Nr 1 - ITME

More documents

Recommendations

Info

WARSTWY PROSZKOWE SnO 2 NANOSZONE METODĄ EKSPLOATACJI ELEKTRYCZNEJ Jan Kubicki, Mirosław Kwaśny W artykule przedstawiono oryginalną metodę nanoszenia warstw z materiału proszkowego SnO 2 na przygotowaną powierzchnię z wykorzystaniem impulsowego wyładowania elektrycznego wywołującego eksplozję, która powoduje jego rozpylenie, nadtopienie i wyrzucenie w kierunku podstawionej powierzchni. Pokazano schematy układu eksperymentalnego oraz wyniki badań naniesionych warstw SnO 2 na płytki kwarcowe i ceramiczne. Zwrócono uwagę na możliwość wykorzystania otrzymanych warstw do wytwarzania elementów aktywnych sensorów chemicznych. THE SnO 2 POWDER LAYERES DEPOSITED VIA ELECTRICAL EXPLOSION Original method of deposition of SnO 2 powder materials onto prepared surface is presented in the paper. The method uses pulsed electrical discharge generating explosion which atomizes, partially melts, and ejects the material towards positioned surface. Experimental arrangement diagrams are presented as well as measurement results of SnO 2 layers deposited onto quartz and ceramic plates are shown. An attention was paid to possibility of applying obtained layers as active elements for chemical sensors. ZASTOSOWANIE FOURIEROWSKIEJ SPEKTROSKOPII ABSORPCYJNEJ W PODCZERWIENI DO BADANIA INTERFEJSU SiO 2 //Si W ŁĄCZONYCH STRUKTURACH SOI Małgorzata Możdżonek, Bronisław Piątkowski, Andrzej Kozłowski Badania tlenków w pobliżu interfejsu SiO 2 //Si powstałego w wyniku połączenia płytek krzemowych oraz interfejsu Si/SiO 2 uformowanego w procesie termicznego utleniania płytek Si w łączonych strukturach SOI przeprowadzono metodą fourierowskiej spektroskopii absorpcyjnej w podczerwieni. Określono zmiany energii fononów TO i LO wiązań O-Si-O w zależności od grubości tlenku, pocieniając badane tlenki poprzez trawienie w rozcieńczonym kwasie fluorowodorowym. Uzyskane wyniki zmian energii fononów optycznych w funkcji grubości tlenków pokazują, że w pobliżu obu interfejsów istnieją obszary substechiometrycznego SiO x . Struktura tlenków w tych obszarach jest jednak różna. W przypadku interfejsu SiO 2 //Si występuje SiO 2 + Si, co powoduje przesunięcie linii absorpcyjnej modu TO w stronę wyższych liczb falowych. Zmiany położenia linii modu TO obserwowane są dla tlenków o grubości poniżej 4,0 nm. W interfejsie Si/SiO 2 warstwa SiO x jest taka sama jak warstwa przejściowa w tlenkach termicznych. Badania absorpcyjne wykonano dla tlenków w zakresie grubości 1,5- 20 nm. INFRARED SPECTROSCOPIC ANALYSIS OF THE SiO 2 //Si INTERFACE OF SOI STRUCTURES Infrared absorption spectroscopy has been used to investigate the silicon oxide near the two interfaces in the SOI structure, the SiO 2 //Si interface created by bonding of two silicon wafers and the Si/SiO 2 interface created by thermal oxidation. The oxide films were thinned by etching in dilute hydrofluoric acid for the spectroscopic analysis. The behavior of the
transverse (TO) and longitudinal (LO) optical phonon modes, which are associated with asymetric streching the O-Si-O bonds as a function of the oxide film thickness provides an evidence that near the both interfaces exist region of sub-stoichiometric silicon oxide (SiO x ). The structure of this SiO x layer is different at each interface. We propose a model in which the sub-oxide layer in the SiO 2 //Si interface is composed with SiO 2 and Si. We found that the TO phonon frequency apparently starts to shift toward higher wave number at around 4,0 nm from the interface. The structure of this SiO x layer in the Si/SiO 2 interface is just the same as that observed for the thermal oxide. Spectroscopic investigations were performed for the oxide films range from 1,5 nm to 20 nm. OBJĘTOŚCIOWY, ROZLEGŁY, DWUWYMIAROWY KRYSZTAŁ FOTONICZNY Ireneusz Kujawa, Adam Filipkowski, Dariusz Pysz, Jędrzej Nowosielski, Ryszard Stępień Przerwa fotoniczna (Photonic Bandgap) jest optycznym odpowiednikiem występujących w półprzewodnikach pasm wzbronionych [1-4]. Pojawianie się pasm spowodowane jest występowaniem dyfrakcji Bragga fali świetlnej na periodycznej strukturze dielektrycznej jedno- dwu- lub trójwymiarowego kryształu fotonicznego. Przerwa fotoniczna określa zakres długości fali, wektorów falowych i modów, dla których światło nie może się rozchodzić – dla tego zakresu struktura o określonych parametrach dielektrycznych i geometrycznych jest idealnym zwierciadłem. Efekt ten wykorzystuje się w optycznych światłowodach fotonicznych PCF (Photonic Crystal Fiber) [5–8] do propagacji światła. Istnienie fotonicznych stanów wzbronionych jest uwarunkowane kontrastem współczynników załamania światła i stosunkiem ilościowym dielektryków wykorzystanych do budowy struktury oraz sposobem ich wzajemnego rozmieszczenia [1–11]. Ilustracją wpływu Δn na szerokość przerwy fotonicznej jest Rys. 1 przedstawiający wyniki przeprowadzonych dla λ = 1,55 μm symulacji powietrzno-szklanego sześciokątnego kryształu 2-D (przy d/Δ = const) dla szkła kwarcowego i kilku wieloskładnikowych szkieł, zależnie od ich współczynnika załamania. BULK, LARGE AREA, TWO-DIMENSIONAL PHOTONIC CRYSTAL Existence and size of photonic bandgap depends on the contrast of refractive indices of glasses used in manufacturing of the photonic crystal. For this structure contrast about 0.1 is possible to obtain. In such structures partial photonic bandgap exist, which means that photonic bandgap exists only for selected wave vectors. It can be used to shape and steer electromagnetic waves in function of wavelength change. Such commercial materials could find applications as beam splitters and couplers, wave filters, demultiplexers, low loss waveguides, and highly selective mirrors. A possibility of fabrication double glass photonic crystals is determined by a choice of pair of glasses with similar viscosity, melting temperature, thermal coefficients, and small diffusion (close to zero). Moreover glass has to be dedicated to multiple thermo-mechanical process without crystallization effects. Only glass that fulfils conditions mentioned above can be considered for such fabrications using a mosaic drawing method. In this article we described our works in manufacturing of large area (diameter in the order of 1mm) and large height photonic crystal structures – a novel material for optic applications.
Page 1: MATERIAŁY ELEKTRONICZNE 2008, T. 3
Page 5 and 6: M. Boniecki PL ISSN 0209-0058 MATER
Page 7 and 8: M. Boniecki duża w porównaniu z s
Page 9 and 10: M. Boniecki Ponieważ dyfuzja katio
Page 11 and 12: M. Boniecki Tabela 2. Wybrane metod
Page 13 and 14: M. Boniecki 4. WYNIKI POMIARÓW 4.1
Page 15 and 16: M. Boniecki Rys. 4. Zależność Ar
Page 17 and 18: M. Boniecki szeregu (wystarczało 3
Page 19 and 20: M. Boniecki (a) (b) Rys. 7. Przekr
Page 21 and 22: M. Boniecki Równanie Arrheniusa wy
Page 23 and 24: M. Boniecki δ = 1×10 -9 e m. Poni
Page 25 and 26: M. Boniecki [21] Lindner R., AAkers
Page 27 and 28: J. Kubicki, M. Kwaśny PL ISSN 0209
Page 29 and 30: J. Kubicki, M. Kwaśny Rys.1. Schem
Page 31 and 32: J. Kubicki, M. Kwaśny ładowany ko
Page 33 and 34: J. Kubicki, M. Kwaśny Rys. 7. Wido
Page 35 and 36: J. Kubicki, M. Kwaśny Rys. 9. Wykr
Page 37 and 38: J. Kubicki, M. Kwaśny SUMMARY Orig
Page 39 and 40: M. Możdżonek, B. Piątkowski, A.
Page 49 and 50: I. Kujawa, A. Filipowski, D. Pysz,
Page 51 and 52: I. Kujawa, A. Filipowski, D. Pysz,
Page 53 and 54:
I. Kujawa, A. Filipowski, D. Pysz,
Page 55 and 56:
Page 57 and 58:
Page 59 and 60:
Page 61 and 62:
Page 63 and 64:
Page 65 and 66:
Page 67 and 68:
Page 69 and 70:
Page 71 and 72:
M. Pawłowski przebicie oraz bardzo
Page 73 and 74:
M. Pawłowski realizację techniczn
Page 75 and 76:
M. Pawłowski Mimo tych zabiegów o
Page 77 and 78:
M. Pawłowski wienia kierunku pola
Page 79 and 80:
M. Pawłowski heksagonalnych. Zgodn
Page 81 and 82:
M. Pawłowski Również w tej prób
Page 83 and 84:
M. Pawłowski wartości te dobrze z
Page 85 and 86:
M. Pawłowski 4H - A B C B, 6H - A
show all

Nr 1 - ITME

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?