KYP0040 MATERJALITEADUSE ÃLDALUSED - tud.ttu.ee
KYP0040 MATERJALITEADUSE ÃLDALUSED - tud.ttu.ee
KYP0040 MATERJALITEADUSE ÃLDALUSED - tud.ttu.ee
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Pooljuhtmaterjalides on tegelikult kaht tüüpi laengukandjaid: elektronid ja augud. Nagu näida<strong>tud</strong><br />
joonisel 11-5 b, jääb valentstsooni – pärast elektroni üleminekut juhtivustsooni – tühi energianivoo<br />
ehk vaba auk. Augu mõiste selgitamiseks vaatleme sk<strong>ee</strong>mi joonisel 11-11. 0 K juures võtavad iga Si<br />
aatomi kõik neli valentselektroni osa kovalentse sideme moodustamisest teiste Si aatomitega. Igas<br />
sidemes on kaks elektroni, nende elektronide energia vastab valentstooni energiale. Elektroni<br />
vabanemine (energ<strong>ee</strong>tiliselt tema üleminek valentstsoonist juhtivustsooni) tähendab tema lahkumist<br />
sidemest. Sidemesse jääb puuduva elektroni koht, mis ongi auk. S<strong>ee</strong> auk on vaba, st ta saab liikuda<br />
kristallis, hüpates ühest sidemest teise (tegelikult toimub muidugi seo<strong>tud</strong> elektroni hüppamine<br />
vastupidises suunas). Augud kui laengukandjad omavad elektronidega võrdset, kuid vastupidist<br />
laengut +1,6·10 -19 C ja nad liiguvad elektrivälja suunas. Aukude kontsentratsiooni tähistatakse<br />
tähega p ja aukude poolt tingi<strong>tud</strong> juhtivust nimetatakse ka p-tüüpi juhtivuseks.<br />
11.6.1 Omajuhtivus<br />
Omajuhtivusega pooljuhi erijuhtivus σ võrdub elektronide ja aukude poolt tingi<strong>tud</strong> juhtivuste σ n ja<br />
σ p summaga:<br />
σ = σn<br />
+ σp<br />
= n ⋅μn<br />
⋅ e + p ⋅μp<br />
⋅ e ,<br />
kus μ p – aukude liikuvus.<br />
Kuna omajuhtivusega pooljuhis alati n = p , siis:<br />
σ = n ⋅ e ( μn<br />
+ μp)<br />
(11.2)<br />
Elektronide ja aukude kontsentratsiooni korrutis pooljuhis on alati konstantne suurus, mis sõltub<br />
ainult temperatuurist:<br />
1<br />
n ⋅ p = const = Ki = f ( )<br />
T<br />
(11.3)<br />
n = p = (K 1 2<br />
i )<br />
(11.4)<br />
ln n<br />
1<br />
= ln p ∝<br />
(11.5)<br />
T<br />
K i ning s<strong>ee</strong>ga ka n ja p sõltuvad pöördtemperatuurist (1/T) eksponentsiaalselt.<br />
Logaritmilises skaalas sõltuvad n ja p pöördtemperatuurist (1/T) lineaarselt.<br />
11.6.2 Lisandjuhtivus<br />
Vaatleme juhust, kus räni kristalli on viidud VA rühma elemendi fosfori P aatom, millel on viis<br />
valentselektroni (joon 11-12). S<strong>ee</strong> lisa viies elektron ei võta osa sideme moodustamisest ja on seo<strong>tud</strong><br />
fosfori aatomiga suhteliselt nõrgalt. Tema vabastamiseks kulub tunduvalt vähem energiat, kui<br />
sidemes olevate elektronide vabastamiseks. Tähistame seda viienda elektroni vabastamise energiat<br />
E d . Selliseid lisandeid, mis annavad kergesti vabu elektrone, nimetatakse elektronide doonoriteks.<br />
Tsoonidiagrammil (joon 11-13) tekitavad doonorlisandid luba<strong>tud</strong> nivoo k<strong>ee</strong>lutsoonis, mille kaugus<br />
juhtivustsooni põhjast ongi E d . Kui doonor annab viienda elektroni ära, läheb s<strong>ee</strong> juhtivustsooni,<br />
doonornivoole jääb aga seo<strong>tud</strong> (liikumatu) positiivne laeng – s<strong>ee</strong> on fosfori ioon (mitte auk).<br />
58