Uudu Usai "Elektroonika Komponendid"
Uudu Usai "Elektroonika Komponendid"
Uudu Usai "Elektroonika Komponendid"
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
ELEKTROON1KAKOMPONENDID lk 50<br />
dünaamiliste tunnusjoonte abil peab silmas pidama, et tööpunkt ei tohi üheski režiim<br />
ületada piirparameetreid. Tööpunkt peab alati jääma sissepoole joonisel 6.25 toodu.<br />
piirväärtuste joontest.<br />
JOONIS 6.25.<br />
6.8. Transistoride omaduste sõltuvus sagedusest<br />
Nagu juba transistoride parameetrite juures nimetatud, hakkavad transistori<br />
võimendusomadused sageduse suurenedes halvenema, mis avaldub<br />
voolu-võimendusteguri vähenemises. Selle nähtuse põhjusi on kaks. Esimeseks<br />
põhjuseks on kollektorsiirde mahtuvus, mille mahtuvustakistus hakkab sildama<br />
kollektorsiiret ja see kaotab oma omadused. Mahtuvuse toime on seda tugevam, mida<br />
suurem on see mahtuvus ja mida kõrgem on sagedus. Teiseks põhjuseks on<br />
laengukandjate difusioonne liikumine baasis. Elektronide liikumiskiirused on üldiselt<br />
küllalt suured, kuid tingituna elektrivälja puudumisest baasis liiguvad nad seal<br />
difusioonselt (korrapäratult) ja eri laengukandjate teed baasi läbimisel on erineva<br />
pikkusega. Tulemus on see, et sisendsignaali toimel üheaegselt emitterist baasi<br />
läinud laengukandjad jõuavad kollektorisse erinevatel ajahetketel. Nii venivad<br />
impuss-signaalide korral välja impulsi küljed. Siinussignaalide korral aga vähenevad<br />
väljundvoolu muutused, kuna signaali ühel poolperioodil baasi läinud laengukandjatest<br />
jõuab osa kollektorisse hoopis teisel poolperioodil ja tulemuseks ongi väljundvoolu<br />
muutuste vähenemine.<br />
Võime öelda, et transistoride sageduslike omaduste parendamiseks on olemas<br />
kolm võimalust: 1) vähendada kollektorsiirde mahtuvust; 2) vähendada baasi laiust; 3)<br />
suurendada laengukandjate liikumiskiirust baasis. Neid võimalusi arvestatakse<br />
kõrg-sagedulike transistoride konstrueerimisel. Lisaks on füüsikast teada, et<br />
elektronide liikuvus pooljuhis on peaaegu kaks korda suurem aukude liikuvusest. See on<br />
üheks põhjuseks, miks kaasajal eelistatakse n-p-n transistore p-n-p transistoridele.<br />
Kõik nimetatud põhjused võimendusteguri vähenemiseks võtavad kokku transistori<br />
sagedusparameetrid fά , fβ ja fT.<br />
6.9. Transistoride omaduste sõltuvus temperatuurist ja tööpunktist<br />
Transistoride omaduste ja parameetrite kõige tugevamaks mõjutajaks on temperatuur.<br />
See tuleneb vähemuslaengukandjate kontsentratsiooni temperatuurisõltuvusest.<br />
Olulisimaks mõjutajaks on kollektori vastuvoolu temperatuurisõltuvus, mille põhjuseks<br />
on täiendavate vähemuslaengukandjate tekkimine temperatuuri tõusul. Toime avaldub<br />
kollektori ja emitteri voolu suurenemises baasivoolu muutumatuna olles. Praktiliselt<br />
avaldub see kollektori algvoolu suurenemises, mille hindamine võib toimuda sama
Change language