Nr 1 - ITME

Zastosowanie fourierowskiej spektroskopii absorpcyjnej w podczerwieni...
jakie widzimy dla tlenków o grubości powyżej 10,0 nm z interfejsu SiO 2
//Si to
wynik wygrzania struktury SOI w temperaturze wyższej od temperatury otrzymania
tlenku. Efekt ten, świadczący o zmianach strukturalnych zachodzących w objętości
tlenku obserwowany jest dla tlenków otrzymanych w temperaturach poniżej 1100ºC,
a następnie poddanych obróbce termicznej w wyższej temperaturze [2]. Położenie
linii modu LO dla tlenków z interfejsu SiO 2
//Si nie zmienia się aż do grubości
~1,9 nm, po czym ulega nieznacznemu przesunięciu (o ~3 cm -1 ) w stronę niższych
liczb falowych wraz ze zmniejszeniem grubości SiO 2
. W przypadku interfejsu Si/SiO 2
w płytce wyjściowej obserwowany jest natomiast dość gwałtowny spadek liczby
falowej linii LO dla tlenków o grubościach < 5,0 nm.
Rys. 2. Położenie linii modu TO w funkcji grubości tlenku dla dwóch rodzajów interfejsów:
SiO 2
//Si w strukturze SOI oraz dla Si/SiO 2
w płytce wyjściowej. SiO 2
otrzymany w mokrym
tlenie w 900°C.
Fig. 2. The peak position of the TO mode as a function of the oxide film thickness for two
interfaces: SiO 2
//Si in the SOI structure and Si/SiO 2
on the initial wafer. SiO 2
was grown in
wet O 2
at 900ºC.
42