11.10.2013 Views

1 Úvod:

1 Úvod:

1 Úvod:

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

Obr. 1 Interakce primárního elektronového paprsku (PE) a atomů povrchu vzorku -<br />

generování různých druhů signálů<br />

Rozlišovací schopnost mikroskopu je dána známou rovnicí<br />

λ<br />

∆ =<br />

n ⋅sinα<br />

kde λ je vlnová délka použitého záření [ nm]<br />

n. sinα je numerická apertura<br />

Rozlišovací schopnost se u SEM pohybuje podle použitého urychlovacího napětí a zvětšení<br />

řádově v 10 1 nm. Zvětšení mikroskopu Zm je přitom dáno poměrem rozlišení na obrazovce a<br />

rozlišení vztaženého na předmět (stopy elektronového paprsku na preparátu).<br />

m<br />

d<br />

=<br />

d<br />

kde do [ m] je rozlišení na obrazovce<br />

dp [ m] je rozlišení vztažené na předmět.<br />

Z<br />

0<br />

p<br />

[ nm]<br />

Užitečné zvětšení mikroskopu vychází řádově 10 3 - 10 4 .<br />

Jak již bylo řečeno v úvodu, klasický SEM pracuje s vakuem min. 10 -2 Pa a proto je nutno<br />

použít speciální přípravy preparátů, zejména jeho naprášení kovem.<br />

V mnoha případech nejde jen o pouhé zobrazení studovaných objektů. V souvislosti s tím je<br />

potřeba znát, s jakou přesností lze měřit geometrické rozměry při vysokých zvětšeních.<br />

Analýzou bylo zjištěno, že maximální relativní chyba se pohybuje u klasického SEM.<br />

Klasický rastrovací elektronový mikroskop (CSEM) pracující s vysokým vakuem v režimu<br />

sekundárních elektronů vyžaduje povrchovou úpravu těch preparátů, které se vlivem<br />

dopadajících primárních elektronů nabíjejí, popř. je jejich povrch energií elektronů narušován.

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!