KYP0040 MATERJALITEADUSE ÃLDALUSED - tud.ttu.ee
KYP0040 MATERJALITEADUSE ÃLDALUSED - tud.ttu.ee
KYP0040 MATERJALITEADUSE ÃLDALUSED - tud.ttu.ee
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
sirgjoonelisest liikumisest kõrvale. Teiste sõnadega: aatomid, ioonid ja defektid hajutavad elektrone,<br />
mille tõ<strong>ttu</strong> elektronide liikumist<strong>ee</strong> on kaootiline (joon 11-6).<br />
Elektronide liikumiskiirust elektriväljas (elektriväljale vastupidises suunas) iseloomustatakse<br />
liikuvusega μ n :<br />
v<br />
μ n = , kus v – liikumiskiirus (m/s); E – elektrivälja tugevus (V/m).<br />
E<br />
S<strong>ee</strong>ga liikuvus on liikumiskiirus ühikulises väljas 1 V/m.<br />
Indeksit n kasutatakse elektronide korral s<strong>ee</strong>tõ<strong>ttu</strong>, et elektronide kontsentratsiooni tähistatakse<br />
tähega n ja elektronide poolt pingi<strong>tud</strong> juhtivust nimetatakse ka n-tüüpi juhtivuseks.<br />
11.4 Metallide elektrijuhtivus<br />
Metallides on suur vabade elektronide arv – kõigi kristalli aatomite valentselektronide arv – ja s<strong>ee</strong> ei<br />
sõltu temperatuurist. Metalli erijuhtivus on määra<strong>tud</strong> vabade elektronide kontsentratsiooniga n ja<br />
nende liikuvusega: σ = n ⋅μe ⋅ e , kus e on elektroni laeng (1,6·10 -19 C).<br />
Suurima juhtivusega metallid on hõbe ja vask, nende erijuhtivused on:<br />
Ag<br />
6,8·10 7 S/m<br />
Cu<br />
6,0·10 7 S/m<br />
N<strong>ee</strong>d on puhaste metallide erijuhtivused. Lisandid ja defektid suurendavad elektronide hajutamist,<br />
vähendavad liikuvust ja s<strong>ee</strong>ga ka erijuhtivust. Mõnede metallide ja sulamite erijuhtivused on toodud<br />
tabelis (joon 11-7).<br />
Metallide korral kasutatakse juhtivuse iseloomustamiseks rohkem eritakistust. Eritakistust s<strong>ee</strong>ga<br />
lisandid ja defektid suurendavad. Metalli summaarne eritakistus avaldub võrrandiga:<br />
ρ Σ = ρt<br />
+ ρl<br />
+ ρd<br />
kus ρ t – oma-eritakistus;<br />
ρ l – lisandite poolt tingi<strong>tud</strong> eritakistus;<br />
ρ d – defektide (deformatsiooni) poolt tingi<strong>tud</strong> eritakistus.<br />
Kui lisand moodustab tahke lahuse, siis<br />
ρ l = A ⋅ Xi(1<br />
− Xi)<br />
kus A – konstant, mis sõltub metallist ja lisandist;<br />
X i – lisandi moolimurd tahkes lahuses.<br />
Kui sulam koosneb tahkete lahuste α ja β segust, siis;<br />
ρl<br />
= ραVα<br />
+ ρβVβ<br />
, kus V tähistab vastava faasi ruumalaosa.<br />
Eritakistuse sõltuvus temperatuurist.<br />
Temperatuuri tõusul elektronide liikuvus väheneb, kuna hajutamine aatomite poolt suureneb. Samal<br />
ajal elektronide kontsentratsioon ei muutu, s<strong>ee</strong>ga eritakistus kasvab. Eritakistuse sõltuvus<br />
temperatuurist puhta ja lisanditega vase kohta on toodud joonisel 11-8. Lineaarses osas on sõltuvus<br />
avaldatav kujul:<br />
ρt<br />
= ρ0 (1 + αρ ⋅ T) , kus ρ 0 ja α ρ on an<strong>tud</strong> metalli korral konstandid.<br />
α ρ on eritakistuse temperatuuritegur. Sõltuvus on avaldatav ka järgmiselt:<br />
ρt<br />
= ρ o (1 + α ⋅To<br />
)<br />
0 C ρ (11.1)<br />
C<br />
Metallide korral on α ρ > 0, ligikaudu võrdub α ρ 1/273.<br />
56