrupa aid atomların elektron<br />

qurulușlarında meydana çıxan dəyișiklikləri və qrupun həndəsi qurulușunu tədqiq etmək üçün<br />

tripeptid-Cd n S n-1 -tripeptid (n=1,2,3,4,5) komplekslərinin həndəsi qurulușu<br />

optimallașdırılmıșdır. Kvant kimyəvi hesablamaların nətıcələrinə görə, n=1 olduqda bağlayıcı<br />

-S-Cd- kimyəvi rabitəsinin uzunluğu 2.458 , Cd atomlarının effektiv yükü 0.473e, S<br />

atomlarının effektiv yükü isə -0.215e olmüșdur. Bağlayicı qrupdakı atomların sayı artdiqca bu<br />

parametrlərin azalma meylləri müșahidə edilir.<br />

ƏDƏBİYYAT<br />

1 Chan,W.C.W. et al. (2002) Luminescent QDs for multiplexed biological detection and<br />

imaging. Curr. Opin. Biotechnol. 13, 40–46<br />

2.Takashi Jin et al.( 2008) Preparation and Characterization of Highly Fluorescent,<br />

Glutathione-coated Near Infrared Quantum Dots for in Vivo Fluorescence Imaging. Int. J.<br />

Mol. Sci. 2008, 9, 2044-2061;<br />

ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ И ДЕГРАДАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ<br />

КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ШОТКИ НА ОСНОВЕ СИЛИЦИДА ПАЛЛАДИЯ<br />

Ш.Г. Аскеров. И.Г. Пашаев, М.Г. Гасанов, М.Н. Агаев, Р.Ф. Мехтиев<br />

Бакинский Государственный Университет<br />

AZ1148 Баку, Азербайджан<br />

e-mail: islampashayev@rambler.ru<br />

Изучены электрические характеристики диодов Шоттки с многослойной<br />

металлизацией. Показано , что путем контроля за толщинами слоев Pd 2 Si, TiW,<br />

температурой и средой термообработки , высоту барьера можно увеличить от 0,47<br />

до 0,61 эв<br />

Выявлено, что контакт может быть неустойчивым после неизбежной в<br />

технологическом процессе термообработки, которое может привести к<br />

взаимодействию Al с силицидом металла. Для предотвращения подобных процессов<br />

применяется диффузионные барьеры из тугоплавких металлов.<br />

Граница раздела (ГР) металл –полупроводник с её активными свойствами<br />

является основой работы многих электронных приборов. При научно обоснованном<br />

выборе материалов и контроле за условиями формирования можно получить контакты<br />

с однородной ГР, что обеспечивает надёжную работу и стабильность параметров<br />

диодов Шотки (ДШ)[1-4]. В этом смысле наиболее перспективными являются<br />

силициды благородных металлов, поскольку поверхность раздела силицид металла –

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!