Katalog na rok 2012 w wersji PDF - ITME
Katalog na rok 2012 w wersji PDF - ITME
Katalog na rok 2012 w wersji PDF - ITME
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych<br />
Zakład Zastosowań Materiałów A III B V<br />
Zakład opracowuje technologię i konstrukcję przyrządów półprzewodnikowych <strong>na</strong> monokrystalicznych<br />
podłożach i warstwach epitaksjalnych <strong>na</strong>noszonych w <strong>ITME</strong>, a także zapewnia zwrotną informację <strong>na</strong> temat<br />
jakości kryształów i warstw. Część z tych przyrządów jest sprzedawa<strong>na</strong>.<br />
W Zakładzie opracowano:<br />
• technologię tranzystora MESFET <strong>na</strong> GaAs wykorzystującą bezpośrednią implantację jonów do<br />
półizolacyjnego kryształu,<br />
• układy scalone z GaAs w układach BFL (buffered fet logic),<br />
• detektory promieniowania X, alfa i gamma z arsenku galu,<br />
• tranzystory HEMT oraz rezo<strong>na</strong>nsowe diody tunelowe (RTD) z GaAs/InGaAs/AlGaAs,<br />
• tranzystory HEMT oraz rezo<strong>na</strong>nsowe diody tunelowe (RTD) z InP/InGaAs/InAlAs,<br />
• bolometr i elementy termoczułe wyko<strong>na</strong>ne metodą mikromechaniki krzemowej,<br />
• detektory ultrafioletu oparte <strong>na</strong> diodach Schottky’ego GaN/AlGaN oraz diodach p-i-n,<br />
• tranzystory HEMT z GaN/AlGaN,<br />
• wysoko<strong>na</strong>pięciowe diody Schottky’ego <strong>na</strong> węgliku krzemu SiC,<br />
• technologię wytwarzania laserów SCH (separate confinement heterostructure),<br />
• technologię dyfrakcyjnych elementów optycznych (DOEs),<br />
• technologię masek chromowych wysokiej jakości do fotolitografii.<br />
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych; ul Wólczyńska 133; PL-01-919 Warszawa<br />
Telefon: (+48) 22 835 30 41 - 49; Faks: (+48) 22 864 54 96, (+48) 22 834 90 03<br />
http:// www.itme.edu.pl; e-mail: itme@itme.edu.pl;
Change language