Nr 1 - ITME

More documents

Recommendations

Info

BIBLIOGRAFIA Zastosowanie fourierowskiej spektroskopii absorpcyjnej w podczerwieni... [1] Berreman D.W.: Infrared absorption at longitudinal optic frequency in cubic crystal films. Phys.Rev., 130, (1963), 2193 [2] Martinet C., Devine R.A.B.: Analysis of the vibrational mode spectra of amorphous SiO 2 films. J. Appl. Phys., 77, 9, (1995) 4343 [3] Devine R.A.B.: Structural nature of the Si/SiO 2 interface through infrared spectroscopy. Appl. Phys. Lett., 68, 22, (1996), 3108 [4] Queenney K.T., Weldon M.K., Chang J.P., Chabal Y.J., Gurevich A.B., Sapjeta J., Opila R.L.: Infrared spectroscopic analysis of the Si/SiO 2 interface structure of thermally oxidized silicon. J. Appl. Phys., 87, 3, (2000), 1322 [5] Milkehin A., Friedrich M., Hiller K., Wiemer M., Gessner T., Zahn D.R.T.: Infrared study of Si surfaces and bonded Si wafers, Semicond. Sci. Technol., 14, 70, (1999) [6] Pietsch G.J., Chabal Y.J., Higashi G.S.: J. Appl. Phys., 78, 3, 1995, 1650 [7] Możdżonek M.: Wpływ obróbki termicznej na struktury Si-Si typu bonding, praca statutowa <strong>ITME</strong>, (2002) [8] Abe T., Yamada-Kaneta H.: „Annealing behavior of oxygen in-diffusion from SiO 2 film to silicon substrate. J. Appl. Phys., 96, 8, (2004), 4143 INFRARED SPECTROSCOPIC ANALYSIS OF THE SiO 2 //Si INTERFACE OF SOI STRUCTURES SUMMARY Infrared absorption spectroscopy has been used to investigate the silicon oxide near the two interfaces in the SOI structure, the SiO 2 //Si interface created by bonding of two silicon wafers and the Si/SiO 2 interface created by thermal oxidation. The oxide films were thinned by etching in dilute hydrofluoric acid for the spectroscopic analysis. The behavior of the transverse (TO) and longitudinal (LO) optical phonon modes, which are associated with asymetric streching the O-Si-O bonds as a function of the oxide film thickness provides an evidence that near the both interfaces exist region of sub-stoichiometric silicon oxide (SiO x ). The structure of this SiO x layer is different at each interface. We propose a model in which the sub-oxide layer in the SiO 2 //Si interface is composed with SiO 2 and Si. We found that the TO phonon frequency apparently starts to shift toward higher wave number at around 4,0 nm from the interface. The structure of this SiO x layer in the Si/SiO 2 interface is just the same as that observed for the thermal oxide. Spectroscopic investigations were performed for the oxide films range from 1,5 nm to 20 nm. 48
I. Kujawa, A. Filipowski, D. Pysz, ... PL ISSN 0209-0058 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T. 36 - 2008 NR 1 OBJĘTOŚCIOWY, ROZLEGŁY, DWUWYMIAROWY KRYSZTAŁ FOTONICZNY Ireneusz Kujawa 1 , Adam Filipkowski 2 , Dariusz Pysz 1 , Jędrzej Nowosielski 2 , Ryszard Stępień 1 1. WSTĘP Przerwa fotoniczna (Photonic Bandgap) jest optycznym odpowiednikiem występujących w półprzewodnikach pasm wzbronionych [1-4]. Pojawianie się pasm spowodowane jest występowaniem dyfrakcji Bragga fali świetlnej na periodycznej strukturze dielektrycznej jedno- dwu- lub trójwymiarowego kryształu fotonicznego. Przerwa fotoniczna określa zakres długości fali, wektorów falowych i modów, dla których światło nie może się rozchodzić – dla tego zakresu struktura o określonych parametrach dielektrycznych i geometrycznych jest idealnym zwierciadłem. Efekt ten wykorzystuje się w optycznych światłowodach fotonicznych PCF (Photonic Crystal Fiber) [5–8] do propagacji światła. Istnienie fotonicznych stanów wzbronionych jest uwarunkowane kontrastem współczynników załamania światła i stosunkiem ilościowym dielektryków wykorzystanych do budowy struktury oraz sposobem ich wzajemnego rozmieszczenia [1–11]. Ilustracją wpływu Δn na szerokość przerwy fotonicznej jest Rys. 1 przedstawiający wyniki przeprowadzonych dla λ = 1,55 μm symulacji powietrzno-szklanego sześciokątnego kryształu 2-D (przy d/Λ = const) dla szkła kwarcowego i kilku wieloskładnikowych szkieł, zależnie od ich współczynnika załamania. 1 Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, 01-684 Warszwa, ul. Wólczyńska 133, e-mail: Ireneusz.Kujawa@itme.edu.pl 2 Zakład Optyki Informacyjnej, Wydział Fizyki, Uniwersytet Warszawski, ul. Pasteura 7, 02-093 Warszawa, Polska, tel. (0-22) 55-46-857, rbuczyns@igf.fuw.edu.pl 49
Page 1 and 2: MATERIAŁY ELEKTRONICZNE 2008, T. 3
Page 3 and 4: transverse (TO) and longitudinal (L
Page 5 and 6: M. Boniecki PL ISSN 0209-0058 MATER
Page 7 and 8: M. Boniecki duża w porównaniu z s
Page 9 and 10: M. Boniecki Ponieważ dyfuzja katio
Page 11 and 12: M. Boniecki Tabela 2. Wybrane metod
Page 13 and 14: M. Boniecki 4. WYNIKI POMIARÓW 4.1
Page 15 and 16: M. Boniecki Rys. 4. Zależność Ar
Page 17 and 18: M. Boniecki szeregu (wystarczało 3
Page 19 and 20: M. Boniecki (a) (b) Rys. 7. Przekr
Page 21 and 22: M. Boniecki Równanie Arrheniusa wy
Page 23 and 24: M. Boniecki δ = 1×10 -9 e m. Poni
Page 25 and 26: M. Boniecki [21] Lindner R., AAkers
Page 27 and 28: J. Kubicki, M. Kwaśny PL ISSN 0209
Page 29 and 30: J. Kubicki, M. Kwaśny Rys.1. Schem
Page 31 and 32: J. Kubicki, M. Kwaśny ładowany ko
Page 33 and 34: J. Kubicki, M. Kwaśny Rys. 7. Wido
Page 35 and 36: J. Kubicki, M. Kwaśny Rys. 9. Wykr
Page 37 and 38: J. Kubicki, M. Kwaśny SUMMARY Orig
Page 39 and 40: M. Możdżonek, B. Piątkowski, A.
Page 47: M. Możdżonek, B. Piątkowski, A.
Page 51 and 52: I. Kujawa, A. Filipowski, D. Pysz,
Page 71 and 72: M. Pawłowski przebicie oraz bardzo
Page 73 and 74: M. Pawłowski realizację techniczn
Page 75 and 76: M. Pawłowski Mimo tych zabiegów o
Page 77 and 78: M. Pawłowski wienia kierunku pola
Page 79 and 80: M. Pawłowski heksagonalnych. Zgodn
Page 81 and 82: M. Pawłowski Również w tej prób
Page 83 and 84: M. Pawłowski wartości te dobrze z
Page 85 and 86: M. Pawłowski 4H - A B C B, 6H - A

Nr 1 - ITME

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?