Uudu Usai "Elektroonika Komponendid"

s.o. transistori sisendjuhtivus lühistatud väljundi korral;
s.o. vastuülekandejuhtivus, mis iseloomustab väljundpinge mõju sisendvoolule lühistatud sisendi
korral;
s.o päriülekandejuhtivus ühtivus, mis iseloomustab sisendpinge mõju väljundvoolule lühistatud
väljundi korral;
s.o. väljundjuhtivus lühistatud sisendi korral.
Päriülekandejuhtivust nimetatakse sageli ka tõusuks ja seda mõistet eelistatakse mõnikord
suurevõimsuseliste transistoride iseloomustamisel, y-parameetrite mõõtmisel valmistab raskusi y12
määramine, kus tuleb mõõta lühistatud sisendi korral väikest sisendvoolu.
h-parameetrite süsteem on kombineeritud nn. hübriidsetest sõltuvustest
Vastavalt sellele kujuneb võrrandsüsteem järgmiseks:
h-parameetrite määramiseks on vajalik lühistatud väljundi režiim (U2 = 0) ja avatud
sisendi režiim (I1 = 0). h-parameetrid avalduvad järgmiselt:
s.o. transistori sisendtakistus (Input impedance) lühistatud väljundi korral;
s.o. tagasisidetegur (voltage feedback ratio) avatud sisendi korral;
s.o. vooluvõimendustegur (current gain) lühistatud väljundi korral;
s.o väljundjuhtivus (output admittance) avatud sisendi korral.
On oluline märkida, et CB lülitusel ά ≈ h21 ja CE lülitusel β ≈ h21.