GaAs, InP, GaN

More documents

Recommendations

Info

R Al<strong>GaN</strong> HP <strong>GaN</strong> Akceptowalne Za małe Wygięcie struktury laserowej w zależności od grubości podłoża R(cm) 1000 cladding 100 10 120 µm 90 µm 60 µm 0 5 10 15 20 Al content (%)
EPD w strukturze epitaksjalnej niebieskiego lasera 50 µm Około 5 dyslokacji na pasek, w tym 0-1 0 1 przecinających warstwę aktywną 10 5 cm -2 20 µm m LD pasek
Page 1 and 2: Fizyka i technologia wzrostu kryszt
Page 3 and 4: DEFINICJA Epitaksja- nakładanie wa
Page 5 and 6: Plan Zastosowania struktur warstw e
Page 7 and 8: Diody elektroluminescencyjne LED Ga
Page 9 and 10: HEMT, także sensory gazów i ciecz
Page 11 and 12: Ogniwa słoneczne
Page 13 and 14: Zasada działania MBE
Page 15 and 16: Appropriate other meanings of MBE M
Page 17 and 18: RHEED
Page 19 and 20: TEM struktury laserowej wzrastanej
Page 21 and 22: Wlot grupy V NH3 SiH4 gaz nośny MO
Page 23 and 24: Wielowaflowe (multiwafer) reaktory
Page 25 and 26: Wbudowywanie się In w InGaN w zale
Page 27 and 28: III. Problem niedopasowania sieciow
Page 29 and 30: Homoepitaksja Warstwa tego samego z
Page 31 and 32: Rozepchnięcie sieci przez swobodne
Page 34 and 35: Jak stwierdzamy, czy warstwa jest z
Page 36 and 37: Wartości krytyczne zależą nie ty
Page 40 and 41: EPD- EPD informacja gdzie się dysl
Page 42 and 43: GaN na szafirze-przykład bardzo du
Page 44 and 45: I (zliczenia/sek.) 10000 1000 100 1
Page 46 and 47: Zróbmy defekty tylko tam, gdzie ni
Page 48 and 49: Struktura laserowa na pasiastym pod
Page 50 and 51: intensity (cps) Czasem wielostudnie
Page 52 and 53: Jak badamy gładkość międzypowie
Page 54 and 55: Przykład badań: studnie InGaN QW
Page 56 and 57: CL peak energy (eV) 3.09 3.08 3.07
Page 58 and 59: V. Domieszkowanie Donory np. Si, O
Page 60 and 61: TEM struktury laserowej z za dużą

GaAs, InP, GaN

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?