Katalog na rok 2012 w wersji PDF - ITME
Katalog na rok 2012 w wersji PDF - ITME
Katalog na rok 2012 w wersji PDF - ITME
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych<br />
PROJEKTY WSPÓŁFINANSOWANE PRZEZ UNIĘ EUROPEJSKĄ<br />
ZE ŚRODKÓW EUROPEJSKIEGO FUNDUSZU ROZWOJU REGIONALNEGO<br />
Wybrane tematy realizowane przez <strong>ITME</strong> w <strong>rok</strong>u 2011:<br />
Projekty fi<strong>na</strong>nsowane przez Ministerstwo Nauki i Szkolnictwa Wyższego, Narodowe<br />
Centrum Nauki, Narodowe Centrum Badań i Rozwoju lub Fundację <strong>na</strong> rzecz Nauki<br />
Polskiej:<br />
Badania struktury defektowej i stanu <strong>na</strong>prężeń w <strong>na</strong>noszonych warstwach epitaksjalnych i implantowanych warstwach epitaksjalnych węglika<br />
krzemu.<br />
Badanie wpływu obciążeń punktowych <strong>na</strong> uszkodzenia układu warstwa - podłoże. A<strong>na</strong>liza warstw węglowych do zastosowań biomedycznych.<br />
Dyfrakcyjne elementy do formowania wiązek światła emitowanych przez lasery półprzewodnikowe<br />
Granulowanie <strong>na</strong>noproszków ceramicznych przez wymrażanie-sposób <strong>na</strong> uzyskanie jakości laserowej przezroczystej ceramiki.<br />
Krystalizacja politypu 3C-SiC z roztworu węgla w krzemie- badania, wytworzenie kryształów.<br />
Luminescencyjne <strong>na</strong>nokrystality o strukturze jednoskośnej (YAM) i regularnej (YAG) rozproszone w wieloskładnikowych szkłach<br />
nieorganicznych.<br />
Metoda korekcji stałych mechanicznych, piezoelektrycznych i dielektrycznych kryształów z wykorzystaniem zmierzonych parametrów<br />
akustycznych fal powierzchniowych.<br />
Nowa generacja past opartych <strong>na</strong> <strong>na</strong>noproszku srebra do zastosowań w elektronice.<br />
Nowe aktywne optycznie materiały kompozytowe do zastosowań w źródłach promieniowania <strong>na</strong> zakres widzialny.<br />
Opracowanie diod i liniowych matryc diod laserowych dużej mocy optycznej <strong>na</strong> pasma 808 i 976 nm do celów przemysłowych i pompowania<br />
optycznego: przykładowe zastosowanie w urządzeniu bezkontaktowego precyzyjnego lutowania i zgrzewania.<br />
Opracowanie metody wytwarzania elementów mikrooptycznych i dyfrakcyjnych dla średniej podczerwieni ze szkieł nieorganicznych.<br />
Opracowanie nowej ekologicznej metody wytwarzania złączy ceramika-metal z wykorzystaniem warstw plastycznych.<br />
Opracowanie technologii otrzymywania przezroczystych, polikrystalicznych materiałów do zastosowań optycznych opartych <strong>na</strong> spinelu<br />
glinowo- magnezowym domieszkowanym kobaltem (Co2+:MgAl2O4).<br />
Opracowanie technologii wytwarzania porowatych preform ceramicznych oraz sposobu modyfikacji ich powierzchni.<br />
Pasywne modulatory dobroci dla rezo<strong>na</strong>torów laserowych<br />
Porów<strong>na</strong>nie i a<strong>na</strong>liza własności generacyjnych cienkowarstwowych, wysokodomieszkowanych laserów ND:YAG pompowanych diodami<br />
laserowymi w pasmach 808nm i 885nm<br />
Projektowanie i wytwarzanie światłowodów fotonicznych do zastosowań w zakresie średniej podczerwieni oraz sze<strong>rok</strong>ospektralnych<br />
Projektowanie i wytwarzanie światłowodów fotonicznych ze strukturyzowanym rdzeniem oraz z dwójłomnym płaszczem fotonicznym<br />
Rezystory grubowarstwowe dla "zielonej elektroniki" <strong>na</strong> podłoża i folie LTCC.<br />
Stabilizacja pola optycznego w płaszczyźnie złącza i tłumienie fi lamentacji przez strukturyzację warstwy p-emitera w diodach laserowych dużej<br />
mocy.<br />
Struktura i własności magnetyczne amorficznych i <strong>na</strong>nokrytalicznych stopów Fe-Zr-Si oraz krystalizacja w polu magnetycznym wysokiej<br />
częstotliwości amorficznych stopów (FeCo)-Zr-Si.<br />
Technologia zol-żel do wytwarzania nowych materiałów dla dozymetrii termoluminescencyjnej (tlenki domieszkowane manganem, synteza,<br />
charakteryzacja).<br />
Węglik krzemu (SiC) domieszkowany wybranymi jo<strong>na</strong>mi ziem rzadkich i metali przejściowych jako kandydat do zastosowania w spintronice.<br />
Właściwości mechaniczne i odporność <strong>na</strong> szoki termiczne przezroczystej ceramiki Y2O3 w funkcji mikrostruktury i temperatury.<br />
Włók<strong>na</strong> fotoniczne do generacji supercontinuum w zakresie średniej podczerwieni.<br />
Wpływ zawartości płytkich domieszek <strong>na</strong> właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC.<br />
Wykorzystanie przemiany fazowej do konstrukcji układów chłodzenia matryc diod laserowych dużej mocy.<br />
Wzrost politypu 4H <strong>na</strong> podłożach o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej.<br />
Zastosowanie inżynierii struktury defektowej do modyfikowania własności elektrycznych niedomieszkowanych monokryształów GaP.<br />
JUVENTUS<br />
- Wytwarzanie i charakteryzacja eutektyków półprzewodnikowych do efektywnego przetwarzania energii słonecznej.<br />
- Próby oszacowania wpływu jonów Mn <strong>na</strong> właściwości SrTiO3, TiO2, SrTiO3-TiO2 otrzymanych metodą mikrowyciągania. Badanie zjawiska<br />
magnetoelektrycznego współistnienia w tychże materiałach.<br />
- Próby krystalizacji perowskitów - monokryształów tlenkowych – zawierających pierwiastki ziem rzadkich oraz jony metali przejściowych,<br />
badania ukierunkowane <strong>na</strong> oszacowanie właściwości multiferroicznych otrzymanych związków.<br />
LIDER<br />
- Rozwój <strong>na</strong>no-technologii materiałów III-N dla przyrządów optoelektronicznych powszechnego użytku.<br />
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych; ul Wólczyńska 133; PL-01-919 Warszawa<br />
Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03<br />
http:// www.itme.edu.pl; e-mail: itme@itme.edu.pl
Change language