Nr 1 - ITME

More documents

Recommendations

Info

Zastosowanie fourierowskiej spektroskopii absorpcyjnej w podczerwieni... Rys. 4. Położenie linii modu TO w funkcji grubości tlenku dla interfejsów: SiO 2 //Si w strukturze SOI, Si/SiO 2 w płytce wyjściowej oraz Si/SiO 2 w strukturze SOI po wygrzaniu w 1100°C. SiO 2 otrzymany w suchym tlenie w 1050°C. Fig. 4. The peak position of the TO mode as a function of the oxide film thickness for three interfaces: SiO 2 //Si in the SOI structure, Si/SiO 2 on the initial wafer and Si/SiO 2 in the SOI structure after annealing at 1100ºC. SiO 2 was grown in dry O 2 at 1050ºC. Rys. 5. Położenie linii modu LO w funkcji grubości tlenku dla interfejsów: SiO 2 //Si w strukturze SOI, Si/SiO 2 w płytce wyjściowej oraz Si/SiO 2 w strukturze SOI po wygrzaniu w 1100°C. SiO 2 otrzymany w suchym tlenie w 1050°C. Fig. 5. The peak position of the LO mode as a function of the oxide film thickness for three interfaces: SiO 2 //Si in the SOI structure, Si/SiO 2 on the initial wafer and Si/SiO 2 in the SOI structure after annealing at 1100ºC. SiO 2 was grown in dry O 2 at 1050ºC. 44
M. Możdżonek, B. Piątkowski, A. Kozłowski 4. ANALIZA OTRZYMANYCH WYNIKÓW Przedstawione powyżej wyniki zmian położenia linii fononowych TO i LO dla tlenków o grubości powyżej 10,0 nm w pobliżu interfejsu SiO 2 //Si powstałego z połączenia płytek oraz interfejsu Si/SiO 2 utworzonego poprzez utlenianie termiczne pokazują, że właściwości tlenków w tym zakresie grubości są takie same w obu interfejsach. W każdym przypadku, linia modu TO przesuwa się w stronę niższych liczb falowych gdy grubość tlenku maleje, a położenie linii modu LO pozostaje natomiast stałe. Przesunięcie linii fononowej TO w kierunku bliższej podczerwieni wywołane jest zmianą fazy fali elektromagnetycznej jaka następuje na granicy Si/SiO 2 [2]. Natomiast dla tlenków o grubości od 1,5 do 10,0 nm wyniki otrzymane dla poszczególnych interfejsów znacznie się od siebie różnią. Dla interfejsu Si/SiO 2 występuje dość gwałtowne obniżenie liczby falowej modów TO i LO w funkcji grubości warstwy SiO 2 . Według autorów prac [4, 9] jest ono wynikiem występowania warstwy SiO x (x
Page 1 and 2: MATERIAŁY ELEKTRONICZNE 2008, T. 3
Page 3 and 4: transverse (TO) and longitudinal (L
Page 5 and 6: M. Boniecki PL ISSN 0209-0058 MATER
Page 7 and 8: M. Boniecki duża w porównaniu z s
Page 9 and 10: M. Boniecki Ponieważ dyfuzja katio
Page 11 and 12: M. Boniecki Tabela 2. Wybrane metod
Page 13 and 14: M. Boniecki 4. WYNIKI POMIARÓW 4.1
Page 15 and 16: M. Boniecki Rys. 4. Zależność Ar
Page 17 and 18: M. Boniecki szeregu (wystarczało 3
Page 19 and 20: M. Boniecki (a) (b) Rys. 7. Przekr
Page 21 and 22: M. Boniecki Równanie Arrheniusa wy
Page 23 and 24: M. Boniecki δ = 1×10 -9 e m. Poni
Page 25 and 26: M. Boniecki [21] Lindner R., AAkers
Page 27 and 28: J. Kubicki, M. Kwaśny PL ISSN 0209
Page 29 and 30: J. Kubicki, M. Kwaśny Rys.1. Schem
Page 31 and 32: J. Kubicki, M. Kwaśny ładowany ko
Page 33 and 34: J. Kubicki, M. Kwaśny Rys. 7. Wido
Page 35 and 36: J. Kubicki, M. Kwaśny Rys. 9. Wykr
Page 37 and 38: J. Kubicki, M. Kwaśny SUMMARY Orig
Page 39 and 40: M. Możdżonek, B. Piątkowski, A.
Page 43: M. Możdżonek, B. Piątkowski, A.
Page 49 and 50: I. Kujawa, A. Filipowski, D. Pysz,
Page 71 and 72: M. Pawłowski przebicie oraz bardzo
Page 73 and 74: M. Pawłowski realizację techniczn
Page 75 and 76: M. Pawłowski Mimo tych zabiegów o
Page 77 and 78: M. Pawłowski wienia kierunku pola
Page 79 and 80: M. Pawłowski heksagonalnych. Zgodn
Page 81 and 82: M. Pawłowski Również w tej prób
Page 83 and 84: M. Pawłowski wartości te dobrze z
Page 85 and 86: M. Pawłowski 4H - A B C B, 6H - A

Nr 1 - ITME

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?