10.03.2014 Views

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE ELECTRONIC MATERIALS ... - ITME

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE ELECTRONIC MATERIALS ... - ITME

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE ELECTRONIC MATERIALS ... - ITME

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

A. Królicka, A. Hruban, A. Mirowska<br />

wymagają części zamiennych ani konserwacji),<br />

- małymi rozmiarami i niską masą (tworzenie niewielkich<br />

i poręcznych urządzeń przenośnych),<br />

- wysoką żywotnością (20 - 30 lat),<br />

- łatwością i elastycznością kontroli (poprzez<br />

zmiany kierunku prądu można grzać lub chłodzić),<br />

- szerokim zakresem temperatur pracy,<br />

- brakiem zagrożeń płynących z awarii systemów<br />

lub wypadków losowych.<br />

Wszystkie wymienione zalety powodują, że<br />

jest to obiecujący materiał, a <strong>ITME</strong> ma możliwość<br />

uaktywnienia prac nad tym materiałem w Polsce,<br />

a więc tym samym może przyczynić się do poprawy<br />

sytuacji naszego kraju w światowym rynku energii<br />

odnawialnej.<br />

Bibliografia<br />

[1] http://www.aztekium.pl/sites.py?tekst=1&kod=&lang=en<br />

[2] Altenkirch E.: Über den Nutzeffekt der Thermosäule,<br />

Physikalische Zeitschrift, 1909, 10, 560 – 580<br />

[3] Altenkirch, E.: Elektrothermische Kälteerzeugung<br />

und reversible elektrische Heizung, Physikalische<br />

Zeitschrift, 1911, 12, 920 – 924<br />

[4] Telkes M.: The efficiency of thermoelectric generators.,<br />

I. J. Appl. Phys., 1947, 18, 1116 – 1127<br />

[5] Hempstead C.H., Encyclopedia of 20th-century<br />

technology, London, New York, Routledge, 2005,<br />

674 - 676<br />

[6] Boukai A.I.: Thermoelectric properties of bismuth and<br />

silicon nanowires, rozprawa dokt., USA, Pasadena<br />

2008<br />

[7] Harman T. C., Walsh M. P., Laforge B. E. & Turner<br />

G. W.: Nanostructured thermoelectric materials,<br />

J. Electron. Mater., 2005, 34, 19 - 22<br />

[8] Venkatasubramanian, R., Silvola, E., Colpitts, T.,<br />

O’Quinn, B.: Thin-film thermoelectric devices with<br />

high room - temperature figures of merit, Nature,<br />

2001, 413, 597–602<br />

[9] Hsu, K. F. et al.: Cubic AgPb m<br />

SbTe 2+m<br />

: bulk thermoelectric<br />

materials with high figure of merit., Science,<br />

2004, 303, 818 – 821<br />

[10] Vining C.B.: An inconvenient truth about thermoelectrics,<br />

Nature Mat., 2009, 8, 83 - 85<br />

[11] Markowski P.: Własności termoelektryczne kompozytów<br />

grubowarstwowych, rozprawa dokt., Wrocław<br />

2008, 12<br />

[12] Jeżewski M., Fizyka, PWN, 1970, 411 - 413<br />

[13] Sales B.C.: Critical overview of recent approaches<br />

to improved thermoelectric materials., Int. J. Appl.<br />

Ceram. Technol., 2007, 4, 291 - 296<br />

[14] Bérardan D., 8th European Workshop on Thermoelectrics,<br />

2nd Eur. Conf. on Thermoelectrics, Kraków,<br />

2004<br />

[15] Snyder G.J.: Small thermoelectric generators. The<br />

Electrochemical Society Interface, 2008, 54<br />

[16] Kosuga A., Uno M., Kurosaki K.: Thermoelectric<br />

properties of stoichiometric Ag 1−x<br />

Pb 18<br />

SbTe 20<br />

(x = 0,<br />

0.1, 0.2)., J. of Alloys and Comp. 2005, 391, 288 - 291<br />

[17] Min G., Rowe D.M.: A novel principle allowing rapid<br />

and accurate measurement of a dimensionless thermoelectric<br />

figure of merit, Meas. Sci. Techn., 2001,<br />

12, 1261 - 1262<br />

[18] Medlin D. L.: Interfaces in bulk thermoelectric<br />

Materials, current opinion in colloid & interface G,<br />

Science, 2009, 14, 226<br />

[19] Zebarjadi M., Esfarjani K., Dresselhaus M.S., Ren<br />

Z.F., Chen G.: Perspectives on thermoelectrics: from<br />

fundamentals to device applications, Energy Environ.<br />

Sci., 5, 2012 - 5147<br />

[20] Li J., Yeung T.C.A, Kam C.H.: Influence of electron<br />

scatterings on thermoelectric effect., J. Appl. Phys.,<br />

2012, 112, 034306<br />

[21] Wang X.W., Lee H., Lan Y.C, Zhu G.H.: Enhanced<br />

Thermoelectric figure of merit in nanostructured n-<br />

-type silicon germanium bulk alloy., Appl. Phys. Let.<br />

93, 193121, 1 - 3<br />

[22] Joshi G., Lee H., Lan Y., Wang X: Enhanced thermoelectric<br />

figure-of-merit in nanostructured p-type<br />

silicon germanium bulk alloys, Nano Lett. 2008, 12,<br />

4670 - 4674<br />

[23] Thonhauser T., Scheidemantel T. J., Sofo J.O.: Improved<br />

thermoelectric devices using bismuth alloys,<br />

Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 588 - 590<br />

[24] Ma Y., Hao Q., Poudel B., Lan Y.: Enhanced thermoelectric<br />

figure-of-merit in p-type nanostructured<br />

bismuth antimony tellurium alloys made from elemental<br />

chunks, Nano Lett. 2008, 8, 2580 - 2584<br />

[25] Harman T. C., Spears D. L., Manfra M.J.: High thermoelectric<br />

figures of merit in PbTe quantum wells, J.<br />

Electron. Mater. 1996, 25, 1121<br />

[26] Pei Y., Lensch-Falk J., Toberer E.S., Medlin D.L,<br />

Snyder G.J.: High thermoelectric performance in<br />

PbTe due to large nanoscale Ag 2<br />

Te precipitates and<br />

La doping, Adv. Funct. Mater., 2011, 21, 241<br />

[27] Paul B., Rawat K., Banerji P.: Dramatic enhancement<br />

of thermoelectric power factor in PbTe:Cr co-doped<br />

with iodine, Appl. Phys. Lett., 2011, 98, 262101<br />

[28] Pei Y., Shi X., Lalonde A., Wang H., Chen L.: Co-<br />

MATERIAŁY <strong>ELEKTRONICZNE</strong> (Electronic Materials), T. 40, Nr 4/2012 33

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!