1 Úvod:

Princip:
Rastrovací elektronový mikroskop
zdroj el. paprsku snimač
čas.
základna
vakuum
objekt
elektrony
el. obvody
obraz
povrchu
monitor
Rastrovací elektronová mikroskopie využívá k analýze struktury látek elektronového svazku.
Působením těchto, tzv. primárních, elektronů jsou z povrchu preparátu emitovány sekundární
elektrony za současného vzniku elektronů odražených elektronů, Augerových elektronů,
fotonů a charakteristického rentgenového záření. Primární paprsek je přitom rozmítán po
povrchu preparátu a vzniklé elektrony jsou v detektorech zpracovávány a převáděny na signál,
který je zobrazován na stínítku obrazovky (v současné době spíše na monitoru počítače).
Vynález rastrovacího elektronového mikroskopu je znám poměrně dlouho. Je uplatňován v
mnoha vědeckotechnických oborech a mezi jeho hlavní přednosti je počítána možnost
přímého pozorování objektů nepropustných pro elektrony, jednoduchá příprava preparátů,
vysoká rozlišovací schopnost a rozsah zvětšení, vynikající hloubka ostrosti a plastičnost
obrazu.
Počátek výzkumů a vývoje rastrovacího elektronového mikroskopu (SEM - scanning electron
microscope), je datován do 50. let 20. století, kdy byl zahájen výzkum v laboratořích
univerzity v Cambridgi v Anglii. V roce 1965 pak spatřil světlo světa první rastrovací
elektronový mikroskop STEREOSCAN firmy Cambridge Instr. Co . V České republice
začíná výroba těchto přístrojů v roce 1976, kdy byl uveden do života rastrovací elektronový
mikroskop TESLA BS 300. Všechny tyto přístroje pracují za vysokého vakua 10 -2 Pa. Tato
skutečnost znamená jistou nevýhodu pro pozorování biologických preparátů obsahujících
vodu, kdy pro pozorování vzorků v nezměněném tvaru musí být voda vytěsněna a nahrazena
jinou látkou (např. glutaraldehydem) . Zároveň se biologické preparáty a vzorky izolantů pro
zamezení nabíjení jejich povrchu opatřují iontovým naprašováním vrstvičkou kovu (Au, Ag,
Cr), popř. uhlíku. Tloušťka vrstvy se pohybuje v řádech 10 1 nm.