Uudu Usai "Elektroonika Komponendid"
Uudu Usai "Elektroonika Komponendid"
Uudu Usai "Elektroonika Komponendid"
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk. 61<br />
IGBT on liittransistor, kus sisendis on isoleeritud paisuga väljatransistor ja<br />
väljundis suurevõimsuseline bipolaartransistor. Peale nende sisaldab ta veel täiendavaid<br />
elemente. Tema skemaatiline ehitus, aseskeem ja tingmärk on toodud joonisel 7.11.<br />
Tänu sellisele ehitusele on ühises korpuses paiknevasse elementi liidetud<br />
väljatransistori suur sisendtakistus ja bipolaartransistori väike küllastuspingelang. Neid<br />
valmistatakse küllalt laias valikus erinevate parmeetritega erinevate kasutuste jaoks.<br />
JOONIS7.11.<br />
7.5. Väljatransistoride eriliike<br />
7.5.1. Kahe paisuga väljatransistor Dual-Gate FET<br />
Kahe paisuga väljatransistor on formeerkanaliga MOSFET transistor, mille<br />
kanalile on tekitatud kaks paisu joonisel 7.12 toodu kohaselt. Sellel transistoril on<br />
võimalus tüürida voolu korraga kahe signaali abil. Teda kasutatakse raadiotehnikas<br />
automaatsetes võimenduse regulaatorites, segustites jne.<br />
JOONIS 7.12<br />
7.5.2. Schottky barjääriga väljatransistor.<br />
Nimetatu on oma tööpõhimõttelt sarnane p-n-siirdega väljatransistorile. Materjalina<br />
kasutatakse galliumarseniidi (GaAs) ja paisuna toimib kanalile kantud<br />
metallikiht. Nii tekib kanalile Schottky siire. Eripäraks on lühike (1 um) ja õhuke ( 0,1<br />
um) kanal, mistõttu on töösagedus kõrge. Ka säilib tal paisu tüüriv toime kuni 0,5 V<br />
positiivse pingeni.
Change language