Скачать статью в формате pdf - Силовая электроника
Скачать статью в формате pdf - Силовая электроника
Скачать статью в формате pdf - Силовая электроника
- TAGS
- rockwell
- www.power-e.ru
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Сило<strong>в</strong>ая Электроника, № 3’2010<br />
Технологии<br />
Таким образом, оценка <strong>в</strong>сех факторо<strong>в</strong> процесса<br />
термокомпрессионной с<strong>в</strong>арки показы<strong>в</strong>ает,<br />
что оптимальными режимами я<strong>в</strong>ляются:<br />
температура +550±10 °С и <strong>в</strong>ремя не менее 6 с.<br />
По мере <strong>в</strong>озможности следует использо<strong>в</strong>ать<br />
<strong>в</strong>ы<strong>в</strong>оды для с<strong>в</strong>арки сразу же после тра<strong>в</strong>ления;<br />
толщина напыленного слоя алюминия должна<br />
быть не менее 10 мкм. Надежность термокомпрессионных<br />
соединений ленточных <strong>в</strong>ы<strong>в</strong>одо<strong>в</strong><br />
<strong>в</strong>озрастает при у<strong>в</strong>еличении толщины<br />
напыленного слоя алюминия до 10 мкм и у<strong>в</strong>еличении<br />
<strong>в</strong>ремени с<strong>в</strong>арки до 6 с.<br />
а б <strong>в</strong><br />
Рис. 11. Лазерная фотоакустическая топограмма термокомпрессионных соединений ленточными<br />
<strong>в</strong>ы<strong>в</strong>одами после хранения: а) 1 сутки; б) 20 суток; <strong>в</strong>) 30 суток<br />
Чтобы оценить <strong>в</strong>ажность конструкти<strong>в</strong>ного<br />
(толщины напыленного слоя алюминия)<br />
и технологического (температуры и <strong>в</strong>ремени<br />
термокомпрессии) факторо<strong>в</strong>, были испытаны<br />
образцы, <strong>в</strong> которых с<strong>в</strong>арка про<strong>в</strong>одилась<br />
на подложки с толщиной слоя алюминия 4,5<br />
и 10 мкм при <strong>в</strong>ремени 1 и 6 с. Видно, что надежность<br />
термокомпрессионных соединений<br />
<strong>в</strong>озрастает при у<strong>в</strong>еличении толщины напыленного<br />
слоя алюминия до 10 мкм и у<strong>в</strong>еличении<br />
<strong>в</strong>ремени с<strong>в</strong>арки до 6 с (рис. 12).<br />
Вы<strong>в</strong>оды<br />
Рис. 12. Влияние конструкти<strong>в</strong>но-технологических факторо<strong>в</strong> на количест<strong>в</strong>о отказо<strong>в</strong><br />
термокомпрессионных соединений: 1, 2 — толщина напыления 4,5 мкм, <strong>в</strong>ремя с<strong>в</strong>арки 1 — 1 с и 2 — 6 с;<br />
3, 4 — толщина напыления 10 мкм, <strong>в</strong>ремя с<strong>в</strong>арки 3 — 1 с и 4 — 6 с<br />
Литература<br />
1. Дейст<strong>в</strong>ие проникающей радиации на изделия<br />
электронной техники / Под ред. Е. А.<br />
Ладыгина. М.: ЦНИИ Электроника. 1980.<br />
2. Агаханян Т. М., Аст<strong>в</strong>ацатурьян Е. Р.,<br />
Скоробогато<strong>в</strong> П. К. Радиационные эффекты<br />
<strong>в</strong> интегральных микросхемах / Под ред. Т. М.<br />
Агаханяна. М.: Энергопромиздат. 1989.<br />
3. Бойченко Д. В., Никифоро<strong>в</strong> А. Ю.<br />
Исследо<strong>в</strong>ание <strong>в</strong>лияния технологии на радиационную<br />
стойкость операционных усилителей<br />
// Радиационная стойкость электронных<br />
систем. Научно-технический сборник.<br />
СПЭЛС. 2000.<br />
4. Мустафае<strong>в</strong> А. Г. Воздейст<strong>в</strong>ие ионизирующих<br />
излучений на биполярные транзисторы.<br />
Электронный научный журнал. http://<br />
zhurnal.ape.relarn.ru.<br />
5. Костюко<strong>в</strong> Н. С., Мумино<strong>в</strong> М. И., Атраш С. М.<br />
и др. Радиационная электропро<strong>в</strong>одность.<br />
М.: Наука. 2001.<br />
6. Виноградо<strong>в</strong> Б. А., Костюко<strong>в</strong> Н. С., Хариче<strong>в</strong>а<br />
Д. Л. Герметичные металлокерамические<br />
соединения. М.: Наука. 2004.<br />
7. Яко<strong>в</strong>ле<strong>в</strong> Г. А., Чистяко<strong>в</strong> Ю. Д., Сальни ко<strong>в</strong> В. М.,<br />
Сергатский В. И. Бесфлюсо<strong>в</strong>ая пайка<br />
<strong>в</strong> технологии сборки полупро<strong>в</strong>однико<strong>в</strong>ых<br />
приборо<strong>в</strong> и интегральных схем / Обзоры<br />
по электронной технике. Вып. 9 (963). М.:<br />
ЦНИИ Электроника. 1983.<br />
8. Кундас С. П., Ланин В. Л., Достанко А. П.<br />
и др. Ультраз<strong>в</strong>уко<strong>в</strong>ые процессы <strong>в</strong> произ<strong>в</strong>одст<strong>в</strong>е<br />
изделий электронной техники. Т.2.<br />
Минск: Бестпринт. 2003.<br />
www.power-e.ru<br />
105
Change language