MATERIAÅY ELEKTRONICZNE ELECTRONIC MATERIALS ... - ITME
MATERIAÅY ELEKTRONICZNE ELECTRONIC MATERIALS ... - ITME
MATERIAÅY ELEKTRONICZNE ELECTRONIC MATERIALS ... - ITME
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
A. Królicka, A. Hruban, A. Mirowska<br />
wymagają części zamiennych ani konserwacji),<br />
- małymi rozmiarami i niską masą (tworzenie niewielkich<br />
i poręcznych urządzeń przenośnych),<br />
- wysoką żywotnością (20 - 30 lat),<br />
- łatwością i elastycznością kontroli (poprzez<br />
zmiany kierunku prądu można grzać lub chłodzić),<br />
- szerokim zakresem temperatur pracy,<br />
- brakiem zagrożeń płynących z awarii systemów<br />
lub wypadków losowych.<br />
Wszystkie wymienione zalety powodują, że<br />
jest to obiecujący materiał, a <strong>ITME</strong> ma możliwość<br />
uaktywnienia prac nad tym materiałem w Polsce,<br />
a więc tym samym może przyczynić się do poprawy<br />
sytuacji naszego kraju w światowym rynku energii<br />
odnawialnej.<br />
Bibliografia<br />
[1] http://www.aztekium.pl/sites.py?tekst=1&kod=&lang=en<br />
[2] Altenkirch E.: Über den Nutzeffekt der Thermosäule,<br />
Physikalische Zeitschrift, 1909, 10, 560 – 580<br />
[3] Altenkirch, E.: Elektrothermische Kälteerzeugung<br />
und reversible elektrische Heizung, Physikalische<br />
Zeitschrift, 1911, 12, 920 – 924<br />
[4] Telkes M.: The efficiency of thermoelectric generators.,<br />
I. J. Appl. Phys., 1947, 18, 1116 – 1127<br />
[5] Hempstead C.H., Encyclopedia of 20th-century<br />
technology, London, New York, Routledge, 2005,<br />
674 - 676<br />
[6] Boukai A.I.: Thermoelectric properties of bismuth and<br />
silicon nanowires, rozprawa dokt., USA, Pasadena<br />
2008<br />
[7] Harman T. C., Walsh M. P., Laforge B. E. & Turner<br />
G. W.: Nanostructured thermoelectric materials,<br />
J. Electron. Mater., 2005, 34, 19 - 22<br />
[8] Venkatasubramanian, R., Silvola, E., Colpitts, T.,<br />
O’Quinn, B.: Thin-film thermoelectric devices with<br />
high room - temperature figures of merit, Nature,<br />
2001, 413, 597–602<br />
[9] Hsu, K. F. et al.: Cubic AgPb m<br />
SbTe 2+m<br />
: bulk thermoelectric<br />
materials with high figure of merit., Science,<br />
2004, 303, 818 – 821<br />
[10] Vining C.B.: An inconvenient truth about thermoelectrics,<br />
Nature Mat., 2009, 8, 83 - 85<br />
[11] Markowski P.: Własności termoelektryczne kompozytów<br />
grubowarstwowych, rozprawa dokt., Wrocław<br />
2008, 12<br />
[12] Jeżewski M., Fizyka, PWN, 1970, 411 - 413<br />
[13] Sales B.C.: Critical overview of recent approaches<br />
to improved thermoelectric materials., Int. J. Appl.<br />
Ceram. Technol., 2007, 4, 291 - 296<br />
[14] Bérardan D., 8th European Workshop on Thermoelectrics,<br />
2nd Eur. Conf. on Thermoelectrics, Kraków,<br />
2004<br />
[15] Snyder G.J.: Small thermoelectric generators. The<br />
Electrochemical Society Interface, 2008, 54<br />
[16] Kosuga A., Uno M., Kurosaki K.: Thermoelectric<br />
properties of stoichiometric Ag 1−x<br />
Pb 18<br />
SbTe 20<br />
(x = 0,<br />
0.1, 0.2)., J. of Alloys and Comp. 2005, 391, 288 - 291<br />
[17] Min G., Rowe D.M.: A novel principle allowing rapid<br />
and accurate measurement of a dimensionless thermoelectric<br />
figure of merit, Meas. Sci. Techn., 2001,<br />
12, 1261 - 1262<br />
[18] Medlin D. L.: Interfaces in bulk thermoelectric<br />
Materials, current opinion in colloid & interface G,<br />
Science, 2009, 14, 226<br />
[19] Zebarjadi M., Esfarjani K., Dresselhaus M.S., Ren<br />
Z.F., Chen G.: Perspectives on thermoelectrics: from<br />
fundamentals to device applications, Energy Environ.<br />
Sci., 5, 2012 - 5147<br />
[20] Li J., Yeung T.C.A, Kam C.H.: Influence of electron<br />
scatterings on thermoelectric effect., J. Appl. Phys.,<br />
2012, 112, 034306<br />
[21] Wang X.W., Lee H., Lan Y.C, Zhu G.H.: Enhanced<br />
Thermoelectric figure of merit in nanostructured n-<br />
-type silicon germanium bulk alloy., Appl. Phys. Let.<br />
93, 193121, 1 - 3<br />
[22] Joshi G., Lee H., Lan Y., Wang X: Enhanced thermoelectric<br />
figure-of-merit in nanostructured p-type<br />
silicon germanium bulk alloys, Nano Lett. 2008, 12,<br />
4670 - 4674<br />
[23] Thonhauser T., Scheidemantel T. J., Sofo J.O.: Improved<br />
thermoelectric devices using bismuth alloys,<br />
Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 588 - 590<br />
[24] Ma Y., Hao Q., Poudel B., Lan Y.: Enhanced thermoelectric<br />
figure-of-merit in p-type nanostructured<br />
bismuth antimony tellurium alloys made from elemental<br />
chunks, Nano Lett. 2008, 8, 2580 - 2584<br />
[25] Harman T. C., Spears D. L., Manfra M.J.: High thermoelectric<br />
figures of merit in PbTe quantum wells, J.<br />
Electron. Mater. 1996, 25, 1121<br />
[26] Pei Y., Lensch-Falk J., Toberer E.S., Medlin D.L,<br />
Snyder G.J.: High thermoelectric performance in<br />
PbTe due to large nanoscale Ag 2<br />
Te precipitates and<br />
La doping, Adv. Funct. Mater., 2011, 21, 241<br />
[27] Paul B., Rawat K., Banerji P.: Dramatic enhancement<br />
of thermoelectric power factor in PbTe:Cr co-doped<br />
with iodine, Appl. Phys. Lett., 2011, 98, 262101<br />
[28] Pei Y., Shi X., Lalonde A., Wang H., Chen L.: Co-<br />
MATERIAŁY <strong>ELEKTRONICZNE</strong> (Electronic Materials), T. 40, Nr 4/2012 33