I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı
ln( 1/
T )
α ( ω ) = , (1)
d
burada, d- nazik təbəqənin qalınlığı, T- optik buraxma əmsalıdır.
Digər tərəfdən məlumdur [5] ki, optik buraxma (və ya udma) spektrlərindən nazik
təbəqənin qadağan olunmuș zolağının eni:
n
( hν
− Eg
)
α(
ω ) = A
(2)
hν
ifadəsi əsasında hesablana bilər. Burada, A- sabit, n- funksiyanın qüvvətidir. Adətən icazə
verilən fundamental (düz) keçidlər üçün n=0,5 və çəp keçidlər üçün isə n=2; qadağan
olunmuș düz keçidlər üçün n=1,5 və çəp keçidlər üçün isə n=3 götürülür.
optik buraxma, %
100
80
60
40
20
x= 0,75; y= 0,2
x= 0,6; y= 0,2
x= 0,4; y= 0,2
x= 0,2; y= 0,2
x= 0,1; y= 0,4
x= 0,2; y= 0,9
0
200 400 600 800 1000 1200
dalga uzunlugu, nm
Șəkil 2. 350 0 C temperaturda 8 dəqiqə ərzində arqon mühitində termik ișlənmiș
Cd 1-x Zn x S 1-y Te y nazik təbəqələrinin x və y molyar tərkibindən asılı olaraq
optik buraxma spektrləri.
Șəkil 3-də müxtəlif tərkibli Cd 1-x Zn x S 1-y Te y nazik təbəqələri üçün (α⋅hν) 2 -nın fotonun hν
enerjisindən asılılıq qrafiki qurulmușdur. Șəkildən qrafiklərin hν oxuna ekstrapolyasiyası
üsulu ilə nazik təbəqələrin E g qadağan olunmuș zolağının eni hesablanmıșdır (cədvəl 2).
Șəkildən göründüyü kimi qrafiklərin demək olar ki, hamısı udma sərhədində xətti qanuna
tabedir ki, bu da nazik təbəqələrin tədqiq edilən bütün tərkiblərinin düz zolaqlı olduğunu
göstərir.
(α⋅hν) 2 , (eV⋅sm -1 ) 2
1.0E+10
9.0E+09
8.0E+09
7.0E+09
6.0E+09
5.0E+09
4.0E+09
3.0E+09
2.0E+09
1.0E+09
0.0E+00
Cd0,8Zn0.2S0,1Te0,9
Cd0,9Zn0.1S0,6Te0,4
Cd0,6Zn0.4S0,8Te0,2
Cd0,4Zn0.6S0,8Te0,2
Cd0,25Zn0.75S0,8Te0,2
1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0 3,2 3,4 3,6
hν, eV
Șəkil 3. Müxtəlif tərkibli Cd 1-x Zn x S 1-y Te y nazik təbəqələri üçün (α⋅hν) 2 ∼hν asılılıqları.