I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />
elektron təbəqələri tamamlanmıș, tripeptidin C sonuna COO və N sonuna NH 2 qrupları<br />
fizioloji mühitdəkı șəraitə uyğun olaraq əlavə edilmișdir. Belə model birdeterminantlı<br />
yanașmaya və Hartre-Fok-Rutan tənliklərinə əsaslanan kvant-kimyəvi hesablama<br />
metodlarından istifadə etməyə imkan verir. Tripeptidlərin nanohissəciklərlə valent<br />
komplekslərinin sistein amin turșu qalığının yan zəncirinə aid S atomu ilə nanohissəciklərin<br />
tərkibinə daxil olan Cd atomlarının –S-Cd-S- șəklində ortaq kimyəvi rabitələrdə iștirakı<br />
hesabına meydana çıxdığı qəbul edilmișdir. Bağlayıcı qrupa aid atomların elektron<br />
qurulușlarında meydana çıxan dəyișiklikləri və qrupun həndəsi qurulușunu tədqiq etmək üçün<br />
tripeptid-Cd n S n-1 -tripeptid (n=1,2,3,4,5) komplekslərinin həndəsi qurulușu<br />
optimallașdırılmıșdır. Kvant kimyəvi hesablamaların nətıcələrinə görə, n=1 olduqda bağlayıcı<br />
-S-Cd- kimyəvi rabitəsinin uzunluğu 2.458 , Cd atomlarının effektiv yükü 0.473e, S<br />
atomlarının effektiv yükü isə -0.215e olmüșdur. Bağlayicı qrupdakı atomların sayı artdiqca bu<br />
parametrlərin azalma meylləri müșahidə edilir.<br />
ƏDƏBİYYAT<br />
1 Chan,W.C.W. et al. (2002) Luminescent QDs for multiplexed biological detection and<br />
imaging. Curr. Opin. Biotechnol. 13, 40–46<br />
2.Takashi Jin et al.( 2008) Preparation and Characterization of Highly Fluorescent,<br />
Glutathione-coated Near Infrared Quantum Dots for in Vivo Fluorescence Imaging. Int. J.<br />
Mol. Sci. 2008, 9, 2044-2061;<br />
ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ И ДЕГРАДАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ<br />
КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ШОТКИ НА ОСНОВЕ СИЛИЦИДА ПАЛЛАДИЯ<br />
Ш.Г. Аскеров. И.Г. Пашаев, М.Г. Гасанов, М.Н. Агаев, Р.Ф. Мехтиев<br />
Бакинский Государственный Университет<br />
AZ1148 Баку, Азербайджан<br />
e-mail: islampashayev@rambler.ru<br />
Изучены электрические характеристики диодов Шоттки с многослойной<br />
металлизацией. Показано , что путем контроля за толщинами слоев Pd 2 Si, TiW,<br />
температурой и средой термообработки , высоту барьера можно увеличить от 0,47<br />
до 0,61 эв<br />
Выявлено, что контакт может быть неустойчивым после неизбежной в<br />
технологическом процессе термообработки, которое может привести к<br />
взаимодействию Al с силицидом металла. Для предотвращения подобных процессов<br />
применяется диффузионные барьеры из тугоплавких металлов.<br />
Граница раздела (ГР) металл –полупроводник с её активными свойствами<br />
является основой работы многих электронных приборов. При научно обоснованном<br />
выборе материалов и контроле за условиями формирования можно получить контакты<br />
с однородной ГР, что обеспечивает надёжную работу и стабильность параметров<br />
диодов Шотки (ДШ)[1-4]. В этом смысле наиболее перспективными являются<br />
силициды благородных металлов, поскольку поверхность раздела силицид металла –