06.05.2013 Views

Uudu Usai "Elektroonika Komponendid"

Uudu Usai "Elektroonika Komponendid"

Uudu Usai "Elektroonika Komponendid"

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk.47<br />

6.5.4. Võimendusparameetrid.<br />

Vooluvõimendustegur h21e (tähistatakse ka β ja hfe) on väljundvoolu muutuste ja<br />

seda põhjustanud sisendvoolu muutuste suhe vahelduvvoolule lühistatud väljundi<br />

korral CE lülituses.<br />

Staatiline vooluülekandetegur B (tähistatakse ka HFE ja h21E) on CE lülituses<br />

kollektori- ja baasivoolude suhe alalisvoolurežiimis.<br />

Läbivjuhtivus ehk tõus y21 (ka S) on väljundvoolu muutuse ja sisendpinge muutuse<br />

suhe (ühikuks mA/V või mS).<br />

Võimsusvõimendustegur Gp on väljundvõimsuse ja sisendvõimsuse suhe<br />

sobitatud koormuse korral.<br />

Väljundvõimsus Pout on võimendusastmest etteantud sagedusel saadav võimsus.<br />

Transistori võimendusomaduste sõltuvust sagedusest iseloomustab<br />

transiit-sagedus fT, mis on sagedus, mil transistor lakkab võimendamast s.o. kui<br />

vooluvõimendustegur CE lülituses muutub võrdseks ühega. Võimenduse langus algab<br />

juba sagedustest 0,1 fT ja võimendustegur sagedustel 0,1... 1 fT on määratav valemiga:<br />

h21e = fT /f<br />

Kasutatakse ka võimenduse piirsageduse mõistet fβ, mis on sagedus, mil<br />

vooluvõimendus langeb maksimaalsest 30% CE lülituses.<br />

6.5.5. Lülitirežiimi parameetrid.<br />

Baasi ja emitteri vaheline küllastuspinge UBESAT on nende elektroodide vaheline<br />

pinge küllastusrežiimis (etteantud baasi- ja kollektorivoolul).<br />

Kollektori ja emitteri vaheline küllastuspinge UCEsat on nende elektroodide<br />

vaheline pinge küllastusrežiimis.<br />

6.5.6. Siirete mahtuvused.<br />

Kollektorsiirde mahtuvus Cc on baasi ja kollektori vaheline mahtuvus, kui<br />

emitterahel on katkestatud ja kollektorsiirdel on vastupinge.<br />

Emittersiirde mahtuvus CE on emitteri ja baasi vaheline mahtuvus, kui<br />

kollektorahel on katkestatud ja emittersiirdel on väike vastupinge.<br />

6.5.7. Mürategur.<br />

Mürategur F on transistori väljundahelas ilmneva müra koguvõimsuse suhe (dB)<br />

nimetatud võimsuse sellesse ossa, mida põhjustab signaaliallika soojusmüra.<br />

6.6. Transistoride parameetrite määramine<br />

Vajadus konkreetseks parameetrite määramiseks võib praktikas tekkida kahel<br />

juhul - 1) kui ei õnnestu käsiraamatutest leida arvutusteks vajalikke parameetreid või 2)<br />

kui kasutatakse transistoril sellist režiimi, mis erineb oluliselt tüüpilisest, nii, et<br />

käsiraamatu parameetrid osutuvad reaalsetest oluliselt erinevateks. Sellisel juhul tuleb<br />

leida parameetrid tunnusjoontelt, arvestades tegelikku tööpunkti (töörežiimi).<br />

Vaatleme h-parameetrite määramist CE lülituse jaoks, kui on olemas enamkasutatavad<br />

sisend- ja väljundtunnusjooned. Vaadeldaval juhul ∆I1 = ∆IB, ∆I2 = ∆lc, ∆U1<br />

= ∆UBE ja ∆U2 = ∆UCE. Tingimused ∆U2 = 0 ja ∆I1 = 0 tähendavad vastavalt lühist ja avatud<br />

sisendit vahelduvvoolule ja need tingimused võib asendada tingimustega U2 = const ja<br />

I1 = const.

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!