1 Úvod:
1 Úvod:
1 Úvod:
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Obr. 1 Interakce primárního elektronového paprsku (PE) a atomů povrchu vzorku -<br />
generování různých druhů signálů<br />
Rozlišovací schopnost mikroskopu je dána známou rovnicí<br />
λ<br />
∆ =<br />
n ⋅sinα<br />
kde λ je vlnová délka použitého záření [ nm]<br />
n. sinα je numerická apertura<br />
Rozlišovací schopnost se u SEM pohybuje podle použitého urychlovacího napětí a zvětšení<br />
řádově v 10 1 nm. Zvětšení mikroskopu Zm je přitom dáno poměrem rozlišení na obrazovce a<br />
rozlišení vztaženého na předmět (stopy elektronového paprsku na preparátu).<br />
m<br />
d<br />
=<br />
d<br />
kde do [ m] je rozlišení na obrazovce<br />
dp [ m] je rozlišení vztažené na předmět.<br />
Z<br />
0<br />
p<br />
[ nm]<br />
Užitečné zvětšení mikroskopu vychází řádově 10 3 - 10 4 .<br />
Jak již bylo řečeno v úvodu, klasický SEM pracuje s vakuem min. 10 -2 Pa a proto je nutno<br />
použít speciální přípravy preparátů, zejména jeho naprášení kovem.<br />
V mnoha případech nejde jen o pouhé zobrazení studovaných objektů. V souvislosti s tím je<br />
potřeba znát, s jakou přesností lze měřit geometrické rozměry při vysokých zvětšeních.<br />
Analýzou bylo zjištěno, že maximální relativní chyba se pohybuje u klasického SEM.<br />
Klasický rastrovací elektronový mikroskop (CSEM) pracující s vysokým vakuem v režimu<br />
sekundárních elektronů vyžaduje povrchovou úpravu těch preparátů, které se vlivem<br />
dopadajících primárních elektronů nabíjejí, popř. je jejich povrch energií elektronů narušován.