Uudu Usai "Elektroonika Komponendid"
Uudu Usai "Elektroonika Komponendid"
Uudu Usai "Elektroonika Komponendid"
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
ELEKTROON1KAKOMPONENDID lk. 42<br />
Sellest tulenevalt on nüüd sisendtunnusjooneks IB = f ( UBC), kui UCE = const.<br />
Vastavad sisendtunnusjooned on toodud joonisel 6.17.<br />
JOONIS 6.17.<br />
Sellele lülitusele on iseloomulik, et UBE = UCE - UCB, millest tulenevalt on<br />
baasivoolu tekkimine võimalik ainult siis, kui baasi ja kollektori vaheline pinge on<br />
vastavalt (0,5..0,7V) kollektori ja emitteri vahelisest pingest väiksem. Kui need pinged<br />
võrdsustuvad, muutub sisendvool nulliks, kuna emittersiirdele ei tule enam<br />
pärisuuna-pinget.<br />
Seevastu väljundtunnusjoontena võime kasutada CE lülituse väljundtunnusjooni.<br />
Ainsaks erinevuseks on see, et väljundvooluks on nüüd kollektorvoolu asemel<br />
emitterivool, mis erineb viimasest ainult mõne protsendi võrra.<br />
6.5. Transistori parameetrid<br />
Peale staatiliste tunnusjoonte kasutatakse transistoride omaduste iseloomustamiseks<br />
veel mitmeid parameetreid. Parameetrid iseloomustavad transistori omadusi<br />
teatud kindlas tüüprežiimis ja võimaldavad sageli arvutusi lihtsustada. Transistoride<br />
puhul on otstarbekas arvutusteks kasutada parameetreid neil juhtudel, kui<br />
sisend-signaalid on väikesed. Suurte sisendsignaalide puhul on õigem valida režiim ja<br />
teha arvutused grafoanalüütilistel meetoditel. Sel juhul sooritatakse arvutused põhiliselt<br />
staatiliste ja dünaamiliste tunnusjoonte abil. Arvutustulemuste erinevus on tingitud<br />
tunnusjoonte mittelineaarsusest, mida parameetrid ei arvesta. Väikestel signaalidel aga<br />
võime lugeda tunnusjooni tööpunkti ümbruses lineaarseiks ja see võimaldabki kasutada<br />
parameetreid kui kindlaid arvudena väljenduvaid seoseid. Ka on parameetrid kui<br />
arvväärtused hästi kasutatavad eri transistoride võrdlemiseks.<br />
6.5.1. Transistori parameetrite süsteemid ja aseskeemid.<br />
Transistoride omaduste iseloomustamiseks võime kasutada z-, y- ja h-parameetrite<br />
süsteeme. Erinevatel parameetrite süsteemidel on aseskeemid erinevad.<br />
Mitmesuguste elektriahelate analüüsimisel kasutatakse kaasajal nn. neliklemmi<br />
mõistet. Neliklemmina võime vaadelda igasugust elektriahelat, kui tal on kaks sisend-ja<br />
kaks väljundklemmi. Teades ja kirjeldades matemaatiliselt sisend- ja väljundsuuruste<br />
vahelisi seoseid saame otsustada neliklemmi omaduste üle ilma, et tema sisemine<br />
lülitus meid üldse huvitaks. Neliklemmid jagunevad passiivseteks ja aktiivseteks<br />
neli-klemmideks. Passiivsel neliklemmil on alati võimsus väljundis väiksem kui<br />
sisendis, s.t. temas ei leidu pinge- ega voolugeneraatoreid. Aktiivsel neliklemmil on<br />
aga väljundis võimsus suurem kui sisendis, st. ta sisaldab kas voolu- või<br />
pingegeneraatoreid, mille abil tuuakse energiat juurde. Just sellise aktiivse
Change language