Uudu Usai "Elektroonika Komponendid"

ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk.30
Mahtuvusdioodide parameetrid on järgmised:
1. nimimahtuvus Ctot n on dioodi mahtuvus teatud väikesel vastupingel;
2. mahtuvuse kattetegur k = Ctot U1 / Ctot U2 väljendab nimimahtuvuse ja suurimale
lubatavale vastupingele vastava minimaalse mahtuvuse suhet;
3. hüvetegur Q = Xc/ RK , kus Xc on mahtuvusdioodi reaktiivtakistus ja R kaotakistus;
4. mahtuvuse temperatuuritegur on mahtuvuse suhteline muutus temperatuuri muutumisel
1 °C võrra.
Photodiode
5.6. Fotodiood
Fotodiood on pooljuhtdiood, mis on konstrueeritud nii, et on võimalik valguse
pääs p-n-siirde tsooni ehk täpsemalt tõkkekihti. Tõkkekihti sattunud valguskvandid
tekitavad oma energia toimel seal voolukandjate - elektronide ja aukude - paare.
Tekkinud laengukandjate paarid sattuvad tõkkekihis seal mõjuva elektrivälja toime alla
ja selle mõjul liiguvad augud pooljuhi p-ossa ja elektronid n-ossa. Fotodioodi
skemaatiline konstruktsioon on toodud joonisel 5.4.
JOONIS 5.4.
Nimetatud laengukandjate liikumise tulemusena tekkib fotodioodi klemmidel
valgustustugevusest sõltuv elektromotoorjõud. See on fotodioodi generaatori ehk fotoelemendi
režiim, mida kasutatakse fotoelementides ja päikesepatareides. Automaatikas
kasutatakse fotodioodi generaatorirežiimi harva, kuna tal on suur inerts.
Kui pingestada fotodiood vastupingega, tekib fotodioodi režiim, kus dioodi
vastuvool hakkab sõltuma valgustusest. Selles režiimis on inerts väga väike ja
fotodioodi saab kasutada väga kiirete (isegi nanosekundiliste) valgusmuutuste
registreerimiseks. Seejuures on voolu muutused praktiliselt lineaarses sõltuvuses
valgustustugevusest. Fotodioodi tunnusjooned on toodud joonisel 5.5.
JOONIS 5.5.