Sinusové LC oscilátory a oscilátory řízené krystalem - Stanley

Sinusové LC oscilátory a oscilátory řízené krystalem - Stanley Sinusové LC oscilátory a oscilátory řízené krystalem - Stanley

stanley.8u.cz
from stanley.8u.cz More from this publisher
20.06.2013 Views

Sinusové LC oscilátory a oscilátory řízené krystalem Obecně jsou oscilátory všechna zařízení, která vytvářejí periodicky proměnné průběhy fyzikálních veličin. V našem případě se budeme zabývat oscilátory, vyrábějícími napětí sinusového průběhu. Nejprve se budeme zabývat oscilátory LC. Tyto oscilátory jsou obecně určeny pro výrobu vysokofrekvenčních signálů. Po zavedení elektrické energie do obvodu LC se tento obvod rozkmitá na svém rezonančním kmitočtu. Pokud by byly součástky ideální, pak by tyto kmity byly netlumené a kondenzátor s cívkou by si do neustále předávaly svou energii. Protože se však jedná o reálné součástky L a C, které vykazují určité ztráty, kmitají kmity tlumenými. ¡¢£¤¥¦§ © Obr. 1. Paralelní rezonanční obvod, tlumené kmity, netlumené kmity K udržení oscilací je proto zapotřebí zajistit stálou dodávku energie, která bude kmity udržovat. K tomu slouží aktivní součástka připojená k obvodu LC. Podle typu aktivní součástky a způsobu zapojení rozlišujeme dvoupólové oscilátory využívající prvku se záporným diferenciálním odporem a zpětnovazební oscilátory. U dvoupólových oscilátorů využíváme součástek se záporným diferenciálním odporem – tunelová dioda, tetroda, apod. Každý obvod LC můžeme charakterizovat rezonančním kmitočtem f0 a činitelem jakosti Q = ω0L/Rs = Rp/ω0L. Tento činitel udává, jak rychle doznívají vlastní kmity obvodu po vybuzení vhodným impulsem. Připojíme-li k takovému obvodu aktivní součástku se záporným diferenciálním odporem, bude se jím kompenzovat ztrátový odpor obvodu LC a tím se bude zvětšovat jeho činitel jakosti. Výsledný reálný odpor může být dokonce záporný, pak bude činitel Q rovněž záporný a amplituda kmitů bude stoupat. Nebude se tak však dít do nekonečna, neboť součástky vykazující záporný diferenciální odpor ho vykazují pouze v určité pracovní oblasti. ¡¢£ ¥¦§¨Obr. 2. Oscilátor s tunelovou diodou V případě zpětnovazebních oscilátorů jsou ztráty obvodu LC hrazeny prostřednictvím zesilovače s kladnou zpětnou vazbou. 1

<strong>Sinusové</strong> <strong>LC</strong> <strong>oscilátory</strong> a <strong>oscilátory</strong> <strong>řízené</strong> <strong>krystalem</strong><br />

Obecně jsou <strong>oscilátory</strong> všechna zařízení, která vytvářejí periodicky proměnné průběhy fyzikálních<br />

veličin. V našem případě se budeme zabývat <strong>oscilátory</strong>, vyrábějícími napětí sinusového průběhu.<br />

Nejprve se budeme zabývat <strong>oscilátory</strong> <strong>LC</strong>. Tyto <strong>oscilátory</strong> jsou obecně určeny pro výrobu vysokofrekvenčních<br />

signálů. Po zavedení elektrické energie do obvodu <strong>LC</strong> se tento obvod rozkmitá na svém<br />

rezonančním kmitočtu. Pokud by byly součástky ideální, pak by tyto kmity byly netlumené a kondenzátor<br />

s cívkou by si do neustále předávaly svou energii. Protože se však jedná o reálné součástky<br />

L a C, které vykazují určité ztráty, kmitají kmity tlumenými.<br />

¡¢£¤¥¦§<br />

©<br />

Obr. 1. Paralelní rezonanční obvod, tlumené kmity, netlumené kmity<br />

K udržení oscilací je proto zapotřebí zajistit stálou dodávku energie, která bude kmity udržovat.<br />

K tomu slouží aktivní součástka připojená k obvodu <strong>LC</strong>. Podle typu aktivní součástky a způsobu<br />

zapojení rozlišujeme dvoupólové <strong>oscilátory</strong> využívající prvku se záporným diferenciálním odporem a<br />

zpětnovazební <strong>oscilátory</strong>.<br />

U dvoupólových oscilátorů využíváme součástek se záporným diferenciálním odporem – tunelová dioda,<br />

tetroda, apod. Každý obvod <strong>LC</strong> můžeme charakterizovat rezonančním kmitočtem f0 a činitelem jakosti<br />

Q = ω0L/Rs = Rp/ω0L. Tento činitel udává, jak rychle doznívají vlastní kmity obvodu po vybuzení<br />

vhodným impulsem. Připojíme-li k takovému obvodu aktivní součástku se záporným diferenciálním<br />

odporem, bude se jím kompenzovat ztrátový odpor obvodu <strong>LC</strong> a tím se bude zvětšovat jeho činitel<br />

jakosti. Výsledný reálný odpor může být dokonce záporný, pak bude činitel Q rovněž záporný a<br />

amplituda kmitů bude stoupat. Nebude se tak však dít do nekonečna, neboť součástky vykazující<br />

záporný diferenciální odpor ho vykazují pouze v určité pracovní oblasti.<br />

¡¢£<br />

¥¦§¨Obr. 2. Oscilátor s tunelovou diodou<br />

V případě zpětnovazebních oscilátorů jsou ztráty obvodu <strong>LC</strong> hrazeny prostřednictvím zesilovače s kladnou<br />

zpětnou vazbou.<br />

1


¡¢£<br />

¥¦§¨Obr. 3. Zesilovač se zpětnou vazbou<br />

Zpětnovazební oscilátor bude oscilovat pouze za určitých podmínek a těmi jsou<br />

βA = 1<br />

∈<br />

což je tzv. amplitudová podmínka oscilací, a<br />

ϕβA = 2kπ, k<br />

což je tzv. fázová podmínka oscilací<br />

Jako příklad zpětnovazebního oscilátoru zde uvedeme Meisnerovo zapojení.<br />

¡¢£<br />

¥¦§¨<br />

4. Meisnerův oscilátor se společným emitorem<br />

Obr.<br />

Zpětnovazební člen β je tvořen laděným obvodem LcC v kolektoru tranzistoru induktivně vázaným<br />

s vinutím v bázi LB. Smysl vinutí vyznačený tečkami je volen tak, aby napětí v bodě 2 a v bodě 3<br />

měla navzájem opačnou fázi a byla tedy při zapojení SE splněna fázová podmínka oscilací.<br />

Činitel zpětné vazby β<br />

β = n2<br />

n1<br />

2


Pro přenos zesilovače platí<br />

A = −y21eZ<br />

kde Z je v našem případě impedance rezonančního obvodu, takže<br />

Rp<br />

A = −y21e<br />

1 + jQF<br />

Fázová podmínka oscilací bude splněna na kmitočtu, při kterém jsou napětí v bodech 2 a 3 otočena<br />

právě o 180 ◦ . Tímto kmitočtem je rezonanční kmitočet obvodu <strong>LC</strong>, při němž je poměrné rozladění<br />

F = 0 a tedy přenos<br />

A = −y21eRp<br />

Dosazením tak získáváme amplitudovou podmínku oscilací pro tento konkrétní popisovaný obvod<br />

<br />

βA = −y21eRp<br />

= 1<br />

− n2<br />

n1<br />

n2<br />

= y21eRp<br />

n1<br />

Často se můžeme setkat s tříbodovými zapojeními oscilátorů. Tyto <strong>oscilátory</strong> mají buď indukční<br />

nebo kapacitní větev rezonančního obvodu upravenou jako dělič, který je ve třech bodech připojen<br />

k zesilovači.<br />

¡¢ 5. Zapojení obvodu <strong>LC</strong> u Hartleyova a Colpittsova oscilátoru<br />

(tříbodová zapojení)<br />

¤¥¦Obr.<br />

Problematika <strong>LC</strong> oscilátorů je rozsáhle provedena např. v publikaci [VM82].<br />

Oscilátory <strong>řízené</strong> <strong>krystalem</strong> se vyznačují především svou vysokou stabilitou. Řídící člen je tvořen<br />

piezoelektrickým rezonátorem, což je destička vhodně vyříznutá z křemene, nebo jiného piezoelektrického<br />

krystalu. Tato destička je volně uložena mezi dvěma kovovými elektrodami. Střídavé napětí<br />

přivedené na elektrody rezonátoru způsobí mechanické kmity krystalového výbrusu. Amplituda mechanických<br />

kmitů dosáhne maxima, jestliže kmitočet ladícího elektrického napětí bude roven vlastnímu<br />

mechanickému rezonančnímu kmitotu destičky oscilátoru. Změna amplitudy mechanických kmitů<br />

se projevuje jako změna elektrické impedance. Na obr. 6c vykazuje impedance dva lokální extrémy.<br />

Při kmitočtu fs je nejmenší, při kmitočtu fp, který je o málo větší než fs je největší. Při kmitočtech<br />

vyšších než fp je dochází ke zmenšení impedance. Je tedy zřejmé, že na kmitočtu fs a v jeho okolí má<br />

rezonátor analogické vlastnosti se sériovým rezonačním obvodem a na kmitočtu fp a v jeho okolí analogické<br />

vlastnosti s obvodem paralelním. Na obr. 6b vidíme náhradní schéma rezonátoru.Významný je<br />

zde fakt, že činitel jakosti rezonátoru se pohybuje v řádech 10 4 až 10 5 . Krystalové rezonátory (v komerční<br />

sféře nazývané pouze „krystaly) se vyrábějí v širokém rozsahu kmitočtů. Výjimkou nejsou ani<br />

3


krystaly s relativně nízkým kmitočtem 32768 Hz, používané v obvodech digitálních hodin. Příklady<br />

zapojení oscilátoru jsou na obr. 7. Další informace lze nalézt v literatuře [VM82] a [HBN86].<br />

¡¢£¤<br />

¦§¨©<br />

<br />

¡¢£¤¥<br />

¨©<br />

<br />

<br />

Obr. 7. Krystalové <strong>oscilátory</strong><br />

Použitá literatura<br />

Obr. 6. Piezoelektrický rezonátor:<br />

a) schématická značka, b) náhradní<br />

schéma, c) impedanční charakteristika<br />

[HBN86] Hojka, J. – Boltík, J. – Nobilis, J.: Radioelektronická zařízení I. SNTL, Praha, 1986.<br />

[HV88] Hojka, J. – Vomela, J.: Radioelektronická zařízení II. SNTL, Praha, 1988.<br />

[VM82] Vackář, J. – Marvánek, L.: Radiolektronická zařízení pro 4. ročník SPŠ elektrotechnických.<br />

SNTL, Praha, 1986.<br />

4

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!