Uudu Usai "Elektroonika Komponendid"

ELEKTROON1KAKOMPONENDID lk.45
Ligikaudsus tuleneb sellest, et h on määratud lühistatud väljundi korral. Tegelikus
tööolukorras on aga väljundis suhteliselt väike takistus (võrreldes kollektorsiirde
takistusega), mistõttu nad kujunevadki väga lähedasteks.
h-parameetrite laialdane kasutamine on tingitud nende mõõterežiimide hõlpsast
realiseeritavusest ja ka sellest, et transistori tegelik töörežiim kujuneb h-parameetrite
mõõterežiimile lähedaseks ja seetõttu nad iseloomustavad suuresti ka
transistor-võimendusastme omadusi, h-parameetrite väärtused sõltuvad transistori
tüübist ja lülitusest. Nende väärtused saadakse kas kataloogidest, määratakse
staatilistelt tunnusjoontelt või mõõdetakse spetsiaalse seadmega.
Nagu eespool mainitud, vastab igale parameetrite süsteemile oma aseskeem, kus
siis parameetrid kujutavad vastavaid lülituselemente. Joonisel 6.19. on toodud y-ja
h-parameetrite aseskeemid, mis on kooskõlas parameetrite võrranditega.
JOONIS 6.19.
Toodud aseskeeme on võimalik teisendada ka ühe generaatoriga aseskeemideks.
Mainitud aseskeemidelt ei ole aga kuigi selgesti arusaadav selle seos transistori
tööpõhimõttega. Sellest seisukohast on on näitlikum nn. füüsikaline ehk
primaar-parameetritega aseskeem, mis CB lülituse jaoks on toodud joonisel 6.20.
JOONIS 6.20.
kus: re on emittersiirde takistus;
rk - kollektorsiirde takistus;
rb - baasi takistus.
Füüsikaline aseskeem on küll väga ilmekas, kuid ta ei ole levinud seepärast, et
primaarparameetrid re, rb ja rk pole otseselt mõõdetavad. Neid võib määrata kaudselt z-.
y- või h-parameetrite kaudu.. Toodud füüsikalist aseskeemi nimetatakse ka
T-kujuliseks aseskeemiks.Toodud aseskeemidel ei ole ühtki reaktiiv-elementi, mis on