Beata Staśkiewicz - Instytut Fizyki

mikroelektronicznej i materiałowej, gdzie poprzez regulację np. szerokości studni
kwantowych, a co za tym idzie efektywnej wymiarowości nośników, moŜemy
"dobierać" długość wyświecanej w akcie luminescencji fali w sposób poŜądany w
danym przyrządzie.
Rys.2.1 Budowa najprostszej supersieci półprzewodnikowej (rysunek
zaczerpnięto z pracy [7]).
Wymiary geometryczne studni, tj. jej technologiczne wytworzone
głębokości studni potencjalnych oraz szerokości warstw, określają dozwolone
wartości energii nośników w niej uwięzionych. Dzięki sterowaniu tymi
parametrami (w przypadku technologii półprzewodnikowych) mamy moŜliwość
kontroli nie tylko grubości materiału tworzącego studnie, lecz równieŜ składu
materiału tworzącego bariery. Proces ten stanowi podstawę inŜynierii
mikroelektronicznej i materiałowej, gdzie poprzez regulację np. szerokości studni
kwantowych, a co za tym idzie efektywnej wymiarowości nośników, moŜemy
"dobierać" długość wyświecanej w akcie luminescencji fali w sposób poŜądany w
danym przyrządzie.
Za pomysłodawcę wielowarstwowych układów półprzewodnikowych uznaje się
profesora Leo Esaki’ego 2 (fotografia obok),
japońskiego fizyka, odkrywcę zjawiska
tunelowania elektronów w półprzewodnikach
(jako pierwszy zauwaŜył moŜliwość tunelowego
przepływu elektronów z pasma przewodnictwa do
pasma walencyjnego) [19].
2 Profesor Leo Esaki − 1958 (dioda tunelowa), 1969-70 (supersieci − konsekwencje m.in.:
dioda i tranzystor z rezonansem tunelowym), Nagroda Nobla w 1973 roku (współlaureaci:
Ivar Glaeveri i Brian D. Josephson).
12