Beata Staśkiewicz - Instytut Fizyki

SPIS TREŚCI.............................................................................3
CEL PRACY……………………………………………………………………....6
Wykaz waŜniejszych skrótów i oznaczeń………………………………………....8
1.Wprowadzenie........…………………………………………………………..9
1.1 Charakterystyka struktur wielowarstwowych…………………….................9
2.Budowa, technologia, zastosowania wielowarstwowych układów
półprzewodnikowych…...................................................................................11
2.1 Budowa supersieci półprzewodnikowych…………………………..............11
2.2 Technologie wytwarzania supersieci półprzewodnikowych……………......13
2.21 Metoda wiązek molekularnych (molecular beam epitaxy – MBE)… ..13
2.22 Metoda MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition -
osadzanie z par chemicznych związków organicznych)………… .......14
2.3 Właściwości supersieci półprzewodnikowych…………….............................15
2.4 Zastosowania supersieci półprzewodnikowych……………….......................16
2.41 Kryształy fotoniczne………………………………………………. ...17
2.42 Kropki kwantowe…………………………………………………… 21
2.43 Druty kwantowe…………………………………………………….....22
3.Wielowarstwowe ośrodki dielektryczne– optyczne supersieci
aperiodyczne (OSA)…………………………………………….........................23
3.1 Optyczna supersieć typu Thue-Morse’a ………………………………………...24
3.11 Uogólniona supersieć typu Thue-Morse’a (UST-M) – sieć binarna…..24
3.12 Niebinarna uogólniona supersieć typu Thue-Morse’a (UST-M)………27
3.2 Transmitancja światła w supersieciach typu Thue-Morse’a…………………….28
3.21 Materiały warstw tworzących wielowarstwową strukturę
dielektryczną……........................................................................................................28
3.22 Odbicie i załamanie fali elektromagnetycznej na granicy dwóch
ośrodków dielektrycznych…………………………………………………………...29
3.23 Model wielowarstwowego ośrodka dielektrycznego– formalizm
macierzowy..................................................................................................................32
3