16.11.2014 Views

KYP0040 MATERJALITEADUSE ÜLDALUSED - tud.ttu.ee

KYP0040 MATERJALITEADUSE ÜLDALUSED - tud.ttu.ee

KYP0040 MATERJALITEADUSE ÜLDALUSED - tud.ttu.ee

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

Pooljuhtmaterjalides on tegelikult kaht tüüpi laengukandjaid: elektronid ja augud. Nagu näida<strong>tud</strong><br />

joonisel 11-5 b, jääb valentstsooni – pärast elektroni üleminekut juhtivustsooni – tühi energianivoo<br />

ehk vaba auk. Augu mõiste selgitamiseks vaatleme sk<strong>ee</strong>mi joonisel 11-11. 0 K juures võtavad iga Si<br />

aatomi kõik neli valentselektroni osa kovalentse sideme moodustamisest teiste Si aatomitega. Igas<br />

sidemes on kaks elektroni, nende elektronide energia vastab valentstooni energiale. Elektroni<br />

vabanemine (energ<strong>ee</strong>tiliselt tema üleminek valentstsoonist juhtivustsooni) tähendab tema lahkumist<br />

sidemest. Sidemesse jääb puuduva elektroni koht, mis ongi auk. S<strong>ee</strong> auk on vaba, st ta saab liikuda<br />

kristallis, hüpates ühest sidemest teise (tegelikult toimub muidugi seo<strong>tud</strong> elektroni hüppamine<br />

vastupidises suunas). Augud kui laengukandjad omavad elektronidega võrdset, kuid vastupidist<br />

laengut +1,6·10 -19 C ja nad liiguvad elektrivälja suunas. Aukude kontsentratsiooni tähistatakse<br />

tähega p ja aukude poolt tingi<strong>tud</strong> juhtivust nimetatakse ka p-tüüpi juhtivuseks.<br />

11.6.1 Omajuhtivus<br />

Omajuhtivusega pooljuhi erijuhtivus σ võrdub elektronide ja aukude poolt tingi<strong>tud</strong> juhtivuste σ n ja<br />

σ p summaga:<br />

σ = σn<br />

+ σp<br />

= n ⋅μn<br />

⋅ e + p ⋅μp<br />

⋅ e ,<br />

kus μ p – aukude liikuvus.<br />

Kuna omajuhtivusega pooljuhis alati n = p , siis:<br />

σ = n ⋅ e ( μn<br />

+ μp)<br />

(11.2)<br />

Elektronide ja aukude kontsentratsiooni korrutis pooljuhis on alati konstantne suurus, mis sõltub<br />

ainult temperatuurist:<br />

1<br />

n ⋅ p = const = Ki = f ( )<br />

T<br />

(11.3)<br />

n = p = (K 1 2<br />

i )<br />

(11.4)<br />

ln n<br />

1<br />

= ln p ∝<br />

(11.5)<br />

T<br />

K i ning s<strong>ee</strong>ga ka n ja p sõltuvad pöördtemperatuurist (1/T) eksponentsiaalselt.<br />

Logaritmilises skaalas sõltuvad n ja p pöördtemperatuurist (1/T) lineaarselt.<br />

11.6.2 Lisandjuhtivus<br />

Vaatleme juhust, kus räni kristalli on viidud VA rühma elemendi fosfori P aatom, millel on viis<br />

valentselektroni (joon 11-12). S<strong>ee</strong> lisa viies elektron ei võta osa sideme moodustamisest ja on seo<strong>tud</strong><br />

fosfori aatomiga suhteliselt nõrgalt. Tema vabastamiseks kulub tunduvalt vähem energiat, kui<br />

sidemes olevate elektronide vabastamiseks. Tähistame seda viienda elektroni vabastamise energiat<br />

E d . Selliseid lisandeid, mis annavad kergesti vabu elektrone, nimetatakse elektronide doonoriteks.<br />

Tsoonidiagrammil (joon 11-13) tekitavad doonorlisandid luba<strong>tud</strong> nivoo k<strong>ee</strong>lutsoonis, mille kaugus<br />

juhtivustsooni põhjast ongi E d . Kui doonor annab viienda elektroni ära, läheb s<strong>ee</strong> juhtivustsooni,<br />

doonornivoole jääb aga seo<strong>tud</strong> (liikumatu) positiivne laeng – s<strong>ee</strong> on fosfori ioon (mitte auk).<br />

58

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!