Uudu Usai "Elektroonika Komponendid"
Uudu Usai "Elektroonika Komponendid"
Uudu Usai "Elektroonika Komponendid"
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk.47<br />
6.5.4. Võimendusparameetrid.<br />
Vooluvõimendustegur h21e (tähistatakse ka β ja hfe) on väljundvoolu muutuste ja<br />
seda põhjustanud sisendvoolu muutuste suhe vahelduvvoolule lühistatud väljundi<br />
korral CE lülituses.<br />
Staatiline vooluülekandetegur B (tähistatakse ka HFE ja h21E) on CE lülituses<br />
kollektori- ja baasivoolude suhe alalisvoolurežiimis.<br />
Läbivjuhtivus ehk tõus y21 (ka S) on väljundvoolu muutuse ja sisendpinge muutuse<br />
suhe (ühikuks mA/V või mS).<br />
Võimsusvõimendustegur Gp on väljundvõimsuse ja sisendvõimsuse suhe<br />
sobitatud koormuse korral.<br />
Väljundvõimsus Pout on võimendusastmest etteantud sagedusel saadav võimsus.<br />
Transistori võimendusomaduste sõltuvust sagedusest iseloomustab<br />
transiit-sagedus fT, mis on sagedus, mil transistor lakkab võimendamast s.o. kui<br />
vooluvõimendustegur CE lülituses muutub võrdseks ühega. Võimenduse langus algab<br />
juba sagedustest 0,1 fT ja võimendustegur sagedustel 0,1... 1 fT on määratav valemiga:<br />
h21e = fT /f<br />
Kasutatakse ka võimenduse piirsageduse mõistet fβ, mis on sagedus, mil<br />
vooluvõimendus langeb maksimaalsest 30% CE lülituses.<br />
6.5.5. Lülitirežiimi parameetrid.<br />
Baasi ja emitteri vaheline küllastuspinge UBESAT on nende elektroodide vaheline<br />
pinge küllastusrežiimis (etteantud baasi- ja kollektorivoolul).<br />
Kollektori ja emitteri vaheline küllastuspinge UCEsat on nende elektroodide<br />
vaheline pinge küllastusrežiimis.<br />
6.5.6. Siirete mahtuvused.<br />
Kollektorsiirde mahtuvus Cc on baasi ja kollektori vaheline mahtuvus, kui<br />
emitterahel on katkestatud ja kollektorsiirdel on vastupinge.<br />
Emittersiirde mahtuvus CE on emitteri ja baasi vaheline mahtuvus, kui<br />
kollektorahel on katkestatud ja emittersiirdel on väike vastupinge.<br />
6.5.7. Mürategur.<br />
Mürategur F on transistori väljundahelas ilmneva müra koguvõimsuse suhe (dB)<br />
nimetatud võimsuse sellesse ossa, mida põhjustab signaaliallika soojusmüra.<br />
6.6. Transistoride parameetrite määramine<br />
Vajadus konkreetseks parameetrite määramiseks võib praktikas tekkida kahel<br />
juhul - 1) kui ei õnnestu käsiraamatutest leida arvutusteks vajalikke parameetreid või 2)<br />
kui kasutatakse transistoril sellist režiimi, mis erineb oluliselt tüüpilisest, nii, et<br />
käsiraamatu parameetrid osutuvad reaalsetest oluliselt erinevateks. Sellisel juhul tuleb<br />
leida parameetrid tunnusjoontelt, arvestades tegelikku tööpunkti (töörežiimi).<br />
Vaatleme h-parameetrite määramist CE lülituse jaoks, kui on olemas enamkasutatavad<br />
sisend- ja väljundtunnusjooned. Vaadeldaval juhul ∆I1 = ∆IB, ∆I2 = ∆lc, ∆U1<br />
= ∆UBE ja ∆U2 = ∆UCE. Tingimused ∆U2 = 0 ja ∆I1 = 0 tähendavad vastavalt lühist ja avatud<br />
sisendit vahelduvvoolule ja need tingimused võib asendada tingimustega U2 = const ja<br />
I1 = const.