TS. Ngô VÄn Thanh, - Viá»n Váºt lý
TS. Ngô VÄn Thanh, - Viá»n Váºt lý TS. Ngô VÄn Thanh, - Viá»n Váºt lý
TS. Ngô Văn Thanh, Viện Vật lý. Chuyên ngành : Điện tử - Viễn thông , Công nghệ thông tin, Điện - Điện tử
- Page 2 and 3: Chương 10: Chất rắn và bán
- Page 4 and 5: Đối xứng tịnh tiến: ‣ Ph
- Page 6 and 7: Mạng Bravais: ‣ Tập hợp t
- Page 8 and 9: Ô đơn vị và Ô cơ sở: ‣
- Page 10 and 11: Phân loại mạng Bravais: • M
- Page 12 and 13: 10.1.2 Lý thuyết vùng năng lư
- Page 14: Sự hình thành các vùng năng
- Page 17 and 18: @2009, Ngô Văn Thanh - Viện V
- Page 19 and 20: Phép gần đúng một điện t
- Page 21 and 22: Sơ đồ vùng năng lượng ‣
- Page 23 and 24: 10.2 Chất bán dẫn 10.2.1 Sơ
- Page 25 and 26: 10.2.2 Khái niệm điện tử d
- Page 27 and 28: Mật độ trạng thái: ‣ Số
- Page 29 and 30: 10.2.4 Bán dẫn tinh khiết và
- Page 31 and 32: ‣ Tại nhiệt độ nào đó,
- Page 33 and 34: 10.2.5 Sự dẫn điện trong ch
<strong>TS</strong>. Ngô Văn <strong>Thanh</strong>,<br />
Viện Vật lý.<br />
Chuyên ngành : Điện tử - Viễn thông , Công nghệ thông tin,<br />
Điện - Điện tử
Chương 10: Chất rắn và bán dẫn<br />
10.1 Chất rắn<br />
10.1.1 Cấu trúc mạng tinh thể của vật rắn<br />
10.1.2 Lý thuyết vùng năng lượng trong chất rắn<br />
10.2 Chất bán dẫn<br />
10.2.1 Sơ đồ vùng năng lượng trong chất bán dẫn<br />
10.2.2 Khái niệm điện tử dẫn và lỗ trống<br />
10.2.3 Hàm phân bố Fermi-Dirac<br />
10.2.4 Bán dẫn tinh khiết và bán dẫn pha<br />
10.2.5 Sự dẫn điện trong chất bán dẫn<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
10.1 Chất rắn<br />
10.1.1 Cấu trúc mạng tinh thể của vật rắn.<br />
Tinh thể:<br />
‣ Các nguyên tử hoặc phân tử được sắp xếp theo<br />
một trật tự nhất định.<br />
‣ Đơn tinh thể - tinh thể hoàn hảo: Các nguyên tử<br />
hay phân tử sắp xếp theo một trật tự tuyệt đối<br />
trong toàn bộ tinh thể.<br />
‣ Vật liệu đa tinh thể: bao gồm nhiều hạt đơn<br />
tinh thể ghép lại với nhau.<br />
‣ Tính chất đặc trưng của trạng thái tinh thể:<br />
• Cấu trúc tinh thể có tính tuần hoàn theo chu kỳ<br />
trong không gian.<br />
• Tính chất đối xứng tịnh tiến - tuần hoàn tịnh tiến.<br />
• Đối xứng tịnh tiến mang tính quyết định<br />
mọi tính chất vật lý của tinh thể.<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
Đối xứng tịnh tiến:<br />
‣ Phép tịnh tiến: xét điểm có tọa độ là<br />
‣ Tinh thể có tính đối xứng tịnh tiến sẽ bất biến đối với phép tịnh tiến.<br />
• Nguyên tử dịch chuyển đến vị trí của một nguyên tử cùng loại.<br />
• Tinh thể sau khi dịch chuyển sẽ trùng khít lên chính nó.<br />
‣ Xét trong không gian 3 chiều theo hệ tọa độ Descartes :<br />
• Vector tịnh tiến<br />
với<br />
là các số nguyên không âm.<br />
là các vector không cùng trong một mặt phẳng trên hướng<br />
, chúng được gọi là các vector cơ sở.<br />
• Vector bất biến đối với phép tịnh tiến<br />
• Có nhiều cách chọn hệ các vector cơ sở .<br />
• Ô cơ sở: hình hộp tạo bởi 3 vector cơ sở.<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
Cách chọn hệ các vector cơ sở<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
Mạng Bravais:<br />
‣ Tập hợp tất cả các điểm có bán kính vector tạo thành một mạng không<br />
gian gọi là mạng Bravais.<br />
‣ Mỗi một điểm trong mạng gọi là nút mạng.<br />
Nền tinh thể: Cấu hình nguyên tử tương ứng với mỗi nút mạng Bravais.<br />
‣ Số loại nguyên tử trong tinh thể.<br />
‣ Vị trí tương đối giữa các nguyên tử.<br />
(a) Nền: (b) Nền: (c) Mạng Bravais<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
Nhận xét:<br />
‣ Mạng Bravais chỉ mô tả được tính chất tuần hoàn tịnh tiến của mạng tinh thể.<br />
‣ Mạng Bravais không phải là mạng tinh thể thực.<br />
‣ Mạng tinh thể thực: được mô tả bởi mạng Bravais kèm theo nền của nó.<br />
Mạng Bravais<br />
Nền tinh thể<br />
Cấu trúc tinh thể<br />
‣ Nút mạng Bravais không nhất thiết phải trùng với các nút mạng tinh thể thực.<br />
‣ Mỗi một loại nguyên tử tạo nên một mạng Bravais riêng cho nó.<br />
‣ Mạng tinh thể có thể có một hoặc nhiều mạng Bravais giống hệt nhau lồng<br />
vào nhau.<br />
• Tinh thể đơn giản: chỉ có một mạng Bravais.<br />
• Tinh thể phức tạp: có nhiều mạng Bravais lồng vào nhau.<br />
‣ Thông thường, vị trí của các nguyên tử thường được xem là nằm ở ngay các<br />
nút mạng Bravais.<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
Ô đơn vị và Ô cơ sở:<br />
‣ Ô đơn vị: Một đơn vị thể tích nào đó trong mạng tinh thể mà nếu như ta tịnh<br />
tiến đơn vị thể tích đó thì ta sẽ thu được toàn bộ mạng tinh thể.<br />
‣ Ô cơ sở: là ô đơn vị có thể tích bé nhất.<br />
‣ Cách chọn ô cơ sở: Thường được chọn bởi hình hộp tạo bởi 3 vector cơ sở<br />
theo 3 hướng thích hợp<br />
• Nếu các vector cơ sở theo 3 hướng không thích hợp thì sẽ tạo nên ô đơn vị<br />
• Có nhiều cách chọn ô cơ sở ứng với bộ các vector cơ sở khác nhau, tuy<br />
nhiên thể tích của chúng phải là bé nhất.<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
‣ Ô Wigner-Seitz:<br />
• Chọn một nút mạng Bravais<br />
• Nối nút mạng đó với các nút mạng lân cận<br />
• Dựng các mặt phẳng đi qua điểm giữa và vuông góc với các đoạn nối trên.<br />
• Vùng không gian giới hạn bởi các mặt phẳng đó tạo nên ô Wigner-Seitz.<br />
‣ Tính chất của ô Wigner-Seitz:<br />
Là một ô cơ sở vì nó có thể tích bé nhất.<br />
Có tính duy nhất vì nó được tạo bởi phương pháp duy nhất áp dụng chung<br />
cho tất cả các kiểu mạng Bravais.<br />
Nó mang đầy đủ tất cả các tính chất đối xứng của mạng Bravais.<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
Phân loại mạng Bravais:<br />
• Mạng tinh thể bao gồm 14 loại mạng Bravais<br />
• Được chia thành 7 hệ.<br />
‣ Các hệ mạng được sắp xếp theo chiều tăng dần của tính đối xứng.<br />
1. Hệ lập phương:<br />
• Lập phương đơn giản (SC), lập phương tâm khối (FCC), lập phương tâm<br />
mặt (BCC).<br />
2. Hệ tứ giác:<br />
• Tứ giác đơn giản, tứ giác tâm khối.<br />
3. Hệ trực giao:<br />
• Trực giao đơn giản, trực giao tâm khối, trực giao tâm đáy, trực giao tâm<br />
mặt.<br />
4. Hệ hình thoi:<br />
5. Hệ một nghiêng:<br />
• Hệ một nghiêng đơn, hệ một nghiêng tâm đáy<br />
6. Hệ ba nghiêng:<br />
7. Hệ lục giác: không có quan hệ với hệ lập phương.<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
Một số cấu trúc tinh thể thường gặp:<br />
‣ Cấu trúc loại CsCl<br />
• Thuộc loại lập phương tâm khối.<br />
• Nền bao gồm hai loại nguyên tử khác nhau.<br />
• Mỗi nguyên tử có 8 nguyên tử khác loại bao quanh.<br />
• Số nút mạng trong một ô đơn vị là 2.<br />
‣ Cấu trúc loại NaCl<br />
• Thuộc loại lập phương tâm mặt.<br />
• Nền bao gồm hai loại nguyên tử khác nhau.<br />
• Mỗi nguyên tử có 6 nguyên tử khác loại bao quanh.<br />
• Mỗi một ô cơ sở có 1 phân tử.<br />
• Mỗi ô đơn vị có 4 phân tử.<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
10.1.2 Lý thuyết vùng năng lượng trong chất rắn<br />
Sự hình thành các vùng năng lượng<br />
‣ Hệ quả của sự chồng phủ hàm sóng.<br />
• Khi các nguyên tử nằm xa nhau, vị trí các mức năng lượng của chúng hoàn<br />
toàn trùng nhau – hàm sóng của các điện tử không chồng phủ lên nhau.<br />
• Khi các nguyên tử nằm gần nhau cỡ A o , các hàm sóng của các điện tử trong<br />
các nguyên tử có sự chồng phủ lên nhau, kết quả là các mức năng lượng bị<br />
tách ra thành các vùng năng lượng.<br />
Mỗi một mức năng lượng tách ra thành một vùng, mỗi vùng gồm N mức<br />
con nằm sít nhau và có thể coi như phổ năng lượng của chúng phân bố<br />
gần như liên tục.<br />
Độ rộng của vùng năng lượng phụ thuộc vào mức độ chồng phủ hàm<br />
sóng của các điện tử nhiều hay ít.<br />
Các điện tử càng xa hạt nhân thì có sự chồng phủ hàm sóng càng mạnh.<br />
Tức là độ rộng vùng năng lượng càng lớn.<br />
Các vùng năng lượng do sự chồng phủ hàm sóng của các điện tử được<br />
gọi là vùng được phép.<br />
Vùng nằm giữa các vùng được phép được gọi là vùng cấm.<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
• Nguyên lý năng lượng tối thiểu: các mức năng lượng thấp sẽ được lấp đầy<br />
các điện tử trước.<br />
• Vùng hóa trị: là vùng năng lượng ngoài cùng, có thể được lấp đầy hoàn toàn<br />
hoặc là chỉ được lấp đầy một phần.<br />
• Vùng dẫn: là vùng năng lượng được phép còn trống hoàn toàn và nằm phía<br />
trên vùng hóa trị.<br />
• Phân loại chất rắn:<br />
Điện môi: độ rộng vùng cấm lớn.<br />
Bán dẫn: độ rộng vùng cấm khá bé:<br />
Vùng dẫn<br />
Kim loại: không có vùng cấm, vùng dẫn và<br />
vùng hóa trị chồng lên nhau.<br />
• Sự dẫn điện: do sự chuyển động của các electron.<br />
Vùng hóa trị<br />
Chỉ có các điện tử ở lớp ngoài cùng trong vùng hóa trị có vai trò quyết định<br />
cho khả năng dẫn điện của vật liệu.<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
Sự hình thành các vùng năng lượng<br />
‣ Hệ quả của tính chất tuần hoàn tịnh tiến của mạng tinh thể.<br />
• Năng lượng của các điện tử chuyển động trong tinh thể có cấu trúc theo vùng<br />
• Các vùng được phép và vùng cấm xen kẽ lẫn nhau.<br />
• Sự xuất hiện các vùng cấm là do các điện tử phản xạ trên các nút mạng tinh<br />
thể tuân theo điều kiện phản xạ Bragg.<br />
và là vector sóng tới và vector sóng phản xạ của điện tử.<br />
là vector bất kỳ của mạng đảo.<br />
• Điện tử chuyển động hoàn toàn tự do.<br />
Xem như điện tử chuyển động với vận tốc không đổi<br />
năng lượng của hạt có dạng:<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
• Phép gần đúng điện tử chuyển động gần tự do.<br />
Năng lượng của điện tử gần tự do bằng tổng động năng và thế năng<br />
Nếu như điện tử không có phản xạ Bragg thì năng lượng của nó là: E = K.<br />
Ngược lại, nếu như điện tử có phản xạ Bragg thì năng lượng của nó bằng<br />
thế năng: E = U.<br />
Hố thế năng: được sinh ra bởi ion dương trong mạng tinh thể<br />
• Thế năng này là thế năng hút đối với điện tử.<br />
• Thế năng tuần hoàn: các hố thế năng sắp xếp tuần hoàn do tính tuần<br />
hoàn của mạng tinh thể.<br />
• Điện tử nằm trong hố thế năng sẽ không dịch chuyển được – lúc đó<br />
người ta gọi điện tử trong hố thế năng là điện tử định xứ:<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
• Có hai vị trí của điện tử định xứ.<br />
Điện tử định xứ tại các nút mạng – trạng thái cơ bản ứng với thế năng U 1 .<br />
Điện tử định xứ tại điểm giữa các nút mạng – trạng thái kích thích ứng<br />
với thế năng U 2 .<br />
Do tính gián đoạn của các mức năng lượng, không có các điện tử có năng<br />
lượng nằm trong khoảng<br />
Khoảng năng lượng<br />
gọi là khe năng lượng<br />
hay vùng cấm<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
Phép gần đúng một điện tử.<br />
‣ Bài toán cho hệ nhiều hạt (các electron) trở thành bài toán cho một hạt mà<br />
hạt đó chuyển động trong một trường thế tuần hoàn<br />
‣ Trường tinh thể trung bình:<br />
• Trường thế tác động lên một điện tử nào đó được xem như là một trường<br />
trung bình gây ra bởi tất cả các hạt nhân nguyên tử và các điện tử còn lại.<br />
• Trường tinh thể cũng phải thỏa mãn điều kiện tuần hoàn tịnh tiến:<br />
• Trạng thái năng lượng của điện tử này đại diện cho tất cả các điện tử trong<br />
tinh thể.<br />
‣ Phương pháp trường tự hợp Hartree-Fox: xác định trường thế<br />
• Phương trình schrödinger:<br />
• Chọn hàm sóng ban đầu nào đó (gần đúng bậc 0)<br />
• Thay hàm sóng vào phương trình schrödinger để tìm<br />
• Áp dụng vào phương trình schrödinger để tìm<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
Hàm Bloch.<br />
‣ Giải Phương trình schrödinger cho bài toán một hạt chuyển động trong trường<br />
thế tuần hoàn<br />
• Biểu diễn hàm sóng dưới dạng:<br />
• Suy ra:<br />
• Hàm sóng này gọi là hàm Bloch<br />
Hàm Bloch biểu diễn sóng phẳng<br />
Biên độ của hàm Bloch tuần hoàn theo chu kỳ của mạng tinh thể.<br />
‣ Ý nghĩa vật lý của hàm Bloch:<br />
• Hàm bloch là hệ quả của tính tuần hoàn của tinh thể.<br />
• Xác suất tìm thấy điện tử trong tinh thể là như nhau trong toàn tinh thể -<br />
điện tử không định xứ tại bất kỳ nút mạng cụ thể nào.<br />
• Vector sóng của điện tử biểu diễn trạng thái của điện tử trong tinh thể,<br />
nó quyết định độ lệch pha của hàm sóng.<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
Sơ đồ vùng năng lượng<br />
‣ Vùng Brillouin.<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
10.2 Chất bán dẫn<br />
10.2.1 Sơ đồ vùng năng lượng trong chất bán dẫn<br />
• Vùng dẫn: các mức năng lượng được phép còn trống.<br />
• Mức năng lượng:<br />
E c<br />
m c<br />
: mức năng lượng thấp nhất của vùng dẫn.<br />
: khối lượng của điện tử.<br />
‣ Vùng hóa trị: các mức năng lượng được phép<br />
được lấp đầy bởi các điện tử.<br />
• Mức năng lượng:<br />
Vùng dẫn<br />
Vùng hóa trị<br />
E v<br />
m v<br />
: mức năng lượng cao nhất của vùng hóa trị.<br />
: khối lượng của lỗ trống.<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
‣ Vùng cấm: vùng nằm giữa vùng dẫn và vùng hóa trị, là vùng không có các<br />
mức năng lượng được phép.<br />
• Độ rộng vùng cấm:<br />
với là tần số ngưỡng hấp thụ quang học – hấp thụ photon để tạo ra<br />
một điện tử ở vùng dẫn và một lỗ trống ở vùng hóa trị.<br />
‣ Chất bán dẫn: các chất có độ rộng vùng cấm cỡ vài eV.<br />
‣ Mức Fermi:<br />
• Mức năng lượng cao nhất mà các điện tử có thể chiếm chỗ tại nhiệt độ 0 o K.<br />
Vùng dẫn<br />
Vùng hóa trị<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
10.2.2 Khái niệm điện tử dẫn và lỗ trống.<br />
‣ Điện tử ở vùng hóa trị, nhận năng lượng kích thích và chuyển lên trạng thái ở<br />
vùng dẫn - trở thành điện tử dẫn. Nó để lại một trạng thái trống ở vùng hóa<br />
trị được gọi là lỗ trống.<br />
‣ Lỗ trống được xem như một trạng thái năng lượng được phép trong vùng hóa<br />
trị mà chưa có điện tử nào chiếm chỗ.<br />
‣ Lỗ trống mang điện tích dương +e. Khối lượng hiệu dụng<br />
‣ Lỗ trống cũng tham gia vào quá trình truyền năng lượng (nhiệt) và hạt tải.<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
10.2.3 Hàm phân bố Fermi-Dirac.<br />
‣ Hàm phân bố các mức năng lượng.<br />
với<br />
suy ra<br />
‣ Phân bố Fermi-Dirac là phân bố<br />
xác suất điện tử trên một trạng thái.<br />
‣ Chất bán dẫn có mức Fermi<br />
nằm giữa vùng dẫn và vùng hóa trị.<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
Mật độ trạng thái:<br />
‣ Số trạng thái lượng tử trong một đơn vị năng lượng.<br />
‣ Mật độ trạng thái của điện tử trên vùng dẫn:<br />
‣ Số điện tử trong một đơn vị thể tích trên vùng dẫn<br />
‣ Mật độ trạng thái của lỗ trống dưới vùng hóa trị:<br />
‣ Số lỗ trống trong một đơn vị thể tích dưới vùng hóa trị<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
‣ Phân bố năng lượng của lỗ trống dưới vùng hóa trị (hình bên trái) và của điện<br />
tử trên vùng dẫn (hình bên phải).<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
10.2.4 Bán dẫn tinh khiết và bán dẫn pha tạp<br />
Bán dẫn tinh khiết:<br />
‣ Chất bán dẫn không có tạp chất - không có các phân tử, nguyên tử lạ.<br />
‣ Số điện tử kích thích trên vùng dẫn đúng bằng số lỗ trống ở vùng hóa trị.<br />
‣ n i được gọi là nồng độ hạt tải<br />
‣ Mức Fermi:<br />
‣ Trường hợp hoặc T = 0<br />
• Mức Fermi nằm giữa vùng cấm.<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
Bán dẫn pha tạp:<br />
‣ Chất bán dẫn có một lượng nhỏ các nguyên tử tạp chất.<br />
‣ Tạp chất là các nguyên tử phi kim: các điện tử hóa trị được gọi là donor.<br />
‣ Tạp chất là các nguyên tử kim loại: các điện tử hóa trị được gọi là acceptor.<br />
‣ Năng lượng ion hóa của donor hoặc acceptor:<br />
• là hằng số điện môi rút gọn.<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
‣ Tại nhiệt độ nào đó, các nguyên tử tạp bị ion hóa<br />
• Các điện tử chuyển từ vùng<br />
hóa trị lên các mức năng lượng<br />
acceptor và để lại các lỗ trống<br />
ở vùng hóa trị.<br />
• Các điện tử chuyển từ các<br />
mức donor lên vùng dẫn.<br />
‣ Như vậy, các hạt tải tạp chất<br />
có thể dẫn điện.<br />
‣ Chất bán dẫn pha tạp loại n (n-type): khi nồng độ của donor lớn hơn nồng độ<br />
acceptor<br />
‣ Chất bán dẫn pha tạp loại p (p-type): khi nồng độ của acceptor lớn hơn nồng<br />
độ donor<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
10.2.5 Sự dẫn điện trong chất bán dẫn<br />
Mật độ dòng:<br />
‣ Bằng tổng mật độ dòng của điện tử và lỗ trống<br />
với<br />
là độ linh động của điện tử và lỗ trống.<br />
Độ dẫn:<br />
Độ linh động:<br />
‣ Phụ thuộc vào thời gian tán xạ của các hạt tải trong mạng tinh thể.<br />
trong đó,<br />
là thời gian tán xạ.<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
10.2.5 Sự dẫn điện trong chất bán dẫn<br />
Mật độ dòng:<br />
‣ Bằng tổng mật độ dòng của điện tử và lỗ trống<br />
với<br />
là độ linh động của điện tử và lỗ trống.<br />
Độ dẫn:<br />
Độ linh động:<br />
‣ Phụ thuộc vào thời gian tán xạ của các hạt tải trong mạng tinh thể.<br />
trong đó,<br />
là thời gian tán xạ.<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý
Nhận xét.<br />
‣ Độ dẫn của chất bán dẫn phụ thuộc vào nhiệt độ, độ dẫn tăng khi nhiệt độ<br />
tăng – trái ngược đối với kim loại.<br />
• Khi nhiệt độ tăng, tán xạ giữa điện tử và phonon tăng, dẫn đến độ dẫn của<br />
kim loại giảm.<br />
• Trong chất bán dẫn, do mật độ hạt tải tăng rất nhanh theo nhiệt độ, vì vậy<br />
mà độ dẫn cũng tăng.<br />
‣ Các chất bán dẫn tinh khiết có nồng độ hạt tải rất bé, vì vậy mà nó gần như<br />
không dẫn điện ở nhiệt độ thường.<br />
‣ Chất bán dẫn pha tạp với một lượng nhỏ tạp chất trở nên dẫn điện rất tốt ở<br />
điều kiện nhiệt độ thường.<br />
• Các tạp chất đóng vai trò là nguồn cung cấp các điện tử dẫn.<br />
• Độ dẫn điện của chất bán dẫn pha tạp phụ thuộc rất mạnh vào nồng độ<br />
của các tạp chất.<br />
@2009, Ngô Văn <strong>Thanh</strong> - Viện Vật Lý