Poster Özetleri - Department of Physics

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Bek A. Orta Doğu Teknik Üniversitesi Ç3Bilenko D. I. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P18, P19Bilgin V. Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi P28, P29Bilican İ. Kırıkkale Üniversitesi P12, P91Bosi M. IMEM, CNR, Parma, İtalya P69, P70Bulut N. İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü Ç1Bülbül C. Gazi Üniversitesi P58Bütün S. Bilkent Üniversitesi P67Büyükgüngör O. Ondokuz Mayıs Üniversitesi P103, P104Can M. M. Sabancı Üniversitesi S10Candan İ. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P99, P100, P102Candan A. Gazi Üniversitesi P48, P49, P50, P51, P52Ceylan E. Eskişehir Osmangazi Üniversitesi P40Clerjaud B. Pierre et Marie Curie Üni., Paris, Fransa P69, P70Coşkun Ö. D. Hacettepe Üniversitesi P84, P85Coşkunyürek M. Kastamonu Üniversitesi P88Çabuk S. Çukurova Üniversitesi S06, P32Çabuk G. Dumlupınar Üniversitesi P34Çakıcı M. S. Selçuk Üniversitesi P109Çakmak M. Gazi Üniversitesi P17Çankaya G. Yıldırım Beyazıt Üniversitesi P80, P81Çelik Ö. Hacettepe Üniversitesi P6Çelik V. Balıkesir Üniversitesi S05Çetin S. Ş. Gazi Üniversitesi P69, P70, P71, P72, P78Çetin H. Bozok Üniversitesi P107Çetinkaya S. Ç. Eskişehir Osmangazi Üniversitesi P45Çitioğlu S. Hacettepe Üniversitesi P6Çivi M. Gazi Üniversitesi P16, P98Çoban C. Balıkesir Üniversitesi P26Çoban M. B. Dumlupınar Üniversitesi P34Çolakoğlu K. Gazi Üniversitesi P22, P24, P26, P54, P56, P57, P58,P59, P60, P61, P62, P73, P76Dede M. Nanomanyetik Bilimsel Cihazlar Ltd. Şti. S09, P107Değirmenci C. Kardökmak A.Ş. P86Deligöz E. Aksaray Üniversitesi P24, P54, P59, P60, P62, P73, P76Demir Z. Niğde Üniversitesi P23Demirci Y. Anadolu Üniversitesi P1Demirselçuk B. Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi P28, P29Demirtaş M. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P102Dinçer İ. Ankara Üniversitesi S03, P18, P19, P20Doğruer M. Mustafa Kemal Üniversitesi P13, P14, P15Efkere H. İ. Erciyes Üniversitesi P72, P78Ekiz A. Gazi Üniversitesi P53, P75Ekşi D. Trakya Üniversitesi S13Elerman Y. Ankara Üniversitesi S03, P18, P19, P20Elibol K. Gazi Üniversitesi P64, P66, P672

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Ellialtıoğlu R. Hacettepe Üniversitesi P48, P49, P50, P51, P52, P53, P75Ellialtıoğlu Ş. Orta Doğu Teknik Üniversitesi S05Erçelebi Ç. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P99, P100Erdem R. Akdeniz Üniversitesi P23Erden S. G. Dokuz Eylül Üniversitesi P33Erdinç A. Erciyes Üniversitesi P9, P108Erdoğan B. Eskişehir Osmangazi Üniversitesi P38, P45Ergen S. Gaziosmanpaşa Üniversitesi P113Ergün A. H. Gazi Üniversitesi P54Erkarslan U. Muğla Üniversitesi P82Es F. Orta Doğu Teknik Üniversitesi S07Eser E. Çukurova Üniversitesi P30Evecen M. Amasya Üniversitesi P17Fırat T. Hacettepe Üniversitesi S04, S10, P6, P7Fiat S. Gaziosmanpaşa Üniversitesi P81Fichtner M. Karlsruhe Institute of Technology , Almanya P7Filazi Ö. Adıyaman Üniversitesi P31, P97Galushka V. V. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P18, P19Gençyılmaz O. Eskişehir Osmangazi Üniversitesi P43, P44Gerhardts R. R. Max-Planck, Festkörperforschung, Almanya P33German S. V. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P20Gorin D. A. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P20Göde F. Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi P31, P97Gülen M. Abant İzzet Baysal Üniversitesi P15Güllü H. H. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P99, P100, P102Gülnahar M. Erzincan Üniversitesi P110Gülpınar G. Dokuz Eylül Üniversitesi S08, P4Gülseren O. Bilkent Üniversitesi P27Gümüş N. M. Kırıkkale Üniversitesi P90Gümüş C. Çukurova Üniversitesi P31, P97Gümüş S. Ondokuz Mayıs Üniversitesi P103Gündoğdu G. Hacettepe Üniversitesi P84Günendi M. C. Bilkent Üniversitesi P27Güneri E. Erciyes Üniversitesi P31, P97Güneş C. Gazi Üniversitesi P64Güngör E. Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi P8, P93, P94, P95, P96Güngör T. Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi P8, P93, P94, P95, P96Gürbüz G. Eskişehir Osmangazi Üniversitesi P40Habiboğlu C. Çukurova Üniversitesi P31, P97Hasanli N. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P25Hütten A. Bielefeld Üniversitesi S03Işık Ş. Ondokuz Mayıs Üniversitesi P105Işık M. Atılım Üniversitesi P25İyigör A. Gazi Üniversitesi P48, P49, P50, P51, P52Jabbarov R. Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi P69, P70Kabak M. Ankara Üniversitesi P223

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P.Moğulkoç Y. Ankara Üniversitesi P22, P26Musayeva N. Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi P69, P70Okur S. İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü S02Oral A. Sabancı Üniversitesi S09, P107Öner İ. Gazi Üniversitesi P24, P60, P61Özbaş Ö. Eskişehir Osmangazi Üniversitesi P41, P46Özbay E. Bilkent Üniversitesi P66, P67Özcan Ş. Hacettepe Üniversitesi S04, P6, P7Özçelik S. Gazi Üniversitesi P69, P70, P71, P72, P77, P78Özdemir Z. İnönü Üniversitesi P105Özdemir G. Abant İzzet Baysal Üniversitesi P13, P14Özdemir M. Erciyes Üniversitesi P35Özdemir B. Orta Doğu Teknik Üniversitesi S07Özen Y. Gazi Üniversitesi P71, P77Özer M. Gazi Üniversitesi P68Özışık H. B. Aksaray Üniversitesi P60, P61Özışık H. Aksaray Üniversitesi P24, P61Öztekin Y. Ç. Gazi Üniversitesi P22, P24, P26, P54, P55, P56, P57,P58, P59, P60, P62, P73, P74, P76, P79Öztuyak E. Karabük Üniversitesi P86Öztürk T. Gazi Üniversitesi P76Öztürk O. Kastamonu Üniversitesi P88Öztürk O. İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü S02Parlak M. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P99, P100, P102Peker M. Eskişehir Osmangazi Üniversitesi P1Pişkin E. Gazi Üniversitesi P72, P78Polat İ. Karadeniz Teknik Üniversitesi P81Polat R. Erzincan Üniversitesi P37Polat M. Eskişehir Osmangazi Üniversitesi P40Räsänen E. Jyväskylä Üniversitesi, Finlandiya P82Riviere J. P. Universite de Poitiers S02Saatçi B. Erciyes Üniversitesi P35Salman A. Akdeniz Üniversitesi S14Sarıateş D. Alparslan Üniversitesi P30Sarıca E. Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi P28, P29Seferoğlu N. Gazi Üniversitesi P63Sel M. Gazi Üniversitesi P68Serin T. Ankara Üniversitesi P21Serin N. Ankara Üniversitesi P21Serincan U. Anadolu Üniversitesi P87Sezgin G. Gazi Üniversitesi P63Shah İ. University of Delaware S04Sharif S. GC Üniversitesi, Pakistan P104Sıddıki A. İstanbul Üniversitesi S01, S13, S14, P33, P82Sonuşen S. Sabancı Üniversitesi P1075

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Sökmen İ. Dokuz Eylül Üniversitesi P33Söyleyici M. Eskişehir Osmangazi Üniversitesi P42Sürücü G. Gazi Üniversitesi P60Şahin S. Gazi Üniversitesi P73Şahin B. Kırıkkale Üniversitesi P12, P89, P91Şahin O. Ondokuz Mayıs Üniversitesi P104Şahin Z. S. Ondokuz Mayıs Üniversitesi P105Şahin M. Selçuk Üniversitesi S11, P9, P108Şahin Ş. H. Ankara Üniversitesi P21Şengör T. Yıldız Teknik Üniversitesi P11Şimşek M. Gazi Üniversitesi P5Şimşek T. Hacettepe Üniversitesi P6Şimşek Ş. Çukurova Üniversitesi S06, P32Takanoğlu D. Pamukkale Üniversitesi P106Taş H. Selçuk Üniversitesi S11Taşal E. Eskişehir Osmangazi Üniversitesi P96Tatar A. Gazi Üniversitesi P55, P74, P79Temel E. Ondokuz Mayıs Üniversitesi P103Terin D. V. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P18, P19Terzioğlu C. Abant İzzet Baysal Üniversitesi P13, P14, P15Tıraş E. Anadolu Üniversitesi P94Tozkoparan O. Ankara Üniversitesi P18, P19, P20Turan R. Orta Doğu Teknik Üniversitesi S07, P92Turan E. Anadolu Üniversitesi P1Tyurin I. A. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P18, P19Ufuktepe Y. Çukurova Üniversitesi P3Uğur Ş. Gazi Üniversitesi P48, P49, P50, P51, P52, P53, P75Uğur G. Gazi Üniversitesi P48, P49, P50, P51, P52Uluer İ. Kırıkkale Üniversitesi P12, P91Uluışık A. Dumlupınar Üniversitesi P34Ulutaş C. Çukurova Üniversitesi P31Uzun O. Gaziosmanpaşa Üniversitesi P113Ünal H. Balıkesir Üniversitesi S05Ünalan H. E. Orta Doğu Teknik Üniversitesi S07Ünaldı T. Eskişehir Osmangazi Üniversitesi P1Varilci A. Abant İzzet Baysal Üniversitesi P13, P14, P15Vatansever E. Dokuz Eylül Üniversitesi S08Wenig S. B. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P20Yalçın O. Niğde Üniversitesi P23Yaşar E. Kırıkkale Üniversitesi P90Yaşar S. Mustafa Kemal Üniversitesi P12, P91Yavuz F. Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi P31, P97Yeniçeri G. Gazi Üniversitesi P59Yeşiltepe M. Hacettepe Üniversitesi P85Yıldırım H. Karabük Üniversitesi P87Yıldırım G. Abant İzzet Baysal Üniversitesi P13, P14, P156

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Yıldırım O. Ankara Üniversitesi P18, P19, P20Yıldırım M. A. Erzincan Üniversitesi P36, P37Yıldırım S. T. Erzincan Üniversitesi P36Yıldız O. Kastamonu Üniversitesi P88Yılmaz M. Gazi Üniversitesi P62Yılmaz F. Gaziosmanpaşa Üniversitesi P113Yurtseven A. Gazi Üniversitesi P65Yurtseven H. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P101Yücel E. Osmaniye Korkut Ata Üniversitesi P13, P14, P15Yücel M. B. Akdeniz Üniversitesi S14Yücel Kurt H. Gazi Üniversitesi P65Yüzüak E. Ankara Üniversitesi S03Zalaoğlu Y. Mustafa Kemal Üniversitesi P14, P15Zor M. Anadolu Üniversitesi P17

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Döndürerek kaplama yöntemi ile bakır oksit filmlerinin elde edilmesi ve optik,yapısal özelliklerinin belirlenmesiY. Demirci 1* , A. Ş. Aybek 2 , M. Peker 3 , M. Kul 2 , T. Ünaldı 3 , E. Turan 2 , ve M. Zor 21 Fen Bilimleri Enstitüsü, Anadolu Üniversitesi, 26470 Eskişehir2 Fen Fakültesi, Anadolu Üniversitesi, 26470 Eskişehir3 Fen-Edebiyat Fakültesi, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, 26480 EskişehirP01CuO filmi döndürerek kaplama yöntemiyle mikroskop cam tabanlar üzerinde oda sıcaklığındaüretilmiştir. Elde edilen filmler 600 o C sıcaklıkta hava ortamında tavlanmıştır. Filmlerinkalınlıkları elipsometri ölçümleri yardımıyla 0,65 μm olarak belirlenmiştir. X-ışınları kırınımdesenlerinden filmlerin rastgele yönelimlere sahip polikristal tenorite yapıda olduğusaptanmıştır. Numunenin tane boyutları yaklaşık 42 nm olarak hesaplanmıştır. Taramalıelektron mikroskobu yardımıyla filmlerin yüzey görüntüleri incelenmiştir. Optik absorpsiyonölçümlerinden CuO filmlerinin direkt bant aralığına sahip olduğu ve yasak enerji aralığıdeğeri 1,67 eV olarak belirlenmiştir. 190–3300 nm dalgaboyu aralığında incelenen saydamlıkspektrumlarından filmlerin görünür bölgede opak ve kızılötesi bölgede daha saydam özellikgösterdiği belirlenmiştir.8

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Ferromanyetik FeAs tabanlı süperiletkenlerin özelliklerininGinzburg–Landau teorisi kapsamında analiziIman Askerzade (Askerbeyli)Ankara Üniversitesi, BilgisayarMühendisliği Bölümü, Beşevler, 06100 AnkaraP02Ferromanyetik FeAstabanlı süperiletkenlerin keşfi son üç yılda manyetik süperiletkenleryönündeki araştırmalara önemli bir ivme kazandırmıştır. Yüksek sıcaklıklı kuprat tabanlı(CuO) süperiletkenlere benzer olarak, Fe tabanlı yeni süperletkenler de katmanlı yapıyasahiptirler. Fe tabanlı superiletkenlerde Fe katlarındakı elektronlar Cooper çiftlerioluşturmaktadırlar. Oksijenli (O) katmanlar ise katkılama (doping) yapılarken stekiometrikyapılardan farklılık hesabına serbest yük taşıyıcıları oluşturmaktadırlar. CuO tabanlısüperiletkenlerin tek-bantlı olduğu katı hal fiziği camiası tarafından genel kabul görmektedir.Son yıllar yoğun olarak yapılan araştırmalar sonucu olarak, Fe tabanlı süperiletkenlerin çokbantlıolduğu anlaşılmaktadırŞimdiki anda Fe tabanlı süperiletkenlerin araştırılmasındaki en önemli problem yüktaşıyıcılarının çiftlenme mekanizmasının aydınlığa kavuşturulmasıdır. İzotopik kayma etkisiaraştırılarken 16 O izotopunun 18 O la deyiştirilmesinin 56 Fe-nın 58 Fe-le deyişdilmesindekietkiden daha küçük olması ortaya çıkmıştır. Bu ise Fe katmanlarının süperiletkenliğinoluşturulmasında önemli rol oynadığını ortaya koymuştur.Izotop etki faktorüd ln Tc 0.4 olarak hesaplanmıştır ki, bu da standart Bardeen–Cooper–Schriefferd ln M(BCS) teorisindeki değere (0.5) yakındır. Bu sonuç klasik electron–fonon mekanizmasınıdesteklese de, burada araştırılacak çok problemler bulunmaktadır. Bu problemlerantiferromanyetik düzlenme ile süperiletken düzlenme parametresinin etkileşiminden, nadirtoprak elementlerinin spin düzlenmesinden ve kritik sıcaklık civarında spindalgalanmalarından kaynaklanmaktadır. Fe tabanlı yeni süperiletkenlerde Cooper çiftlenmesimekanizması probleminin hala da açık olarak kalmaktadır ve çeşitli teorik yaklaşımlarönerilmektedir.Bilindiği gibi, süperiletkenliğin Ginzburg–Landau makroskobik modeli mikroskobikteorilerden farklı olarak kritik sıcaklık civarında bütün süperiletkenlere uygulanabilmektedirve hala da güçlü bir araştırma yöntemi olarak kullanılmaktadır. Genelleştirilmiş Ginzburg–Landau teorisi kapsamında elde edilen ifadeler 111 sınıfından olan LiFeAs bileşiği için üstkritik manyetik alan ve onun anisotropi parametresinin hesaplanması için kullanılmıştır. 122sınıfından olan Ba(K)Fe 2 As 2 bileşiği için üst kritik manyetik alanın anizotropi parametresi deLiFeAs‟a benzer davranış sergilemektedir. 1111 sınıfından olan SmFeOAs ve PrFeAsO 1–ytürlü bileşiklerde ise anizotopi parametresi sıcaklık azaldıkça artmaktadır, yani durum dahaçok magnezyum dibörürü hatırlatmaktadır. Bu da SmFeOAs ve PrFeAsO 1–y bileşiklerininFermi yüzeyinin MgB 2 ‟ye benzer olması ile izah edile bilir.Teşekkür:Araştırma TUBİTAK 110T748 Nolu proje ile desteklenmektedir.9

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Lazer atmalı depolama ile oluşturulan NbN x ince filmlerinde sıcaklık etkisiH. Farha 1 , A. O. Er 2 , Y. Ufuktepe 3 , and H. E. Elsayed-Ali 11 Electrical and Computer Engineering, Old Dominion University, Norfolk VA 235292 Department of Physics, Old Dominion University, Norfolk VA 235293 Department of Physics, Cukurova University, Adana TurkeyP03Oda sıcaklığı ile 950 o C arasındaki değişik depolama alt taban sıcaklıklarında, reaktif lazeratmalı depolama yöntemi (PLD) ile niyobyum nitrat (NbN x ) ince film tabakaları Nb alt tabanıüzerinde oluşturuldu. Filmlerin kristal yapısı ve yüzey özellikleri x-ışınları kırınımı, taramalıelektron mikroskobu ve atomik kuvvet mikroskobu ile belirlendi. Sıcaklığın NbN x filmlerinyüzey özellikleri, kristal yapıları ve fazı üzerinde çok etkili bir parametre olduğu gözlendi.450 o C de zayıf bir kristalleşme gözlenirken, sıcaklığın artmasına bağlı olarak 650 ile 850 o Cbölgesinde filmler kübik ve altıgen yapıda karışık fazda izlendi. Bundan sonra uygulanandaha yüksek sıcaklıkta ise tek faz olan altıgen yapı baskın olmaktadır. Yüzey pürüzlülüğüsıcaklığa bağlı olarak artmaktadır.10

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Bor-karbür tipi B 12 NXN, X=Be, Mg kristallerinin yapısal, elektronik vemekanik özelliklerinin ilk-prensiplerle incelenmesiSezgin Aydın ve Mehmet ŞimşekFizik Bölümü, Fen Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraP05Bor-karbür tipi B 12 NXN, X=Be, Mg kristallerinin yapısal, elektronik ve mekanik özellikleriilk-prensipler yoğunluk fonksiyoneli teorisi kullanılarak incelendi. Kohesif enerji ve elastiksabitler yardımıyla, B 12 NXN, X=Be, Mg kristallerinin enerjitik ve mekanik olarak kararlıoldukları tespit edildi. Hesaplanan band yapılarından ve kısmi durum yoğunluğu eğrilerindenher iki bileşiğin yarıiletken karakter sergilediği görüldü. Mulliken popülasyon analiziyardımıyla yapısal birimlerin (B 12 ikosahedron ve lineer zincir NXN) bağlanmasıaydınlatılarak, bileşiklerin mikro-sertlikleri hesaplandı. Sonuçlar literatür ile karşılaştırıldı.12

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011NiPd magnetik nanoparçacıklarının sentezi ve magnetik özellikleriSenem Çitoğlu 1 , Özer Çelik 1 , Telem Şimşek 2 , Şadan Özcan 2 , Tezer Fırat 21Nanoteknoloji ve Nanotıp Anabilim Dalı, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, Ankara2 Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, AnkaraP06Günümüzde kanser tedavisi için cerrahi müdahale, kemoterapi veya radyoterapi yöntemlerikullanılmaktadır. Bu uygulamaların en büyük dezavantajı, kanserli dokunun yanında sağlıklıdokuya da aynı ölçüde zarar vermesidir. Bu nedenle özellikle son yıllarda daha etkin ve yereltedavi yöntemleri üzerinde durulmaktadır. Bunlar arasında en umut verici olanı magnetiknanoakışkan hipertermi yöntemidir.Bu çalışmada, magnetik nanoakışkan hipertermi yönteminde kullanılmak üzere çeşitlikimyasal kompozisyonlarda NiPd magnetik nanoparçacıklar sentezlenmiştir. Sentez, diğeryöntemlere göre boyut kontrolü, parçacık boyut dağılımı ve kalitesi daha başarılı olan yükseksıcaklık ısıl-ayrıştırma metodu ile gerçekleştirilmiştir. Sentezlenen parçacıkların karakterizasyonuXRD, TEM, VSM ve SEM-EDS teknikleri kullanılarak yapılmıştır. Elde edilen XRDkırınım desenlerinden, yapı analizleri gerçekleştirilmiş ve ortalama parçacık boyutlarıbelirlenmiştir. TEM ölçümleri ile sentezlenen nanoparçacıkların boyutlarının daha ayrıntılıtayini ve şekil analizleri gerçekleştirilmiştir. Kimyasal kompozisyonun belirlenmesi için iseSEM-EDS kullanılmıştır. Ayrıca VSM tekniği ile parçacıkların magnetik karekterizasyonlarıyapılmıştır.13

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011LiNH 2 /MgH 2 sisteminin hidritlenme reaksiyonlarının termodinamiközelliklerinin incelenmesiSerkan Akansel 1 , Maximilian Fichtner 2 , Şadan Özcan 1 , ve Tezer Fırat 11 SNTG Laboratuarı, Fizik mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, Ankara,Türkiye2 Institute of Nanotechnology, Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Karlsruhe, GermanyP07Günümüzde alternatif bir enerji kaynağı olarak düşünülen hidrojenin, katılarda depolanmasıhidrit yapılar olarak da bilinir. Katı fazda hidrojen depolama sistemlerinin yüksek kapasite,oda koşullarına yakın koşullarda hızlı şekilde hidrojen soğurma ve salma, tekrarlanabilirlikgibi bazı özelliklere sahip olması gerekmektedir. Amerika Enerji Bakanlığının verilerine göre2015 yılında bu sistemlerin kütlece kapasitesinin %5.5, maksimum çalışma sıcaklığının 60 o Colması ve 1500 çevrim boyunca aynı performansla kendilerini tekrarlayabilmesi hedeflenmektedir.Bu hedeflere diğer sistemlere göre daha yakın olan LiNH 2 /MgH 2 karışımı üzerindeçalışmalar yoğun şekilde devam etmektedir.Yapılan çalışmada LiNH 2 /MgH 2 karışımının termodinamik özellikleri termogravimetrikanaliz (TGA) ve diferansiyel taramalı kalorimetre (DSC) yöntemleriyle incelendi.Termodinamik ölçümler öncesinde, karışıma CaH 2 ve Ca(BH 4 ) 2 malzemeleri katalizör olarakeklendi ve bu bileşiklerle birlikte karışım mekanik öğütme yöntemiyle öğütüldü. Katalizörkullanılmadan hazırlanan karışımda, hidrojen salma reaksiyonu 187 o C de gerçekleşirken,katalizör olarak Ca(BH 4 ) 2 kullanılan karışımda aynı reaksiyonun 15 o C daha düşük sıcaklıkta172 o C de gerçekleştiği gözlemlendi. Ayrıca çalışma kapsamında Fourrier dönüşüm kızıl ötesi(FTIR) tekniği ile karışımın yapısal analizi yapılarak farklı öğütme parametrelerinin karışımınyapısı üzerindeki etkileri incelendive LiNH 2 /MgH 2 karışımının LiH/Mg(NH 2 ) karışımınadönüştüğü gözlendi.14

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Kimyasal püskürtme ve daldırmalı kaplama tekniği ile üretilenkatmanlı ZnO ince filmlerin optik özellikleriEbru Güngör ve Tayyar GüngörFizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, 15100 BurdurP08Fotovoltaik türdeki çalışmalarda yoğun şekilde tartışılan Zn-tabanlı saydam oksit yapılar,çeşitli türde alttaşlar üzerine farklı yöntemler kullanılarak biriktirilebilmektedir. Bu çalışmadaZnO saydam oksit ince filmler, farklı iki yöntemle hazırlanmış ve optik özelliklerikarşılaştırmalı olarak tartışılmıştır. Her iki yöntem için çinko asetat dihidrat(Zn(CH 3 COO) 2·2H 2 O) (%99.9, Merck) tuzu, methanol ve kristalleşmeyi engelleyecek uygunkimyasallar ile aynı molaritede hazırlanarak, mikroskop cam üzerine, tek ve çok katmanlıbiçimde Kimyasal Püskürtme (KP) ve Daldırmalı Kaplama tekniği (DK, Dip Coating)kullanılarak biriktirilmiştir. KP teknikle, cam alttaş üzerine tek katmanlı olarak biriktirilenörnekler ilk grubu oluşturmaktadır. İkinci grup; DK teknikle cam alttaşın her iki yüzünde birve daha fazla katmanlı biçimde biriktirilen filmlerdir. Son grup örnekler için, bir yüzüne KPteknikle ZnO film kaplanan cam alttaşın aynı yüzüne, DK teknikle birden fazla katmanlıolacak biçimde ZnO film kaplaması yapılmıştır. DK teknikle hazırlanan örneklerin tümü,belirli bir ısıl işleme maruz bırakılmıştır. Farklı yöntemlerle hazırlanmış olan filmlerin optiksabitleri, 300–900 nm dalgaboyu aralığında elde edilen optik geçirgenlik spektrumların noktatabanlı kısıtlamasız minimizasyon algoritmalarının değerlendirilmesi ile belirlenmiştir.15

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Tip-II kuantum nokta nanokristal yapıdaki ekzitonların optik özellikleriF. Koç 1,* , A. Aktürk 1 , M. Şahin 1 , ve A. Erdinç 21 Selçuk Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 42075 Konya, Türkiye2 Erciyes Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 38039 Kayseri, TürkiyeP09Bu çalışmamızda, tip-II bir kuantum nokta (çekirdek–kabuk) nanokristal yapıdaki ekziton veikili ekzitonların optik özellikleri incelendi. Bunun için etkin kütle yaklaşımı kullanıldı.Öncelikle, Poisson–Schrödinger denklemi öz-uyumlu bir şekilde çözülerek yapının elektroniközellikleri belirlendi. İkili ekzitonlarda kuantum çok parçacık etkileri, yerel yoğunlukyaklaşımı altında ele alındı. Bulunan dalga fonksiyonları ve enerji değerleri kullanılarakekzitonların örtüşme integralleri, osilatör şiddetleri, yaşam süreleri, soğurma katsayılarıhesaplandı. Sonuç olarak tip-II kuantum nokta çekirdek–kabuk nanokristal yapılarda optiközelliklerin çekirdek çapı ve kabuk kalınlığına sıkı bir şekilde bağlı oldukları gözlendi.References:[1] Klaus D.Sattler, Handbook of Nanophysics, “Nanoparticles and Quantum Dots” (2011).[2] Takuma Tsuchiya, Physica E 7, 470 (2000).[3] M. Sahin, S. Nizamoglu, A. E. Kavruk, and H. V. Demir, J. Appl. Phys. 106, 043704 (2009).[4] M. Califano, A. Franceschetti, and A. Zunger, Phys. Rev. B 75, 115401 (2007).[5] B. Aln, J. Bosch, D. Granados, J. Martnez-Pastor, J. M. Garca, and L. Gonzlez, Phys. Rev. B 75, 045319(2007).[6] J. Shumway, A. Franceschetti, and Alex Zunger, Phys. Rev. B 63, 155316 (2001).[7] S. Adachi, Properties of Group-IV, III–V and II–VI Semiconductors (Wiley, 2005).[8] J. M. Thijssen, Computational Physics (Cambridge University Press, 1999).[9] J. P. Perdew and A. Zunger, Phys. Rev. B 23, 5048 (1981).16

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011ABO 3 sistemlerinde simetrik spin hamiltoniyenleriHasan Şevki Mert ve Gülistan MertFizik Bölümü, Selçuk Üniversitesi, KonyaABO 3 sistemlerinde Pbnm uzay grubunda kristalleşen manyetik bileşiklerin spin dönüşümözelliklerinden hareketle uzay grubu altında değişmez (invaryant) kalan ikinci mertebedenspin hamiltoniyenleri indirgenemez temsillerin taban vektörleri cinsinden türetilmiştir. Bununiçin Bertaut‟un geliştirdiği makroskobik metot kullanılmıştır [1,2].P10Referanslar:[1] E. F. Bertaut, Comptes Rendus de l`Académie des Sciences 252, 76 (1961).[2] E. F. Bertaut, J. Phys. Chem. Solids 21, 256 (1961).17

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Bükümlü femtotellerle yoğun madde tasarımı: Bükücü tanımıT. ŞengörYıldız Teknik Üniversitesi, Elektrik-Elektronik Fakültesi, Elektronik ve HaberleşmeMühendisliği Bölümü, Davutpaşa Yerleşkesi, Esenler, 34220 İstanbulP11Bu makalede, tümleşik elektronik sistemlerde kapasitif elemanların gerçeklenmesindekarşılaşılan güçlüklerin üstesinden gelmeye elverişli yoğun madde yapılarının tasarımıüzerinde çalışılarak uygun bir yapay eleman oluşturulmuştur. Yapay elemanın oluşumu,büküm noktaları civarındaki ve süreksizliklere sahip elektromagnetik olayların karakteristiklerindenyararlanılarak tasarlanmıştır. Büküm noktalarının varlığından kaynaklananproblemler, bükümlü koordinat sistemleri kullanılmak suretiyle aşılmıştır. Bu türdensüreksizliklerin en basit formu, biri içbükey diğeri dışbükey iki yarım çember halindeki incetelin, nanotelin ve/veya femtotelin bir ve yalnız birer ucundan birleştirilmeleri yoluylagerçeklenebilir. Bahsedilen bu formdaki yapılar bükücü (inflector) olarak tanımlanmıştır.Genel halde bükücü, en az bir bükülme noktasına sahip ve zamanla değişen bir potansiyeldağılımı taşıyan bir ince (ideal olarak kalınlıksız) ve kısa bir çizgi (yol, yörünge, path) olaraktanımlanmıştır. Bükücü devre ve/veya sistem elemanının gösterdiği potansiyel değişimleribükümlü tel üzerindeki uzamsal koordinatlara bağlıdır. Dalga ve Schrödinger denklemlerininbükümlü dairesel silindirik koordinatlar sisteminde çözümü genişletilmiş ayırma yöntemi ileverilmiştir [1]–[8]. Bazı faydalı yoğun madde yapılarının geliştirilmesi üzerinde çalışılmıştır.Referanslar:[1] Leo C. Kempel, John L. Volakis, Thomas B. A. Senior, S. Stanley Locus, and Kenneth M. Mitzner,“Scattering by S-Shaped Surfaces,” IEEE Transactions on Antennas and Propagation, AP-41, 701–708 (1993).[2] Prabhakar H. Pathak and Ming C. Liang, “On a Uniform Asymptotic Solution Valid Across Smooth Causticsof Rays Reflected by Smoothly Indented Boundaries,” IEEE Transactions on Antennas and Propagation,AP-38,1192–1203 (1990).[3] Hiroyoshi Ikuno and Leopold B. Felsen, “Complex Ray Interpretation of Reflection from Concave-ConvexSurfaces,” IEEE Transactions on Antennas and Propagation,AP-36, 1260–1271 (1988).[4] Hiroyoshi Ikuno and Leopold B. Felsen, “Complex Rays in Transient Scattering from Smooth Targets withInflection Points,” IEEE Transactions on Antennas and Propagation, AP-36, 1272–1280 (1988).[5] Taner Şengör, “Contribution of Inflection Points to Field,” Electronics Lett.AP-34, 1571–1573 (1988).[6] Taner Şengör, Static field near inflection points” Helsinki Univ. Tech. Electromagnetics Lab. Rept. 350, Jan2001.[7] Taner Şengör, “Contribution of Inflection Points to waves,” Electronics Lett.AP-35, 1593-1594 (1999).[8] Taner Şengör, Static field near inflection points, Helsinki Univ. Tech. Electromagnetics Lab. Rept. 351, Jan2001.18

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Kuantum kuyu lazerlerin çift farklı yapılar kullanılarak incelenmesiSinan Yaşar 1 , İsmail Bilican 2 , Bünyamin Şahin 2 , Sedat Ağan 2 , ve İhsan Uluer 21 Mustafa Kemal Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Hatay2 Kırıkkale Üniversitesi, Fen- Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, KırıkkaleP12Bu çalışmada, günümüzde nano teknolojik uygulamalarda bir çok araştırmacının dikkatleriniüzerine çeken kuantum kuyu lazerlerin simülasyon yoluyla üretimi ve analizi yapılmıştır. Buaçıdan mevcut çalışmalar takip edilmiş 5 ayrı farklı yapılı kuantum kuyu malzemesinin çeşitlikompozisyon ve konfigürasyonlarda dizaynı ile 25 farklı yapı ayrı ayrı incelenmiştir. Lazeryapılar simülasyonda dizayn edilirken Fabry–Parot ve Fabry–Parot Ridge tipi lazer yapıolarak iki farklı konfigürasyonda ele alınmıştır. Her yapının bölge bölge (aktif bölge, kuantumkuyu bölge, bariyer ve hapis bçlgeleri gibi) Bant–Enerji grafikleri ve değerleri, kırılma indisliprofili ve değerleri, katkı oranları (n tipi ve p tipi bölgeler için) profili ve değerleriüretilmiştir. Ayrı ayrı her yapıda kullanılan malzeme kompozisyonları tasarlanmış ve işlemekonulmuştur. İstenilen sıcaklık değerleri ve taşıyıcı yoğunlukları ayarlamarak malzemekazançları hesaplanmıştır. Pik–kazanç grafikleri ve verileri çıkarılmıştır. Kendiliğinden ışımagrafik ve değerleri üretilmiştir. Elde edilen tüm bu spnuçlar literatürle karşılşatırılmış veuyum içerisinde olduğu görülmüştür.19

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Role of annealing time and temperature on structural and superconductingproperties of (Bi,Pb)-2223 thin films produced by sputteringG. Yildirim * , A. Varilci, M. Akdogan, S. Bal, G. Ozdemir, C. Terzioglu, M. Dogruer**,and E. Yucel*Abant Izzet Baysal University, Department of Physics, Bolu–Turkey 14280**Mustafa KemalUniversity, Department of Physics, Hatay–Turkey 31034P13This study reports the effect of annealing time (15 m, 1.5 h, and 3 h) and temperature (850,860, and 870 °C) on the structural and superconducting properties of thin films by means ofscanning electron microscopy (SEM), X-ray analysis (XRD), electron dispersive X-ray(EDX), resistivity and transport critical current density (J c ) measurements. Zero resistivitytransition temperatures (T c ) of the films produced are estimated from the dc resistivitymeasurements. In addition, the phase and lattice parameters are determined from XRDpatterns when the microstructure, surface morphology and element composition analyses ofthe samples are investigated by SEM and EDX measurements, respectively. The resultsindicate that T c values of the films obtained are observed to be in a range of 23–102 K. The T cof the film annealed at 870 °C for 3 h is found to be the smallest (23 K) while the filmannealed at 860 °C for 3 h is noted to obtain the maximum T c value (102 K). On the otherhand, the maximum (minimum) J c is found to be about 2068 A/cm 2 (20 A/cm 2 ) for the filmannealed at 860 °C for 3 h (870 for 3 h). Moreover, according to the refinement of cellparameters done by considering the structural modulation, the greatest Bi-2223 phase fractionis noticed to belong to the film annealed at 860 °C for 3 h. Furthermore, SEM measurementsshow that the best surface morphology, largest grain size and grain connectivity are observedfor that film. Based on these results, T c and J c values of the samples studied are found todepend strongly on the microstructure. As for EDX results, the elements used for thepreparation of samples are observed to distribute homogeneously. The aim of this study is notonly to investigate the changes of structural and superconducting properties of the filmsproduced in the varied time and temperature but also to determine the best ambient for thefilm fabrication and show the feasibility of obtaining Bi-2223 film with tailored structure.20

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Effect of MgB 2 addition on the structural and superconducting properties of(Bi,Pb)-2223 superconducting ceramicsM. Dogruer, G.Yildirim, Y. Zalaoglu*, G. Ozdemir, S. Bal, E. Yucel**, A. Varilci,and C. TerziogluAbant Izzet Baysal University, Department of Physics, Bolu–Turkey 14280*Mustafa KemalUniversity, Department of Physics, Hatay–Turkey 31034** Osmaniye Korkut Ata University, Department of Physics Osmaniye-Turkey 80000P14This study deals with the effect of MgB 2 addition on structural and superconductingproperties of Bi 1.8 Pb 0.4 Sr 2 (MgB 2 ) x Ca 2.2 Cu 3.0 O y ceramics with x = 0, 0.03, 0.05, 0.1, 0.3, 0.5,and 1 by means of X-ray analysis (XRD), scanning electron microscopy (SEM), electrondispersive X-ray (EDX) and resistivity measurement. Zero resistivity transition temperature(T c ) of the samples produced via the Standard solid-state reaction method is estimated fromthe dc resistivity measurements. Moreover, the phase fraction and lattice parameters aredetermined from XRD measurements when the microstructure, surface morphology andelement composition analyses of the samples are investigated by SEM and EDXmeasurements, respectively. It is found that T c values increase from 109 K to 114 K.According to the refinement of cell parameters done by considering the structural modulation,the MgB 2 addition is confirmed by both an increase of the lattice parameter c and a decreaseof the lattice parameter a of the samples in comparison with that of the pure sample. SEMmeasurements show that not only do the surface morphology and grain connectivity degradebut the grain sizes of the samples decrease with the increase of the MgB 2 addition, as well.21

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Investigation of some physical and magnetic properties of Mn doped BI-2223Superconducting ceramicsS. Bal, G. Yildirim, Y. Zalaoglu*, M. Dogruer, M. Gulen, C. Terzioglu, A. Varilci,and E. Yucel**Abant Izzet Baysal University, Department of Physics, Bolu–Turkey 14280*Mustafa KemalUniversity, Department of Physics, Hatay–Turkey 31034** Osmaniye Korkut Ata University, Department of Physics, Osmaniye-Turkey 80000P15In this study, the structural and superconducting properties of Mn added Bi-2223superconductors are investigated by X-ray diffraction analysis (XRD), scanning electronmicroscopy (SEM), electron dispersive X-ray (EDX), resistivity, and transport critical currentdensity (J c ) measurements. Based on the resistivity measurements, T c values are obtained todecrease from 109 K to 85 K; likewise, J c values are observed to reduce from 3200 A/cm 2 to125 A/cm 2 with the increase in the Mn addition. Moreover, resistivity measurements arecarried out under varied applied magnetic fields of 0.0, 0.3, 0.7, 1.0, 2.0, 4.0, and 7 T. It isobtained that the T c decreases with increasing the strength of the applied magnetic field. Thephase and lattice parameters are also determined from XRD measurements. It is observed thatthe Mn addition is confirmed by both an increase of the lattice parameter a and a decrease ofthe cell parameter c of the samples in comparison with that of the pure sample (Mn 0 ). As forSEM images, the grain sizes of the samples studied in this work are found to decrease withthe increase of the Mn doping. Furthermore, the surface morphology and grain connectivityare suppressed. The EDX results gives that not only the elements in the samples distributehomogeneously but also the Mn atoms enter into the crystal structure by replacing Sr and Cuatoms.22

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011LaAg ve LaZn bileşiklerinin ab initio yöntemle yapısal, elektronik, ve fononözellikleriN. Arıkan 1 ve M. Çivi 21 İlköğretim bölümü, Ahi Evran Üniversitesi, 40100 Kırşehir2 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraP16CsCl (B2) yapıdaki LaAg ve LaZn bileşiklerinin, yoğunluk fonksiyonel teorisi (DFT) vegenelleştirilmiş eğim yaklaşımı (GGA) kullanılarak, yapısal, elektronik, ve fonon özelliklerihesaplandı. Hesaplanan örgü sabitleri, bulk modülleri ve bulk modüllerinin basınca görebirinci türevleri literatürdeki deneysel ve teorik sonuçlarla karşılaştırıldı. Elektronik bantyapıları, toplam ve kısmi durum yoğunlukları temel simetri yönleri boyunca çizildi ve her ikibileşiğin de metalik karakter gösterdiği bulundu. Fonon dispersiyon eğrileri ve durumyoğunlukları, yoğunluk fonksiyonel perturbasyon teorisi kullanılarak hesaplandı. Brillioinbölge merkezindeki optik frekansları LaAg için 93.429 cm –1 ve LaZn için 111.064 cm –1olarak bulundu.23

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Karbonmonoksit molekülünün NiAl(110) yüzeyine tutunması ve elektronik yükyoğunluğu durumuMeryem Evecen 1 ve Mehmet Çakmak 21 Fizik Bölümü, Fen Edebiyat Fakültesi, Amasya Üniversitesi, Amasya2 Fizik Bölümü, Fen Edebiyat Fakültesi, Gazi Üniversitesi, 06500, AnkaraP17Karbon monoksit (CO) molekülünün NiAl(110) yüzeyine tutunması yoğunluk fonksiyoneliteorisi (DFT) kullanılarak incelenmiştir. Tutunma işlemi için yüzey üzerinde yüksek simetrilitutunma noktaları kullanılmış ve tutunma mekanizması tartışılmıştır. CO molekülünün yüzeyüzerindeki Ni atomuna tutunması, en düşük enerjili model olarak bulunmuştur. Bu sonuçliteratürdeki teorik ve deneysel çalışmalarla uyumludur [1,2]. Biz bu model için COmolekülünün NiAl(110) yüzeyine tutunmasının elektronik yük yoğunluğu durumunuinceledik. Hem CO 5σ bağı hem de CO 2π* antibağından gelen katkılarla Ni–C bağınınoluştuğu görülmüştür. Ayrıca NEB (Nudged Elastic Band) algoritması kullanılarak reaksiyonyolu incelenmiştir. Son olarak, CO/NiAl(110) ile hidroksil (OH)/NiAl(110) tutunmalarındakimyasal bağın özellikleri karşılaştırılmıştır.Referanslar:[1] C. H. Patterson and T. M. Buck, “The binding site of CO on NiAl(110) determined by low energy ionscattering”, Surf. Sci., 218, 431–451 (1989).[2] M. E. Grillo, G. R. Castro, and G. Doyen, “Theory of carbon monoxide adsorption on NiAl(110)”, J. Chem.Phys. 97, 7786–7797 (1992).24

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Nikel nanoparçacıkları eklenmesinin polimer tabanlı kimyasal soğurucularüzerine etkisiElerman Y. 1 , Bilenko D. I. 2 , Kardash М. M. 3 , Dinçer I. 1 ,Tozkoparan O. 1 , Yıldırım O. 1 ,Terin D. V. 2,3 , Galushka V. V. 2 , Tyurin I. A. 3 , Ainetdinov D. V. 31 Ankara Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06100, Tandoğan, Ankara, Türkiye,2 Saratov Devlet Üni., Nano ve Biyomedical Teknolojiler Fakültesi, 410012, Saratov, Rusya3Saratov Devlet Üniversitesi, EngelsTeknoloji Enstitüsü, Engels, RusyaP18Günümüzde özellikle temiz su kaynaklarının azalmasıyla, temiz su elde etme çalışmalarının ve suartımının önemi artmıştır. Artan bu önem doğrultusunda, çalışmamızda yüksek verimli, poliakrilonitril(PAN) fiber -«POLYCON K» [1] tabanlı kimyasal soğurucular elde etmeye çalışılmıştır. Buçalışmada -«POLYCON K» tabanlı soğuruculara nikel nanoparçacıkları yerleştirerek daha verimlisoğurucular üretilmiştir.a b cŞekil.1 İçerdikleri Nanoparçacık oranına göre fiber tabanlı kimyasal soğurucuların TEMgörüntüleri«POLYCON K»: PAN (a), PAN + 1.5% Ni (b), PAN + 5% Ni (c)Nikel nanoparçacıkları Plazma Ark Buharlaştırma Tekniği ile üretilmiş ve nanoparçacıklar fiberyapıya yerleştirilmeden önce yapısal ve manyetik özellikleri incelenmiştir. Nano-parçacıkların yapısalözellikleri Geçirimli Elektron Mikroskobu (TEM), Taramalı Elektron Mikrokobu (SEM) ve AtomikKuvvet Mikroskobu (AKM) görüntülemeleriyle bulunmuştur. Nanoparçacıkların manyetiközelliklerini bulmak amacıyla Titreşimli Örnek Manye-tometresinde manyetik alana bağlı ve sıcaklığabağlı mıknatıslanma ölçümleri alınmıştır. Nanoparçacıkların manyetik bölme yapısı ve manyetik alanabağlı özellikleri Manyetik Kuvvet Mikroskobu görüntülemelerinden bulunmuştur. Fiber yapıyananoparçacıkların eklenmesi, fiberlerin yapısal ve yüzey özelliklerinde değişikliklere sebepolmaktadır. Fibere Nikel nanoparçacıkların yerleştirilmesi yüzeydeki boşluklu yapıların yoğunlunuarttırmış ve daha düzenli bir yapıya getirmiştir. Nikel nanoparçacıkların yapıya girmesi, fiberinyapısın-daki kıvrımları yok etmiş ve yüzeyde küresel yapılar oluşmasına neden olmuştur (Şekil.1).Yapısına nikel nanoparçacıklar yerleştirilmiş fiberlerin elektirksel özellikleri incelenmiş ve kompleksdielektrik geçirgenliği bulunmuştur. Fiberlerin soğurucu özeliklerini bulmak ve nikel nanoparçacıklarınbu özelliklere etkisini tanımlamak amacıyla su arıtımı testleri yapılmış ve yapısında nikel nanoparçacıklarıbulunan fiber tabanlı kimyasal soğurucuların %45 daha fazla petrokimyasal soğurduklarısaptanmıştır.Referans:M. Kardash, Cation-exchange chemisorption fibrous materials «Polycon» based on oxidized PAN fiber,M. Kardash, I. Tyurin, and Y. Volfkovich, Conf. Proc. Ion transport in organic and inorganic membranes,Krasnodar, Russia, 6–11 June 2011, pp. 77–78.Teşekkür: Bu çalışma RFBR (10-08-91219-CT-a, 10-08-0074-a, Rusya), ve TÜBİTAK (209T054) numaralıprojeler çerçevesinde desteklenmektedir.25

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Polimer tabanlı kimyasal soğuruculara demir nanoparçacıkları yerleştirilmesininsoğurucu özelliklere etkisiElerman Y. 1 , Bilenko D. I. 2 , Kardash М. M. 3 , Dinçer I. 1 ,Tozkoparan O. 1 , Yıldırım O. 1 ,Terin D. V. 2,3 , Galushka V. V. 2 , Tyurin I. A. 3 , Ainetdinov D. V. 31 Ankara Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06100, Tandoğan, Ankara, Türkiye,2 Saratov Devlet Üni., Nano ve Biyomedical Teknolojiler Fakültesi, 410012, Saratov, Rusya3Saratov Devlet Üniversitesi, EngelsTeknoloji Enstitüsü, Engels, RusyaP19Çalışmamızda, yüksek performanslı, fenol, formaldehit, sülfürik asit, poliakrilonitril (PAN) fiber-«POLYCONK» [1] tabanlı katyon değişimli kimyasal soğurucuların üretilmesi amaçlanmıştır. Biz bu çalışmada PAN fibertabanlı «POLYCON K» soğuruculara demir nanoparçacıkları yerleştirerek yapısal ve elektriksel özelliklerindekideğişimleri inceledik [2–4].a b cŞekil.1 «POLYCON K»: PAN (a), PAN + 1.5% Fe (b), PAN + 5% Fe (c) yapılarının SEM görüntüleri.Demir nanoparçacıkları fiber yapıya yerleştirilmeden önce yapısal ve manyetik özellikleri incelenmiştir. Yapısalözellikleri ve şekillerini bulmak amacıyla Geçirimli Elektron Mikroskobu (TEM), Taramalı ElektronMikroskobu (SEM) ve Atomik Kuvvet Mikroskobu görüntülemeleri yapılmıştır. Yapılan görüntülemelerdenparçacıkların ortalama büyüklükleri ve şekilleri tespit edilmiştir. Demir nanoparçacıklarının manyetik özellikleriTitreşimli Örnek Manyetometresi (VSM) ve Manyetik Kuvvet Mikroskobu (MKM) ile incelenmiştir. VSM ilemanyetik alana ve sıcaklığa bağlı manyetik özellikleri ve MKM ölçümlerinden nanoparçacıkların manyetikbölme yapıları bulunmuştur. Önceki çalışmalarda belirtildiği üzere monomer-izomerizasyon yapılarına yabancıbir faz ekleyerek bu yapının geçiş tepkimesinin kinetiğinde ve ısıl özelliklerinde değişiklikler oluşturulabilmektedir.Nanoparçacıkların yapıya yerleştirilmesiyle geçiş tepkimesindeki ısıl etkinin arttığı ve ısıl pikindaha düşük sıcaklıklara kaydığı gözlenmiştir. Nanoparçacıkların fiber yapıya yerleştirilmesiyle, yapının temelözelliklerinde değişiklikler olmuştur, fiber yapının yüzeyi, oluşan boşluklu yapılar açısından daha yoğun vehomojen hale gelmiştir. Yapıdaki demir nanoparçacığı oranı artıkça fiberin kıvrımlı karakteri yok olmuş ve bazıküresel yapılar oluşmaya başlamıştır (Şekil.1). Elektriksel özellikleri ve kompleks dielektrik geçirgenliği bulmakamacıyla frekansa bağlı sığa ölçümleri yapılmış ve dielektrik kayıpları bulunmuştur. Elde edilen kimyasalsoğurucuların teknolojiye yönelik uygulamalarını belirlemek amacıyla su artımı yapılmış ve demirnanoparçacıklarının bulunduğu soğurucular %25 oranında daha fazla petrokimyasal soğurmuştur.Kaynaklar:[1] M. Kardash Cation-exchange chemisorption fibrous materials «Polycon» based on oxidized PAN fiber, Kardash M.,Tyurin I., Volfkovich Y., Conf. Proc. Ion transport in organic and inorganic membranes, Krasnodar, Russia, 6–11 June 2011,pp. 77–78.[2] D.I. Bilenko, „Investigation of nanodisperse Fe and Ni properties‟, Bilenko D. I., Galushka V. V., Dobren'kii E. A., TerinD. V., Elerman Y., Conf. Proc. APED-2010, Saratov, Russia, 22–23 September 2010, pp.149–150.[3] Y. Elerman, Magnetic nanoparticles and measurement techniques in nanotechnology, Proc. III Inter. Workshop,“Nanoparticles, nanostructured coatings, and microcontainers: nanotechnology, properties, applications”, Antalya, Turkey,5–9 May 2011, Saratov, 2011, pp.11–12.[4] O. Tozkoparan Magnetic characterization of Fe nanoparticles, Proc. III Inter. Workshop «Nanoparticles, nanostructuredcoatings and microcontainers: nanotechnology, properties, applications» Antalya, Turkey, 5–9 May 2011, pp.33–37.Teşekkür: Bu çalışma RFBR (10-08-91219-CT-a, 10-08-0074-a, Rusya), ve TÜBİTAK (209T054) numaralı projelerçerçevesinde desteklenmektedir.26

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011LBL ince filmlerde katman sayısının ve yapısınınmanyetik özellikler üzerine etkisiP20Onur Tozkoparan 1 , Oğuz Yıldırım 1 , İlker Dinçer 1 , Yalçin Elerman 1* , Sergey V.German 2 , Alexey V. Markin 2 , Gennady B. Khomutov 3,4 , Dmitry A. Gorin 2 ,ve Sergey B. Wenig 21 Ankara Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06100, Tandoğan, Ankara, Türkiye,2 Saratov Devlet Üni., Nano ve Biyomedical Teknolojiler Fakültesi, 410012, Saratov, Rusya,3 M. V. Lomonosov Moskova Devlet Üniversitesi, Fizik Bölümü, 119992 Moskova, Rusya,4 Nanoteknoloji ve Mikroelektronik Enstitüsü (RAS), 119992, Moskova, RusyaLayer by layer (LBL) tekniği, zıt yüklü polimerleri, ince film yüzeyine biriktirmek için çok sıkkullanılan bir yöntemdir. LBL yöntemi diğer ince film üretim tekniklerine göre daha ucuz ve dahakolay uygulanabilir olmasının yanı sıra yüksek kalitede ince filmler elde edilebilmesiyle günümüzdeönemli bir yere sahiptir. Ayrıca LBL yöntemi ile manyetik nanoparçacıklar da ince film üzerinebaşarılı bir şekilde biriktirilebilmektedir [1]. LBL tekniği ile manyetik nanoparçacık içeriğine sahipkatmanları, zıt yüklü polielektrolit katmanlarının arasına belirli bir düzende yerleştirerek, farklımanyetik özelliklere sahip ince filmler elde edilebilmektedir. LBL yöntemi kalınlığı 1µm nin altındaçok katmanlı polielektrolit ince filmler üretmeye olanak sağlamaktadır [1]. Bu özelliklerinden dolayıLBL yöntemi, spin kaplama ve Langmuir–Blodgett gibi ince film üretim yöntemlerine daha avantajlıbir yöntemdir. Günümüzde LBL yöntemi ile üretilmiş ince filmlerin yapısal ve optik özellikleri birçokçalışmaya konu olmuştur, fakat manyetik özelliklerinin araştırılması ve geliştirilmesi üzerine yeterikadar çalışma yapılmamıştır. Bu çalışmada, değişik yapıdaki katmanların ve katman sayısınınmanyetik özelliklere etkisini incelenmiştir. İnce filmler farklı düzenlerde polielektrolit ve manyetiknanoparçacık katmanlarından oluşmuş ve LBL tekniği ile üretilmiştir. Manyetik nanoparçacık olarakMagnetit (Fe 3 O 4 ) nanoparçacıkları kullanılmıştır. Örneklerin yapısal özellikleri Atomik KuvvetMikroskobu (AKM), Raman Spektroskopisi, Dynamic Light Scattering ve Geçirimli ElektronMikroskobu ile incelenmiştir. İnce filmlerin manyetik özellikleri ise Titreşimli Örnek Manyetometresive Manyetik Kuvvet Mikroskobu (MKM) ile incelenmiştir. Örnekler PEI/(Fe3O4/PAH)6; (II)PEI/(Fe3O4/PAH)11; (III) PEI/(Fe3O4/PAH)16 şeklinde hazırlanmıştır. Yapılan AKM ölçümlerinde(Şekil 1), örneklerin yüzey pürüzlülükleri sırasıyla 5,62 nm, 6,29 nm, 5,93 nm olarak bulunmuştur.MKM ölçümlerinden örneklerin manyetik bölme yapısı ve manyetik alana bağlı kuvvet gradyentleribulunmuştur. Farklı sıcaklıklarda yapılan mıknatıslanma ölçümlerinden doyum mıknatıslanmaları vebunlara bağlı olarak manyetik geçirgenlikleri bulunmuştur.Şekil 1. Atomik kuvvet Mikroskobugörüntüleri (a-c), Manyetik kuvvetMikroskobu görüntüleri (b-d)Kaynak:[1] O. Tozkoparan, Oğuz Yıldırım ,İlker Dinçer, Yalçin Elerman, Sergey V.German, Alexey V. Markin,Gennady B. Khomutov, Dmitry A. Gorin, Sergey B. Wenig, J. Mag. Mag. Mat., gönderildi.Teşekkür: Bu çalışma, TÜBİTAK tarafından, 209T054 no‟lu proje çerçevesinde desteklenmektedir.27

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P21CuO ince filmlerin özellikllerinde çözelti molaritesinin etkisiŞeyda Horzum Şahin*, Tülay Serin ve Necmi SerinFizik Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Tandoğan, 06100, AnkaraBu çalışmada, CuO ince filmlerin yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinde çözeltimolaritesinin etkisi incelenmiştir. CuO filmler cam alttabaka üzerinde sol–gel dip coatingyöntemiyle oluşturulmuştur. Molaritesi 0.06‟dan 0.28 molara değişen Bakır (II) asetat,başlangıç çözeltisi olarak kullanılmıştır. X-ray kırınım (XRD) deseni sonuçları tercihliyönelimin molariteye bağlı olarak değiştiğini göstermiştir. Ayrıca XRD sonuçları artanmolarite ile filmlerin kristalliğinin arttığını göstermiştir. Filmlerin geçirgenliği UV–visspektrumu ile belirlenmiş ve bu sonuçlardan filmlerin soğurum katsayısı hesaplanarak enerjiband aralığı değerleri hesaplanmıştır. Bu sonuçlar filmlerin band aralığının artan molarite ileazaldığını göstermiştir. Filmlerin yüzey morfolojisi Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) ileincelenmiştir. AFM görüntüleri molarite artınca grainlerin büyüdüğünü göstermiştir. Filmleriniletkenliği 130–370 K aralığında ölçülmüştür. İletkenlik sonuçları aracılığıyla filmlerinaktivasyon enerjisi, Debye uzunluğu, yüzey tuzak yoğunluğu ve fermi düzeyindeki durumyoğunluğu farklı molariteler için hesaplanmıştır. Buna göre, XRD, AFM, UV, ve iletkenlikölçüm sonuçları grain boyutu, band aralığı ve iletkenlik değerlerinin artan molariteye göredeğiştiği göstermiştir. Çözelti molaritesine bağlı olarak CuO ince filmlerin farklı elektrikselve optiksel özellikleri optoelektronik ince film cihazları, ince film nem ve gaz sensörleri, incefilm güneş pilleri, vb. için uygulamarda yararlı olabilir.28

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011TbMg bileşiğinin yapısal, elastik, elektronik ve termodinamik özelliklerininilk ilkeler yöntemi kullanılarak incelenmesiYeşim Moğulkoç 1 , Yasemin Öztekin Çiftci 2 , Mehmet Kabak 1 , Kemal Çolakoğlu 21 Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Tandoğan, 06100, Ankara2 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraP22TbMg bileşiği x-ışınının çok kutuplu saçılımı tekniğinde test numunesi olarak kullanılan enuygun sistemler olarak gösterilebilir. Bu bileşiğe ait birçok manyetik özellikler farklımanyetik yapılarda incelenmiştir. Bu çalışmada TbMg bileşiğine ait temel fiziksel özelliklereait hesaplar, ilk-ilke (ab-initio) kuantum mekanik simülasyonu hesaplamalarında düzlemdalga baz setleri üzerinde pseudo potansiyel ve PAW metodu kullanan kompleks bir yazılımolan VASP (Vienna Ab Initio Simulation Package) paket programı kullanılarak yapılmıştır.Bileşik için CsCl kristal yapısı kullanılarak örgü sabiti hesaplanarak, diğer deneysel ve teorikçalışmalar ile karşılaştırılmıştır. Bulk modülü ve bulk modülünün türevi hesaplanmıştır.Youngmodülü, Shear modülü, Zener anizotropi faktörü ve Poisson oranı hesaplanmıştır.Ayrıca elastik sabitleri bulunduktan sonra kullanılarak aynı zamanda Debye sıcaklıkları,erime sıcaklıkları ve ses hızları hesaplanmıştır. Termodinamik özellikleri olarak; yarı harmonikDebye modeli kullanılarak hacmin basınçla değişimi incelenmiştir ve bazı termodinamiközelliklerin basınçla ve sıcaklıkla değişimi incelenmiştir. Elektronik özellikleri olarak; bantyapıları hesaplanmıştır ve bant ile uyumlu durum yoğunluğu eğrileri çizdirlmiştir.29

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Farklı örgü ve spin değerlerine sahip çekirdek–kabuk nanoparçağınbüyüklüğe bağlı incelemesiRıza Erdem 1 , Zafer Demir 2 , ve Orhan Yalçın 31 Fizik Bölümü, Akdeniz Üniversitesi, 07058, Antalya2 Fen Bilimleri Enstitüsü, Niğde Üniversitesi, 51240 Niğde3 Fizik Bölümü, Niğde Üniversitesi, 51240, NiğdeP23Farklı örgü ve farklı spin değerlerine sahip atomlardan oluşan homojen ve kompozityapılardaki çekirdek–kabuk nanoparçacıkların manyetik özellikleri büyüklüğe bağlı olarak,denge istatistik mekaniğin bağ yaklaşım yöntemi (Kikuchi versiyonu) kullanılarak detaylıcaincelendi. Bu amaçla farklı örgü yapıları için parçacığın yarıçap değerine (R) göre çekirdek,kabuk ve ara yüzey (çekirdek–kabuk) bölgelerinin içerdiği spin sayıları ve spinler arası bağsayıları belirlendi. Spinler arası dipol–dipol (J) etkileşmeli S=1/2 ve S=1 Ising modelHamiltonyenleri vasıtasıyla farklı spin değerlerine karşılık gelen bağ enerjileri elde edildi.Büyüklüğe bağlı olarak manyetik özelliklerinin incelendiği nanoparçacıkların bağdeğişkenleri, nanoparçacığı oluşturan spin sayılarını ve bağ enerjilerini kapsayacak şekildedüzenlendi. Bağ değişkenleri kullanılarak, her bir parçacığın sıcaklıkla değişen mıknatıslanma(manyetizasyon) davranışı hesaplandı. Ayrıca, bu bağ değişkenleri her bir sistemin histereziseğrilerinin elde edilmesinde de kullanıldı. Manyetizasyon ve histerisiz eğrileri, her birparçacığın manyetik özelliklerinin büyüklüğe bağlı olarak detaylıca araştırılmasında faydalıolmaktadır. Homojen ve çekirdek–yüzey yapısındaki kompozit nanoparçacıkların tam veyarım spinler esas alınarak incelenmesinden elde edilen sonuçlar karşılaştırmalı olarak analizedildi.30

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011NdCo 3 bileşiğinin elektronik band yapısı: Ab initio incelemesiH. Özışık 1 , K. Çolakoğlu 2 , Y. Ö. Çiftci 2 , E. Deligöz 1 , E. Ateşer1 ve İ. Öner 21 Aksaray Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Aksaray2 Gazi Üniversitesi, Fen Fakiltesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, AnkaraP24NdCo 3 bileşiğinin rhombohedral yapıda, yapısal ve lektronik özellikleri ab initio yöntemlerkullanılarak incelendi. Hesaplamalar genelleştirilmiş gradyant yaklaşımı (GGA-PBE)kullanılarak yapıldı. Spin polarize elektronik band yapısı ilk Brillouin bölgesinde yükseksimetri noktaları boyunce çizdirildi. Ayrıca toplam yük yoğunluğu ve orbital yük yoğunluklarıincelenerek yorumlandı.31

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Katkılanmamış Ga 3 InSe 4 tek kristallerinde ısıluyarılmış akım ölçümleriM. Işık 1 ve N. Hasanli 21 Atılım Üniversitesi, Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü2 Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fizik BölümüP25Katkılanmamış Ga 3 InSe 4 kristallerinde 10–300 K sıcaklık aralığında tuzak seviyeleriısıluyarılmış akım ölçümleri tekniği kullanılarak incelendi. Tuzak seviyeleri çalışmasındaölçümler, akımın kristalin c-ekseni doğrultusunda akması sağlanarak gerçekleştirildi. Deneysüresince 0.8 K/s sabit ısıtma hızı kullanıldı. Deneysel veriler aktivasyon enerjisi 62 meV olanbir deşik merkezinin bulunduğunu gösterdi. Elde edilen akım–sıcaklık eğrisinin analizi, yavaşgeri tuzaklanmaya dayalı teorik modele uyumluluk gösterdi. Çalışılan kristallere büyütmesüresince herhangi bir katkılanma uygulanmadığından dolayı, gözlemlenen bu tuzakmerkezinin büyütme sırasında ortaya çıkan kusurlardan veya kasıtlı olarak eklenmeyensafsızlıklardan kaynaklandığı düşünülmektedir. Tuzak merkezinin yakalama kesit alanı 1.0 10 –25 cm 2 ve yoğunluğu ise 1.4 10 17 cm –3 olarak hesaplandı.32

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011AgSc bileşiğinin yapısal, elastik, termodinamik ve fonon özellikleri: Bir ilkprensipler çalışmasıC. Çoban a , Y. Ö. Çiftçi b , Y. Moğulkoç c , ve K. Çolakoğlu ba Balıkesir Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Çağış Kampüsü, 10145,Balikesirb Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500, Ankarac Ankara Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği, Tandoğan Kampüsü, 06100,AnkaraP26Bu çalışmada, kristal yapısı CsCl (B2) olan AgSc bileşiğinin yapısal, elastik, termodinamik vefonon özellikleri teorik olarak incelendi. Hesaplamalar, VASP programı kullanılarak,Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi (DFT) ve genelleştirilmiş gradyent yaklaşımı (GGA) temelalınarak yapıldı. Optimize örgü sabiti, bulk modülü ve onun basınca göre birinci türevihesaplanarak sunuldu. Bunun yanında, ikinci dereceden elastik sabitler ve bunlara bağlınicelikler (Zener anizotropi faktörü, Young modülü, Poisson oranı, makaslama modülü)hesaplandı. Elastik sabitlerin hesaplanmasında “zor–zorlama” yöntemi kullanıldı. Elastiksabitler ve bunlara bağlı nicelikler ile basınç ilişkisi incelendi. Son olarak, termodinamiközellikler, fonon dağılım eğrileri ve fonon DOS elde edilerek sunuldu. Sonuçlar, literatürdeyer alan mevcut sonuçlar ile karşılaştırıldı.33

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Metal nanoparçacıklar yardımıyla güneş pillerinde plazmonik iyileştirmelerM. Can Günendi, Gürsoy B. Akgüç, Oğuz GülserenBilkent Üniversitesi, Fizik Bölümü, Bilkent 06800 AnkaraGünümüzde enerji kaynaklarının geliştirilmesi çok temel bir gereksinimdir. Fosil yakıtlarakıyasla güneş enerjisi güvenli ve aynı zamanda en temiz (yeşil) ve ucuz enerji kaynaklarındanbirisidir. Bu bağlamda, güneş enerjisinin verimli bir şekilde kullanımı son derece önemlidir.Silisyum tabanlı güneş pillerindeki en büyük problemlerden birisı silisyum malzemesinindolaylı yasak enerji aralıklı bant yapısında olmasından ötürü düşük enerji çevirme oranları vekırmızı ve kızılötesi ışığı çok az soğurmasıdır. Silisyumun yasak enerji aralığı özelliğindendolayı soğurulamayan kırmızı ışık güneş ışığının önemli bir kısmını oluşturmaktadır.Çözüm olarak uygulanabilecek güncel yöntemlerden bazıları güneş pili yarıiletken malzemesiiçine yerleştirilmiş metal nanoparçacıkların (MNP) gelen ışığı ışığın dalga boyundan dahaküçük bir mesafede yoğunlaştırıp kullanan antenler gibi işlev görmesi ve böylece MNP'lerigelen ışığı güneş pili içerisine saçıcı yapılar olarak kullanıp kırmızı ışığın güneş piliiçerisindeki efektif yolunu uzatmak ve soğurulmasını sağlamaktır.Soğurulma ve saçılma en çok plazmon rezonansları olduğu takdirde ortaya çıkmaktadır.Plazmon rezonans bölgelerini sistemdeki çeşitli değişkenleri, örneğin MNP boyutları,kullanarak istenilen değerlere taşımak mümkün olmaktadır. Bu çalışmada, sistem analizleriiçin Finite-Difference Time-Domain (FDTD) metodu kullanıldı. FDTD; elektromanyetikalanların, parçalara ayrılmış uzayda, sınırlı büyüklükteki zaman aralıklarında, Maxwelldenklemlerini sağlayacak şekilde ilerletilmesi, etkileştirilmesi olarak özetlenebilecek biryöntemdir. Çalışmadaki simülasyonlar için çoğunluklu olarak MIT'de geliştirilen MEEPprogramı, kodu kullanıldı. Bunun yanında sonuçları karşılaştırmak, tutarlılığından eminolmak için, çeşitli diğer yöntemler de kullanıldı; örneğin Discrete Dipole Approximation(DDA). ZnO malzeme içerisine yerleştirilmiş çeşitli büyüklüklerdeki gümüş MNP‟larınplazmon rezonans değerlerinin analizleri yapıldı ve kırmızı ışığın soğurulmasını sağlayacakyeni sistem geometrileri, MNP dağılımları incelendi.P2734

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P28ITO ince filmlerinin üretilmesi ve optik özellikleri üzerine ısıl tavlamanın etkisiEmrah Sarıca, Vildan Bilgin, ve Barbaros DemirselçukFizik Bölümü, Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, 17020, ÇanakkaleSaydam iletken oksitler, sahip oldukları üstün fiziksel özellikler sebebiyle oldukça yaygınçalışma alanına sahip materyallerdir. Saydam iletken oksit grubunun bir üyesi olan, direktbant geçişli bir yarıiletken malzeme olan ITO (indiyum kalay oksit), düşük elektrikselözdirenç (

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P28Katkısız ve V katkılı ZnO ince filmlerinin manyetik karakterizasyonuEmrah Sarıca, Vildan Bilgin, ve Barbaros DemirselçukFizik Bölümü, Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, 17020, ÇanakkaleGünümüz teknolojisinde önemli bir yere sahip olan manyetik malzemeler üzerine yapılançalışmalar büyük ilgi çekmektedir.Bu çalışmada da ZnO ince filmlerinin, geçişelementlerinden olan ve manyetik özellik sergileyen vanadyum elementi ile katkılanmasının,filmlerin manyetik özellikleri üzerine etkisi incelenmektedir. Katkısız ve farklı oranlardavanadyum katkılı ZnO ince filmleri, ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği kullanılarakçözelti akış hızı 5ml/dk olacak şekilde, 400C taban sıcaklığında 30 dk süresince cam tabanlarüzerine püskürtülerek çöktürülmüştür. Çinko kaynağı olarak 0.1 MZn(CH 3 COO) 2·2H 2 O vevanadyum kaynağı olarak ise 0.1 M VCl 3 sulu çözeltileri kullanılmıştır.Üretilen tüm filmlerin manyetik özelliklerini incelemek amacıyla titreşimli örnekmagnetometresi (VSM) kullanılarak, malzemeler üzerine uygulanan dış manyetik alan etkisialtında malzemelerin mıknatıslanması incelenmiştir. Elde edilen histerisis eğrilerindenfaydalanılarak filmlerin, doyum manyetizasyonu, kalıcı manyetizasyon ve zorlayıcı kuvvetgibi manyetik özellikleri tespit edilmiştir. ZnO:V filmlerinin doyum ve kalıcı manyetizasyondeğerlerinin sırasıyla 3.40×10 –3 1.34×10 –2 emu/gr ve 1.82×10 –4 8×10 –4 emu/gr aralığındadeğiştiği belirlenmiştir.Teşekkür: Bu çalışma Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Komisyonu tarafındandesteklenmiştir. (Proje No: 2011/011)36

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011298–1400 K sıcaklık aralığında CdTe‟in ısı kapasitesiD. Sarıateş 1 , H. Koç 2 ve E. Eser 31 Yüksekokul, Teknik Programlar Bölümü, Alparslan Üniversitesi, Muş2 Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Tokat3 Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Çukurova Üniversitesi, AdanaP30Bu çalışmada, binomal katsayılar kullanılarak n-boyutlu Debye fonksiyonu hesaplanmış vetermodinamik özellikler için basit ve güvenilir analitik ifadeler elde edilmiştir. Bulunananalitik ifade kullanılarak 298–1400 K sıcaklık aralığında CdTe‟in ısı kapasitesi incelenmiştir.İncelemeler sonunda elde edilen sonuçlar deneysel ve teorik çalışmalarla karşılaştırılmış vesonuçların uyum içinde olduğu görülmüştür.37

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Püskürtme yöntemi ile hazırlanan ZnO ince filmlerin yapısal ve optikselözellikleriÖ. Filazi a , G. Altındemir b , C. Habiboğlu b , F. Yavuz c , F. Kırmızıgül b , C. Ulutaş b ,E. Güneri d , F. Göde c , ve C. Gümüş ba Adıyaman Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 02040 Adıyamanb Çukurova Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 01330 Adanac Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 15030 Burdurd Erciyes Üniversitesi Eğitim Fakültesi İlköğretim Bölümü, 38039 KayseriP31Bu çalışmada, püskürtme yöntemi kullanılarak 380 o C de cam alttabanlar üzerine hayligeçirgen ve polikristal olan ZnO ince filmleri elde edildi. X-ışınları kırınım (XRD) analizisonucundafilmlerin hekzagonal fazda büyüdükleri görüldü ve örgü parametreleri hesaplandı.Filmlerin yüzey morfolojisi için taramalı elektron mikroskobu (SEM) kullanıldı. Odasıcaklığındaki optik ölçümlerden enerji bant aralıkları 3.27–3.32 eV olarak bulundu. İncefilmlerin kırılma indisi (n) ve sönüm katsayısı (k) değerleri zarf yöntemi kullanılarak 400–1100 nm arasında hesaplandı.38

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011İlk ilke yöntemiyle NaTaO 3 kristalinin elektronik ve dinamik özelliklerininincelenmesi: Yoğunluk fonksiyoneli teorisinin uygulamasıŞevket Şimşek ve Süleyman ÇabukÇukurova Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 01330 Balcalı-AdanaP32Yerel yoğunluk yaklaşımı (LDA) altında yoğunluk fonksiyoneli teorisi (DFT) ve ab-initiopseudo potansiyel yöntem kullanılarak ortorombik yapıda NaTaO 3 kristalinin dinamiközellikleri (elastik sabitlerini, Born efektif yükünü ve optik dielektrik sabiti) ve elektroniközellikleri incelendi. Brillouin bölgesindeki yüksek simetri yönlerindeki band yapısı bulundu.Ortorombik fazda NaTaO 3 kristalinin doğrudan band aralığına sahip bir kristal olduğu görüldüve yasak enerji aralığı simetri noktalarında 2.861 eV olarak bulundu. Parçalı ve toplamdurum yoğunluğu hesaplandı. Elde edilen sonuçlar teorik ve deneysel sonuçlarlakarşılaştırıldı.39

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Tamsayılı kuantize Hall etkilinde yerel elektrik alan etkisiSinem Erden Gulebaglan 1 , Ismail Sokmen 1 , Afif Siddiki 2 , ve R. R. Gerhardts 31 Dokuz EylülUniversitesi, Fen Fakültesi,Fizik Bölümü, Tinaztepe Kampüsü, 35100 Izmir,Türkiye2Istanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi,Fizik Bölümü, Beyazit Kampüsü, Istanbul, Türkiye3 Max-Planck-Institut für Festkörperforschung,Heisenbergstrasse 1, D-70569 Stuttgart,AlmanyaP33Kuvvetli manyetik ve elektirik alan altındaki iki boyutlu electron gazında yerel durumyoğunlukları hesaplanmıştır. İlk olarak elektrik alan ve çarpışma etkileri yok olduğu durumdaLandau quantizasyonu ele alınmıştır. Tek bir yönde düzlemde elektrik alan delta fonksiyonuşeklindeki Landau durum yoğunluğunda genişlemeye yok açmaktadır. Buradan konuma bağlıolarak enerji özfonksiyonları elde edilebilir. Yerel durum yoğunluğunun elektrik alanınınşiddetine bağlılığı ifade edilmiştir.40

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Ga katkılı ve katkısız CdO bileşiğinin yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesiGökhan Çabuk 1 , Senem Aydoğu 1 , M. Burak Çoban 1,2 , Aziz Uluışık 11 Fizik Bölümü, Dumlupınar Üniversitesi, Merkez Kampüs, Kütahya2 Fizik Bölümü, Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü, Merkez Kampüs, KocaeliP34Katkısız ve Ga katkılı CdO ince filmleri kimyasal püskürtme tekniği kullanılarak üretilmiştir.75 mlt‟lik CdO çözeltisi 275 o C taban sıcaklığına %0, %0.2, %0.4, %0.6, %0.8 oranlarında Gakatkılarak elde edilen katkılı ve katkısısız CdO ince filmin yapısal özellikler x-ışını kırınımı(XRD) ve optik özellileri ise optik absorbsiyon (UV spektometre) metodu ile analiz edilmiştir.Böylece, Ga katkısının CdO ince filminin yapısında ve optik özelliklerindeki değişimincelenmiştir.41

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Al-Pb-Zn üçlü alaşımının termo-elektriksel özellikleriMehmet Özdemir 1 , Fatma Meydaneri 2 , Buket Saatçi 31 Erciyes Üniversitesi, Fen Fakültesi, Kimya Bölümü, 38039 Talas Kayseri2 Karabük Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Bölümü,78050, Karabük3 Erciyes Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 38039 Talas KayseriP35Al-Pb-Zn alaşımlarının ısı iletkenlik katsayıları radyal ısı akış metodu ile sıcaklığa vebileşime bağlı olarak ölçüldü. Isı iletkenlik katsayıları ve Lorentz değerlerinden yararlanarakWiedemann–Franz kanunu ve Smith–Palmer eşitliğinden elektriksel iletkenlik değerlerihesaplandı. Smith–Palmer eşitliğine göre belirlenen elektriksel iletkenlik değerlerinin literatürile oldukça uyumlu olduğu belirlendi.Teşekkür: Bu çalışmaErciyes Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri tarafından desteklenmiştir. Ayrıcaçalışmaların yürütüldüğü Fizik II Lab. sorumlusu Prof. Dr. Mehmet Gündüz‟e teşekkür ederiz.42

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011SnO 2 ince filmlerinin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerininfilm kalınlığına bağlı incelenmesiM. Ali Yıldırım, Yunus Akaltun * , Aytunç Ateş ** , ve S. T. Yıldırım ***Fizik Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, Erzincan*Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, Erzincan**Malzeme Mühendisliği Bölümü, Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, 06030, Ankara***Kimya Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, ErzincanP36SnO 2 ince filmleri, Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) metodukullanılarak oda sıcaklığında cam taban malzemeleri üzerine büyütüldü. SnO 2 ince filmleriiçin, ([Sn(NH 3 ) 4 ] 4+ ) kalay-amonyak kompleksi SnCl 4 (% 99) ve NH 3 (% 25–28)kullanılarakhazırlandı ve başlangıç katyonik çözeltisi olarak kullanıldı. SnO 2 ince filmleri 60, 80, 100, ve120 SILAR döngüsü sonunda elde edildi ve film kalınlıkları sırasıyla 215, 300, 380, ve 490nm olarak hesaplandı. X-ışını kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM), optiksoğurma ölçümleri ve sıcaklığa bağlı elektriksel ölçümler yardımıyla film kalınlığınınfilmlerin yapısal, optik ve elektriksel karakteristikleri üzerine etkisi incelendi. Bu ölçümleryardımıyla, filmlerin polikristal yapıda olduğu, filmlerin kristalliğinin ve yüzey özelliklerininfilm kalınlığının artması ile iyileştiği belirlendi. SnO 2 ince filmlerin yasak enerji aralığı filmkalınlığı ile 3,90 eV‟tan 3,54 eV‟a azaldığı ve soğurma kenarının dikleştiği gözlendi.Filmlerin yasak enerji aralığı değerleri kullanılarak filmlerin kırılma indisi (n) ve dielektriksabiti (ε o , ε ∞ ) değerleri hesaplandı. 300–500 K sıcaklık aralığında filmlerin özdirenç değerleribelirlendi.43

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Cd 1-x Zn x Se ince filmlerinin yapısal ve optik özellikleri üzerine çinkokonsantrasyonunun etkisiYunus Akaltun, M. Ali Yıldırım * , Aytunç Ateş ** , ve Recep Polat ***Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, Erzincan* Fizik Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, Erzincan** Malzeme Mühendisliği Bölümü, Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, 06030, Ankara*** Fizik Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, ErzincanP37Cd 1–-x Zn x Se ince filmleri Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) metodukullanılarak oda sıcaklığında cam taban malzemeleri üzerine büyütüldü.X-ışını kırınımı(XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve optik soğurma ölçümleri yardımıyla çinko(Zn) konsantrasyonunun filmlerin yapısal ve optik karakteristikleri üzerine etkisiincelendi.XRD ve SEM ölçümleri yardımıyla filmlerin polikristal yapıda olduğu, çinkokonsantrasyonunun azalması ile film kristalliğinin ve yüzey özelliklerinin iyileştiği gözlendi.Ayrıca, çinko konsantrasyonunun artması ile kristal yapının hekzagonal yapıdan kübik yapıyadeğiştiği belirlendi. Cd 1–x Zn x Se ince filmlerin yasak enerji aralığı çinko konsantrasyonununartması ile 1.99 eV‟ tan 2.82 eV‟a arttığı gözlendi. Filmlerin yasak enerji aralığı değerlerikullanılarak filmlerin kırılma indisi (n), etkin kütle (m e * /m o ) ve dielektrik sabiti (ε o , ε ∞ )değerleri hesaplandı.Teşekkür:Bu çalışma, Erzincan Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri tarafından desteklenmektedir (ProjeNo:10.01.07).44

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P38Kobalt oksit filmlerinin fiziksel özellikleriBanu Erdoğan, İdris Akyüz, ve Ferhunde AtayEskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik BölümüSon yıllarda, kobalt oksit ince filmleri teknolojik uygulamalarda yaygın kullanım potansiyeliile dikkat çekmektedir. Bu çalışmada, kobalt oksit ince filmlerini üretmek için uygulanmasıkolay ve ekonomik bir teknik olan ve geniş yüzeylere çöktürme imkânı sağlayan ultrasonikkimyasal püskürtme tekniği kullanılmıştır. Filmler mikroskop cam tabanlar üzerine 40 dakikasüre ile 300 ± 5° C taban sıcaklığında çöktürülmüştür ve deney sonrası filmler 3 saat süre ilehava ortamında 450 °C‟de ısıl işleme tabi tutulmuştur. Filmlerin soğurma ve yansımaspektrumları UV–VIS Spektrofotometre cihazı kullanılarak alınmıştır. Kalınlıkları ve optiksabitleri (kırılma indisi ve sönüm katsayısı) Spektroskopik Elipsometre cihazı ve yüzeytopografileri ile pürüzlülük değerleri ise Atomik Kuvvet Mikroskobu (AKM) ileincelenmiştir. Filmlerin özdirençlerini belirlemek için dört uç tekniği kullanılmıştır.45

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile üretilen CdO:F ince filmlerininfiziksel özellikleriElif Ketenci, Ferhunde Atay ve İdris AkyüzEskişehir Osmangazi ÜniversitesiP39Bu çalışmada CdO:F yarıiletken filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği (UKP) ile 300±5°C taban sıcaklığında üretilmiş ve üretim sonrası tüm filmler 450 °C sıcaklıkta ısıl işlemetabi tutulmuştur. Üretilen filmlerin optiksel, elektriksel ve yüzey özellikleri incelenerek Fkatkı elementinin etkisi araştırılmıştır. CdO:F filmlerinin spektroskopik elipsometre cihazıkullanılarak kalınlıkları belirlenmiş ve bazı optik parametreleri (sönüm katsayısı ve kırılmaindisi) saptanmıştır. Filmlerin yasak enerji aralıkları optik metot ile hesaplanmış ve direktbant aralıklı malzemeler oldukları görülmüştür. Atomik Kuvvet Mikroskobu (AKM) ile üçboyutlu yüzey topografileri ve faz görüntüleri alınmış ve taneli yapılanmanın varlığı dikkatiçekmiştir. Filmlerin elektriksel iletkenlik ve özdirenç değerlerini belirlemek amacıyla dört uçtekniği kullanılmıştır. Tüm sonuçlar opto-elektronik endüstrisi ve fotovoltaik güneş piliuygulamaları açısından değerlendirilmiş ve üretim sonrası ısıl işlemin her bir fiziksel özelliküzerinde önemli bir etki yarattığı sonucuna varılmıştır.46

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile üretilen In katkılı CdS filmlerininelektriksel, yapısal ve morfolojik özellikleriGülşah Gürbüz, Meryem Polat, Salih Köse, ve Elif CeylanEskişehir Osmangazi Üniversitesi, Eskişehir, TürkiyeP40Bu çalışmada CdS ve Cd 1–x In x S (x = 0.1, 0.3, 0.5) filmleri ultrasonik kimyasal püskürtmetekniği ile 275±5 o C de ısıtılmış cam tabanlar üzerine çöktürülmüştür. Filmlerin optiközelliklerinden absorbsiyon, geçirgenlik ve yansıma spektrumları farklı ortam sıcaklıklarındaUV–VIS Spektrofotometre cihazı ile alınmıştır. Optik metot kullanılarak yasak enerjiaralıkları belirlenmiştir. Filmlerin kalınlıkları ve optik sabitleri (kırılma indisi ve sönümkatsayısı) spektroskopik ellipsometri tekniği ile belirlenmiştir. Yüzey özellikleri atomikkuvvet mikroskobu ve taramalı elektron mikroskobu, elemental analizleri ise enerji dağılımlıX-ışınları (EDS) spektroskopisi ile incelenmiştir. Filmlerin kristal yapıları x-ışını kırınımdesenleri kullanılarak incelenmiş ve özdirenç değerleri dört-uç metodu ile belirlenmiştir.Teşekkür: Bu çalışma Eskişehir Osmangazi Üniversitesi (BAP Proje No: 201019011) tarafındandesteklenmiştir.47

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Al x In 1-x Sb yarıiletken bileşiğinde elektron dinamiğininMonte Carlo yöntemiyle incelenmesiMustafa Akarsu 1 , Senem Aydoğu 2 , ve Ömer Özbaş 11 Fizik Bölümü, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Meşelik, Eskişehir2 Fizik Bölümü, Dumlupınar Üniversitesi, Merkez Kampus, KütahyaP41Al x In 1–x Sb yarıiletken bileşiğinde elektron dinamiği Monte Carlo yöntemiyle x = 0.2 ve x =0.3değerleri için elektrik alanın fonksiyonu olarak 77 K ve 300 K örgü sıcaklıkları için incelendi.Akustik fonon, polar optik fonon, iyonize safsızlık ve dislokasyon saçılmaları hesaplamalaradahil edildi. Sürüklenme hızı ve sürüklenme mobilitesi farklı dislokasyon yoğunlukları içinelektrik alanın fonksiyonu olarak belirlendi. Düşük elektrik alan mobilitesi dislokasyonyoğunluğunun bir fonksiyonu olarak hesaplandı. Dislokasyon yoğunluğunun 1×10 7 cm –2değerinden daha düşük değerlerinde mobilitenin etkilenmediği görüldü. Dislokasyon veiyonize safsızlıkların elektron sürüklenme hızı üzerinde düşük elektrik alan değerlerinde etkilioldukları görüldü.48

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P42Ir katkılı ZnO filmlerinin üretilmesi ve bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesiMüge Söyleyici, Ferhunde Atay, ve İdris AkyüzEskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik BölümüOptoelektronik aygıtlarda ve güneş pillerinde kullanılan saydam iletken oksit malzemelerinoptiksel, yüzeysel ve elektriksel özellikleri aygıt performansını önemli derecedeetkilemektedir. Bu çalışmada, % 10 Ir katkılı ZnO filmleri ultrasonik kimyasal püskürtmetekniği ile 300±5 C taban sıcaklığında üretilmiş ve fotovoltaik güneş pillerinde kullanımpotansiyelini iyileştirmek için 450 C‟ de 3 saat tavlama işlemi yapılmıştır. Üretilen filmlerin,optiksel, yüzeysel ve elektriksel özellikleri incelenmiş ve tavlama işleminin fiziksel özelliklerüzerinde önemli bir etki yarattığı sonucuna varılmıştır.49

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011ZnO filmlerinin üretimi ve karakterizasyonuOlcay Gençyilmaz a,b , Ferhunde Atay a , ve İdris Akyüz aa Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Eskişehir, Türkiyeb Çankırı Karatekin Üniversitesi, Fizik Bölümü, Çankırı, TürkiyeP43II–VI yarıiletken bileşiklerinden olan ZnO filmleri düşük özdirenç ve yüksek geçirgenliklerigibi uygun özelliklerinden dolayı pek çok teknolojik uygulamada tercih edilmektedir. Buçalışmada ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği kullanılarak 300±5 °C‟de cam tabanlarüzerine ZnO filmleri çöktürülmüştür. Üretilen filmlerin özelliklerini iyileştirmek için 450,500, ve 550 °C sıcaklıklarında tavlama işlemi yapılmış ve filmlerin elektrik, optik ve yüzeyözellikleri üzerine tavlama sıcaklığının etkisi araştırılmıştır. Üretilen filmlerin geçirgenlik vesoğurma spektrumları UV spektrofotometre cihazı, kalınlık değerleri ve optik sabitleri (n ve k)ise spektroskopik elipsometre cihazı kullanılarak belirlenmiştir. Tüm filmlerin üç boyuttayüzey görüntülerini incelemek ve yüzey pürüzlülüklerini belirlemek amacı ile atomik kuvvetmikroskobu (AFM) görüntüleri alınmıştır. Belirtilen analizler değerlendirilerek, ZnOfilmlerinin fotovoltaik ve diğer uygulamalarda kullanılabilirlikleri araştırılmıştır.50

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011ZnO filmlerinin bazı fiziksel özellikleri üzerine Co kaynağının etkisiOlcay Gençyılmaz a,b , Ferhunde Atay a , ve İdris Akyüz aa Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Eskişehir, Türkiyeb Çankırı Karatekin Üniversitesi, Fizik Bölümü, Çankırı, TürkiyeP44Son yıllarda ZnO filmlerine geçiş elementleri katkılanarak yapılan çalışmalarda, bu filmlerinyeni uygulama alanlarında kullanımı ortaya çıkmıştır. Bu çalışmada katkısız ve farklı iki Cokaynağı kullanılarak katkılanmış ZnO:Co (%12) filmleri ultrasonik kimyasal püskürtmetekniği ile elde edilmiştir. Üretilen filmlerin yapısal, optiksel ve yüzeysel özellikleriincelenerek Co kaynağının etkisi araştırılmıştır. ZnO filmlerinin yapısal ve yüzeyözelliklerinin Co kaynağına bağlı olarak belirgin bir değişim gösterdiği belirlenmiştir. Ayrıcafilmlerin geçirgenlik spektrumlarında Co elementine ait karakteristik sarkmalar görülmüştür.Sonuç olarak Co kaynağının ZnO filmlerinin yapısal, optiksel ve yüzeysel özelliklerindeönemli derecede etkiler yarattığı saptanmıştır.51

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Borat ve mikroskop cam tabanlar üzerine üretilen CdO filmlerin ısıl işlemsonucu sergilediği yüzeysel, elektriksel, ve optik özelliklerSadiye Çetinkaya Çolak, Banu Erdoğan, İdris Akyüz, ve Ferhunde AtayEskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi Fizik BölümüP45Bu çalışmada, ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile CdO filmlerinin üretimi içingeleneksel mikroskop camı yerine farklı bir taban cam kullanılarak, filmin fiziksel özellikleriüzerine etkisi araştırılmıştır. Alternatif cam olarak alümina-borat cam seçilmiş ve bu çalışmakapsamında melt-quenching tekniği ile üretilmiştir. Her iki taban üzerine üretilen filmler 450°C‟de 3 saat süre ile hava ortamında ısıl işleme tabi tutulmuştur. Isıl tavlama işleminin her ikinumunenin yüzeysel, elektriksel ve optik özellikleri üzerine etkisi araştırılmıştır. Yüzeyselözelliklerinin incelenmesi için Atomik Kuvvet Mikroskobu kullanılarak yüzey görüntüleri vepürüzlülük değerleri elde edilmiştir. Dört uç tekniği ile elektriksel özdirenç değerleri borat vemikroskop cam taban kullanılan numuneler için sırası ile 2.26×10 –3 ve 1.24×10 –3 ·cm olarakbelirlenmiştir. Numunelerin kalınlık, kırılma indisi ve sönüm katsayısı değerlerini belirlemekiçin Spektroskopik Elipsometri Tekniği kullanılmıştır. Ayrıca numunelerin geçirgenlikspektrumları UV–VIS Spektrofotometre kullanılarak alınmış ve optik metot yardımıyla bantaralığı değerleri belirlenmiştir.52

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Farklı sıcaklıklarda tavlanan In katkılı CdS filmlerinin fiziksel özelliklerininincelenmesiS. Karakaya ve Ö. ÖzbaşEskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, EskişehirP46CdS ince filmleri sahip oldukları optik ve elektrik özellikleri nedeniyle fotovoltaik güneşpilleri ve optoelektronik gibi alanlarda yaygın olarak kullanılan II–VI grubu yarıiletkenmalzemelerdir. Heteroeklem güneş pillerinde pencere materyali olarak kullanılacak CdSfilmlerinin düşük özdirence sahip olması istenir. Bu çalışmada, %8 In katkılı CdS filmleri300±5 ◦ C taban sıcaklığında ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği kullanılarak üretilmiştir.Elde edilen filmler, 2 saat süre ile 300 ◦ C, 400 ◦ C, ve 500 ◦ C‟de ısıl tavlama işlemine tabitutulmuştur. Filmlerin optik, elektrik ve yüzey özellikleri üzerine farklı tavlamasıcaklıklarının etkisi araştırılmıştır. Filmlerin geçirgenlik ve soğurma spektrumları UVspektrofotometre ile alınmıştır. Filmlerin optik geçirgenlikleri tavlama sıcaklığının artmasıylabirlikte artış göstermiştir. Spektroskopik elipsometri tekniği ve Cauchy–Urbach modelikullanılarak filmlerin kalınlıkları ve optik sabitleri belirlenmiştir. Üretilen filmlerin üç boyuttayüzey görüntülerini incelemek ve yüzey pürüzlülüklerini belirlemek amacıyla atomik kuvvetmikroskobu kullanılmıştır. Oda sıcaklığında yapılan elektriksel ölçümlerden özdirençdeğerlerinin 10 1 – 10 4 Ω·cm aralığında değiştiği görülmüştür.53

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P47CdO filmlerinin optiksel, yüzeysel ve elektriksel özellikleriZeycan Atiş, İdris Akyüz, ve Ferhunde AtayEskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi Fizik BölümüYüksek elektriksel iletkenliğe sahip olan malzemelerden biri olan CdO filmleri günümüzdedüz ekranlar, güneş pilleri, organik LED ve diğer opto-elektronik teknolojilerde önemli yertutmaktadır. Bu çalışmada CdO yarıiletken filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniğikullanılarak 2255 ˚C taban sıcaklığında ısıtılmış cam tabanlar üzerine çöktürülmüştür. Dahasonra 450 ˚C de 3 saat tavlanan filmlerin tavlamadan önce ve sonraki fiziksel özelliklerindekideğişim incelenmiştir. 350–800 nm dalgaboyu aralığında geçirgenlik ve absorbansspektrumları UV–Visible Spektrofotometre cihazı ile alınmıştır. Tüm filmlerin kalınlık,kırılma indisi ve sönüm katsayısı gibi optik özellikleri Spektroskopik Elipsometri tekniği ilebelirlenmiştir. Yüzey morfolojileri ve pürüzlülük değerleri atomik kuvvet mikroskobukullanılarak incelenmiştir. Ayrıca özdirenç değerlerini belirlemek için dört-uç tekniğikullanılmıştır.54

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Tam-Heusler Co 2 TiSn ve yarı-Heusler CoTiSn alaşımlarının manyetik,elektronik, elastik ve fonon özelliklerinin incelenmesiA. Candan 1 , A. İyigör 1 , G. Uğur 1 , Ş. Uğur 1 ve R. Ellialtıoğlu 21 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, AnkaraP48Ferromanyetik Co 2 TiSn ve CoTiSn Heusler alaşımlarının manyetik, elektronik, elastik vefonon özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi ve yerel yoğunluk yaklaşımı kullanılarakaraştırıldı. Elde edilen manyetik moment değerleri diğer teorik çalışmalarla karşılaştırılarakoldukça uyumlu olduğu gözlendi. Yarı-Heusler CoTiSn alaşımının tam-Heusler Co 2 TiSnalaşımına göre daha zayıf ferromanyetik özellikte olduğu bulundu. Spin durumları göz önünealınarak hesaplanan elektronik bant yapısı sonuçları literatürdeki diğer çalışmalarlakarşılaştırıldı. Yoğunluk fonksiyoneli pertürbasyon teorisi üzerine kurulu lineer-tepkiyaklaşımında ele alınan alaşımların fonon yapıları incelendi.Teşekkür: Bu çalışma Hacettepe Üniversitesi Bilimsel Araştırmalar Birimi 0701602005 nolu projesi iledesteklenmiştir.55

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011L2 1 yapıdaki Fe 2 CrAl ve C1 b yapıdaki FeCrAl alaşımlarının yapısal, elektronik,elastik ve fonon özelliklerinin incelenmesiA. Candan 1 , A. İyigör 1 , G. Uğur 1 , Ş. Uğur 1 ve R. Ellialtıoğlu 21 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, AnkaraP49Bu çalışmada, Fe 2 CrAl (L2 1 ) ve FeCrAl (C1 b ) Heusler alaşımlarının yapısal, elektronik,elastik ve titreşim özelliklerinin belirlenmesinde teorik yöntem olan yoğunluk fonksiyonelteorisi kullanıldı. Bu teori içindeki değiş–tokuş korelasyonu fonksiyoneli olarakgenelleştirilmiş gradiyent yaklaşımı seçildi. Elde edilen örgü parametreleri kullanılarak her ikialaşım için yukarı-spin ve aşağı-spin durumlardaki elektronik bant yapısı ve durum yoğunluğugrafikleri çizildi. İkinci dereceden elastik sabitleri hesaplanarak daha önceki çalışmalarlakıyaslandı. Titreşim özelliklerini incelemek için yoğunluk fonksiyoneli perturbasyon teorisikullanıldı.Teşekkür: Bu çalışma Hacettepe Üniversitesi Bilimsel Araştırmalar Birimi 0701602005 nolu projesi iledesteklenmiştir.56

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Fe 2 ScAl ve Co 2 ScAl Heusler alaşımlarının kübik L2 1 yapıdaki elastik ve fononözelliklerinin teorik olarak incelenmesiA. İyigör 1 , A. Candan 1 , Ş. Uğur 1 , G. Uğur 1 ve R. Ellialtıoğlu 21 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, AnkaraP50L2 1 yapısındaki Fe 2 ScAl ve Co 2 ScAl Heusler alaşımlarının elastik ve fonon özellikleri abinitiohesaplamalar yardımı ile incelendi. Hesaplamalarda genelleştirilmiş gradiyent yaklaşımıyöntemine göre oluşturulan değiş-tokuş korelasyon fonksiyoneli kullanıldı. Hesaplanantoplam enerji-hacim eğrileri Murnaghan hal denklemine uydurularak alaşımların örgü sabitlerive yığın modülleri hesaplandı. Elastik sabitleri örgüye hacim korunumlu küçük gerilmeleruygulanarak hesaplandı. Fonon frekansları ve fonon durum yoğunlukları (toplam ve kısmi)yoğunluk fonksiyoneli pertürbasyon teorisi kullanılarak elde edildi ve yorumlandı.Teşekkür: Bu çalışma Hacettepe Üniversitesi Bilimsel Araştırmalar Birimi 0701602005 nolu projesi iledesteklenmiştir.57

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011C15 b yapıdaki YMgNi 4 ve LaMgNi 4 üçlü bileşiklerinin yapısal, elastik veelektronik özellikleriA. İyigör 1 , A. Candan 1 , Ş. Uğur 1 , G. Uğur 1 ve R. Ellialtıoğlu 21 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, AnkaraP51Bu çalışmada, yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayalı genelleştirilmiş gradiyent yaklaşımıkullanılarak C15 b yapıdaki YMgNi 4 ve LaMgNi 4 bileşiklerinin yapısal, elastik, ve elektroniközellikleri incelendi. Bileşiklerin örgü sabitleri ve yığın modülleri ve ikinci dereceden elastiksabitleri hesaplandı ve daha önceki çalışmalarla karşılaştırıldı. Temel simetri yönleri boyuncaçizdirilen elektronik band yapı grafikleri literatürde yer alan diğer teorik çalışmalarla oldukçauyumlu bulundu.Teşekkür: Bu çalışma Hacettepe Üniversitesi Bilimsel Araştırmalar Birimi 0701602005 nolu projesi iledesteklenmiştir.58

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Yarı-metalik Co 2 CrAl Heusler alaşımının yapısal, manyetik, elastik, elektronikve fonon özelliklerinin incelenmesiG. Uğur 1 , A. Candan 1 , A. İyigör 1 , Ş. Uğur 1 ve R. Ellialtıoğlu 21 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, AnkaraP52Bu çalışmada, kübik yapıda bulunan Co 2 CrAl Heusler alaşımı üzerine yoğunluk fonksiyonelteorisi ve genelleştirilmiş gradiyent yaklaşımı kullanılarak manyetik, elastik, elektronik vefonon özellikleri için hesaplamalar yapıldı. Yapısal, manyetik ve elastik özellikleri için eldeedilen değerler, daha önceki çalışmalarla oldukça uyumlu bulundu. Aşağı ve yukarı spindurumlar için elde edilen elektronik bant yapısı grafiklerinden bu alaşımın yarı-metalikdavranış gösterdiği sonucuna varıldı. Lineer-tepki yöntemi kullanılarak temel simetri yönleriboyunca fonon dağılım eğrileri çizildi. Ayrıca hesaplanan fononlar için toplam ve kısmidurum yoğunluğu eğrileri elde edilerek yorumlandı.Teşekkür: Bu çalışma Hacettepe Üniversitesi Bilimsel Araştırmalar Birimi 0701602005 nolu projesi iledesteklenmiştir.59

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011L2 1 yapıdaki Pd 2 XAl (X=Co, Fe, Ni, Ti, Cu) Heusler alaşımlarının yapısal,elektronik ve elastik özelliklerinin hesaplanmasıA. Ekiz 1 , Ş. Uğur 1 ve R. Ellialtıoğlu 21 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, AnkaraP53Bu çalışmada Pd 2 XAl (X = Co, Fe, Ni, Ti, Cu) Heusler alaşımlarının yapısal, elastik, veelektronik özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi ile beraber sanki potansiyel vegenelleştirilmiş gradiyent yaklaşımı kullanılarak araştırıldı. Yapısal özellikler içerisinde örgüsabitleri, yığın modülleri ve yığın modüllerinin basınca göre birinci türevleri hesaplandı veliteratürde bulunan diğer sonuçlarla karşılaştırıldı. Elastik sabitleri küçük zorlanmalarla eldeedilen enerji değerlerinden bulundu. Elektronik bant yapısı, ile kısmi ve toplam durumyoğunluğu eğrileri spin-aşağı ve spin-yukarı durumlar için çizildi. Toplam manyetik momentPd 2 CoAl alaşımı için 1.82 µ B ve Pd 2 FeAl alaşımı için 3.20 µ B olarak hesaplandı. Diğeralaşımların net bir manyetizasyona sahip olmadığı görüldü.Teşekkür:Bu çalışma Hacettepe Üniversitesi Bilimsel Araştırmalar Birimi 0701602005 nolu projesi ile desteklenmiştir.60

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011ZrO 2 bileşiğinin LDA+U ve GGA+U metoduna bağlı olarakilk ilkeler yöntemiyle incelenmesiA. H. Ergün, Y. Ö. Çiftçi, K. Çolakoğlu, ve E. DeligözFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, 06500 Ankara, TürkiyeP54Bu çalışmada, ilk ilkeler yöntemiyle ZrO 2 bileşiğinin yapısal, elektronik, mekanik, vetitreşimsel özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisinin Yerel Yoğunluk Yaklaşımı (LDA) veGenelleştirilmiş Yoğunluk Yaklaşımı (GGA) altında incelendi. Ayrıca, yoğunluk fonksiyoneliteorisinin etkin U parametresine dayanan LDA+U ve GGA+U yaklaşımları ZrO 2 bileşiğineuygulandı. Toplam enerji hesabı için “Vienna Ab-initio Simulation Package” (VASP) paketprogramının düzlem dalga (PAW) metodu kullanıldı. Malzemenin seçili özelliklerinin etkin Uparametresine bağımlılığı detaylıca çalışıldı. Yapı parametreleri Fluorite (C1) yapıdaincelendi. Malzemenin denge geometrik yapısı, toplam ve kısmi durum yoğunlukları, elastiksabitleri ve fonon dispersiyon eğrileri önceki çalışmalar ve deneysel verilerle karşılaştırılarakincelendi ve analiz edildi.61

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P55CaF 2 -tipi PaN 2 kristalinin yapısal, elastik, elektronik ve termodinamik özellikleriA. Tatar 1,* , Y. Çiftçi 1 , ve S. Aydın 11 Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraYoğunluk fonksiyoneli çerçevesinde, CaF 2 -tipi PaN 2 kristalinin yapısal, elastik, elektronik vetermodinamik özellikleri sistematik bir şekilde incelendi. İlk-prensip hesaplamalarından eldeedilen enerji-hacim veri seti quasi-harmonik Debye modeli içinde işlenerek, hacim, bulkmodülü, ısı kapasitesi, termal genleşme katsayısı, Debye sıcaklığı ve Grüneisenparametresinin, geniş basınç ve sıcaklık aralıklarında, basıncın ve sıcaklığın fonksiyonuolarak nasıl değiştikleri araştırıldı. Hesaplanan band yapısı ve durum yoğunluğu eğrilerindenPaN 2 ‟nin W–L ve W–K aralıklarında Fermi enerjisini kesen bir band‟dan dolayı metalikkarakterde olduğu, ve Fermi seviyesinin hemen üstünde geniş bir enerji aralığının meydanageldiği görüldü.62

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Ab-initio yöntem ile NbIrSn bileşiğinin elektronik, elastik ve optik özelliklerininincelenmesiB. Koçak, Y. Ö. Çiftçi, ve K. ÇolakoğluFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraP56Bu çalışmada MgAgAs (C1 b ) kristal yapıdaki yarı iletken NbIrSn bileşiğinin yapısal,elektronik, elastik ve optiksel özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanan ab-initiometot kullanılarak hesaplandı. Yapılan tüm hesaplarda VASP (Vienna Ab-initio SimülasyonPaketi) paket programı kullanıldı. Foton enerjisine bağlı lineer dielektrik fonksiyonları ilesoğurma katsayısı, kırılma indisi, enerji-kayıp fonksiyonu ve yansıtıcılık gibi önemli optikselsabitler hesaplanarak, basınçla değişimi incelendi. Elde edilen sonuçların deneysel ve teorikçalışmalarla uyumlu olduğu tespit edildi.63

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P57PrZn için ilk ilkeler teoriksel çalışmasıB. S. Lişesivdin, Y. Ö. Çiftçi, ve K. ÇolakoğluGazi Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü, Ankara, TürkiyeB2 yapılı PrZn bileşiğinin yapısal, elastik ve elektronik özellikleri düzlem dalgapseudopotansiyel metod kullanılarak ilk ilkeler hesaplamalarıyla incelendi. Hesaplanan örgüsabiti ve bulk modülü diğer deneysel ve teorik çalışmalarla uyum içerisinde bulunmuştur.PrZn bileşiğinin elektronik yapısı ve DOS grafikleri bu bileşiğin metalik doğasınıdoğrulamaktadır. Elastik sabitleri, bulk modülü, shear modülü, yound modülü, poison oranıgibi elastik özellikler bu bileşik için incelendi ve Born kararlılık kriterlerini sağladığı görüldü.Elektron durum yoğunluğu, elektron yük yoğunluğu ve Mulliker populasyon analizi PrZn 2 ninelektronik ve bağlanma davranışını tartışmak için hesaplandı. Elde edilen sonuçlar deneyseldata ve daha önceki teorik hesaplamalarla kıyaslandı.64

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P58RuN bileşiğinin temel fiziksel özeliklerinin ilk ilkeler yöntemiyle incelenmesiC. Bülbül, Y. Ö. Çiftçi, ve K. ÇolakoğluGazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500, AnkaraBu çalışmada yoğunluk fonksiyoneli teorisi içinde genelleştirilmiş gradyent yaklaşımı (GGA)kullanarak RuN bileşiğinin NaCI(B1), CsCI (B2), Zinc-blende (B3), NiAs(B8 1 ), PbO(B10)and Wc (B h ) kristal yapıları için ilk ilkeler yöntemiyle yapısal, elastik, elektronik vetermodinamik özellikleri incelendi. Optimize edilmiş yapısal parametreler (örgü sabiti, bulkmodülü ve bulk modülünün türevi) teorik çalışmalarla uyum içinde bulundu. Ayrıca hacim,bulk modülü, ısıl genleşme katsayısı ve ısı kapasitesinin sıcaklık ve basınçla değişimi quasiharmonik debye modeli kullanılarak geniş bir aralıkta hesaplandı.65

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011CoFe alaşımının temel fiziksel özelliklerinin teorik çalışmasıG. Yeniçeri, Y. O. Çiftçi 1 , K. Çolakoğlu 1 , ve E. Deligöz 21 Gazi Üniversitesi Fizik Bölümü, Teknikokullar, Ankara2 Aksaray Üniversitesi Fizik Bölümü 68100 AksarayP59Bu çalışmada, B2 yapılı CoFe alaşımının yapısal, elektronik, elastik, termodinamik vetitreşimsel özellikleri VASP paket programı kullanılarak teorik olarak incelendi.Hesaplamalar, yoğunluk fonksiyonel teorisi (YFT) ve genelleştirilmiş gradyent yaklaşımıtemel alınarak yapıldı. Özellikle, örgü sabiti, bulk modülü, bulk modülünün birinci türevi,elastik sabitleri, kesme modülü, Young modülü ve Poisson oranı hesaplandı ve diğer teorikdeneysel sonuçlarla kıyaslandı. Termodinamik özellikler için yarı harmonik debye modelikullanıldı.66

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011K 3 As 7 bileşiğinin yapısal ve elastik özellikleriP60H.B. Özışık, K. Çolakoğlu, Y. Ö. Çiftçi, E. Deligöz*, G. Sürücü, ve İ. ÖnerGazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, Ankara, Türkiye,* Aksaray Üniversitesi, Fizik Bölümü, Aksaray, TürkiyeOrtorombik yapıdaki K 3 As 7 bileşiğinin yapısal ve elastik özellikleri ab initio yöntemlerikullanılarak incelendi. Hesaplamalar GGA-PBE yaklaşımı kullanılarak yapıldı. Örgü sabitlerihesaplandı ve literatür ile uyum içinde olduğu görüldü. Stres–strain yöntemi kullanılarakelastik sabitleri hesaplandı ve mekanik olarak kararlı olduğu görüldü. Ayrıca, elastiközelliklerle ilgili nicelikler (Young modülü, Bulk modülü, Shear modülü, Poisson oranı, seshızları, Debye Sıcaklığı, elastik anizotropi ve lineer sıkışabilirlik değerleri) hesaplanarakyorumlandı.67

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Ab-initio yöntemlerle InS bileşiğinin incelenmesiİ. Öner 1 , K. Çolakoğlu 1 , H. Özışık 2 , ve H. B. Özışık 21 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi Teknikokullar, 06500, Ankara2 Aksaray Üniversitesi, Fizik Bölümü, Aksaray, TürkiyeP61Periyodik cetvelin III–VI grubundan InS bileşiğinin NaCl (B1) ve CsCl (B2) fazlarındakiyapısal, elastik, elektronik ve termodinamik özellikleri sunulmuştur. Tüm hesaplamalardaVienna Ab-initio Simülasyon Paketi (VASP) / PAW Metodu / katılar için yenidendüzenlenmiş Genelleştirilmiş Gradyan Yaklaşımı (PBE_sol) kullanılmıştır. Örgüparametreleri Genelleştirilmiş Gradyan Yaklaşımı (GGA) ve PBE_sol metotları ilehesaplanarak deneysel çalışmalarla karşılaştırılmıştır. Stres–strain yöntemiyle elastik sabitleriincelendiğinde B1 fazının enerjitik ve mekanik olarak kararlı olduğu ve basınç altında B2fazına geçiş yaptığı gözlenmiştir. Elektronik hesaplamalar, B1 fazının bant yapısının metalikkarakter sergilediğini göstermiştir. Debye sıcaklığı, enine ve boyuna ses hızları, Youngmodülü, Shear modülü, anizotropi sabiti bu çalışmada sunulan diğer parametrelerdir. Eldeedilen sonuçların diğer teorik ve deneysel çalışmalarla uyum içinde olduğu görülmüştür.68

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011The ınvestigations of structural, elastic, electronic and thermodynamicproperties in CeTl compound by first-principlesM. Yılmaz a , Y. Ö. Çiftçi a , K. Çolakoğlu a , ve E. Deligöz ba Gazi University, Department of Physics, Teknikokullar, 06500, Ankarab Aksaray University, Department of Physics, 68100,AksarayP62Structural, elastic, elektronic and thermodynamic properties of the CeTl were investigated bymeans of first–principles plane-wave pseudopotential method within Generalized GradientApproximation (GGA). The thermodynamic properties of the considered metalic compoundare obtained through the quasi-harmonic Debye model. In order to gain furter information, thepressure and temperature-dependent behavior of the volume, bulk modulus, thermalexpansion coefficient, heat capacity, enthalpy, Debye temperature and Grüneisen parameterare also evaluated wide pressure and temperature range. The results on the basic physicalparameters, such as the lattice constant, bulk modulus, pressure derivative of bulk modulus,Zener anisotropy factor, Poisson‟s ratio, Young‟s modulus and isotropşc shear modulus arepresented. The obtained results are in agreement with the available experimental and othertheoretical values.69

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P63Spin-3/2 Ising modelin çoklu kritik faz diyagramlarıG. Sezgin ve N. SeferoğluGazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, İleri Teknolojiler Anabilim Dalı, 06500 AnkaraFerromagnetik bilineer etkileşmeli spin-3/2 Blume-Emery-Griffiths (BEG) modelin manyetikalan varlığında ve yokluğunda kritik davranışları incelendi. Modelin simülasyonu bir cellularautomatonda gerçekleştirildi. Hesaplamalar, Creutz algoritmasından elde edilen soğutmaalgoritması kullanılarak basit kübik örgüler üzerinde yapıldı. Çalışmada, modelin iki yeni fazdiyagramı oluşturularak manyetik alan etkisi incelendi. Bununla birlikte, sonlu-örgüölçekleme teorisi kullanılarak ikinci derece faz geçişleri için statik kritik üsler (, , ) ve alankritik üssü () elde edilerek modelin seçilen parametre değerlerinde sahip olduğu evrenselliksınıfı belirlendi. Çalışmada belirlenen parametre aralığında, çoklu kritik nokta civarındaevrensel Ising model kritik üslerinden farklı üs değerleri tespit edildi.70

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P64Tek kanal ve çift kanal InGaN/InN çokluyapıların kıyaslanmasıG. Atmaca, K. Elibol, G. Karakoç, C. Güneş ve S. B. LişesivdinGazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500 AnkaraSon yıllarda III-nitrür yarıiletkenlerdeki son gelişmelerin paralelinde yüksek performanslınitrür tabanlı yüksek elektron hareketlilikli transistörler (HEMT) araştırmaların odağı halinegelmiştir. İndiyum Nitrür tabanlı yarıiletken malzemeler, optik ve mikrodalga uygulamalarıiçin oldukça ilgi çekici ve gelecek vaad edici bir malzeme sistemleridir. InN tabanlıHEMT'lerdeki yüksek kritik elektrik alandan dolayı yüksek doyum hızının olması bu türmalzemelerin çalışılmasının ana nedenlerinden biridir. InN ve InGaN arasındaki örgüuyumsuzluğu nedeniyle yüksek piezoelektrik alanlar ile elde edilen yüksek taşıyıcı yoğunluğuaygıt performansını geliştirici yönde etkilemektedir. n-tipi InGaN bariyerindeki vericiyoğunluğu iletkenlik bandı süreksizliğinin kontrolünde rol almaktadır. Bu çalışmada tek kanaln-InGaN/InN ve çift kanal n-InGaN/InN/InGaN modülasyon katkılı alan etkili transistörlerinInGaN bariyerindeki In oranının, bariyer kalınlığının ve InN tabaka kalınlığının değişiminintaşıyıcı yoğunluğu üzerindeki etkilerini 1 boyutlu kendini eşleyebilen doğrusal olmayanSchrödinger–Poisson denklemlerini çözerek modelledik. Ayrıca, tek kanal ve çift kanal InNtabanlı bu HEMT yapıları için saçılma analizlerine göre kıyaslandı.71

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P65Voltaja bağlı iyonizasyon hücresinde sistem karakteristiklerinin incelenmesiH. Yücel Kurt ve A. YurtsevenFizik Bölümü, Fen Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraBu çalışmada uygulanan voltajın sistem karakteristiklerine etkisi araştırılmış ve uygulananvoltajın etkisi yarıiletken detektördeki iç homojensizlikleri gösteren hem profil hem desistemden yayınlanan ışık emisyonunu kullanarak analiz edilmiştir.72

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Tek ve çift tabakalı grafen alan etkili transistörlerin (GFET)akım–gerilim (I/V) performansıK. Elibol 1 , G. Atmaca 1 , E. Özbay 2,3 ve S. B. Lişesivdin 11 Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Bilkent Üniversitesi, Nanoteknoloji Araştırma Merkezi-NANOTAM, Bilkent, 06800, Ankara3 Fizik ve Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü, Bilkent Üniversitesi, Bilkent, 06800, AnkaraP66Karbon atomlarının düzlemsel tek katmanından oluşan grafenin üstün elektronik ve mekaniközellikleri, grafen çalışmalarını oldukça artırmıştır [1]. Son zamanlarda çift tabakalı grafeninde aygıtlarda üstün performans sergilediği gösterilmiştir. İki tabaka olması nedeniyle az daolsa bir band aralığına sahip olduğu için çift katmanlı grafen kullanılarak üretilen aygıtlar tekkatman grafene göre daha iyi kontrol edilebilir. Bu çalışmada, Adam ve arkadaşlarının [2]geliştirdiği kendini eşleyebilen (self-consistent) iletim modeli kullanılarak elde edileniletkenlikten yararlanarak ve tek ve çift tabakalı grafen alan etkili transistörler için kendinieşleyebilen akım gerilim hesaplamaları yapılmıştır. Kanal uzunluğu, kanal genişliği ve ikincikatmanın aygıt performansına etkisi incelenmiştir. Ayrıca, minimum iletim düzlükleriningenişliğinin iletime etkisi araştırılmıştır. Yüksek safsızlık yoğunluklarında tek ve çift tabakalıgrafende minimum iletim düzlüklerinin genişliğinin arttığı ve iletimin azaldığı gözlenmiştir.Farklı safsızlık yoğunluklarında akım gerilim transfer karakteristikleri hesaplanmıştır.Referanslar[1] Frank Schwierz, Graphene transistors, Nature Nanotechnology 5, 487 (2010).[2] S. Adam et. al., A self-consistent theory for graphene transport, PNAS, 104, 18392 (2007).73

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Epitaksiyel grafende Hall ve zayıf antilokalizasyon ölçümleriK. Elibol 1 , G. Atmaca 1 , S. Bütün 2,3 , S. B. Lişesivdin 1 ve E. Özbay 2,31 Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Bilkent Üniversitesi, Nanoteknoloji Araştırma Merkezi-NANOTAM, Bilkent, 06800, Ankara3 Fizik ve Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü, Bilkent Üniversitesi, Bilkent, 06800, AnkaraP67Karbon atomlarının iki boyutlu bir hegzagonal örgü dizilimden oluşan grafen, yüksek taşıyıcıdevingenliği ve kararlı yapısıyla elektronik aygıtlar için avantajlar sunar. Epitaksiyel grafenbüyütme, geniş alanlar üzerine aygıt üretmek için kolaylık sağlar. Bu çalışmada, SiC üzerineepitaksiyel büyütülen grafen numuneleri için Hall ölçümleri Van der Pauw yöntemi ileyapılmıştır. Epitaksiyel grafen numuneleri için öncelikle karanlık ve aydınlık Hall ölçümleriyapıldı. Aydınlık Hall ölçümlerinde, 450 nm ile 485 nm arasında dalga boyuna sahip bir maviLED kullanılmıştır. Bu ölçümde, 300 K‟den 30 K‟e inildikten sonra 30 dakika boyunca ışıkverildi. Daha sonra ışık kapatılarak 30 K‟den 300 K‟e çıkarken ölçümler yapılmıştır. Aydınlıkölçümlerde, düşük sıcaklıklarda devingenlik ve taşıyıcı yoğunluğunda önemli bir azalmaolmuştur. Sıcaklık 200 K civarına geldiğinde ise devingenlik ve taşıyıcı yoğunluğu karanlıkölçüm değerlerine ulaşmıştır. Epitaksiyel grafen numuneleri için elde edilen taşıyıcıyoğunluğu, devingenlik ve iletkenlik sonuçları, benzer karakteristiğin gözlenipgözlenmediğini görmek amacıyla GaN tabanlı bir HEMT yapısı ile son derece iyi yönelmişpirolitik grafitin (HOPG) karanlık ve aydınlık Hall ölçümleri ile karşılaştırılmıştır. Zayıfantilokalizasyon ölçümleri düşük sıcaklıklarda -0.05 T ile 0.05 T arasında 0.001 T adımlarladeğişen magnetik alanlarda yapılmıştır. Elde edilen taşıyıcı yoğunluğu, devingenlik vemagnetoiletkenlik sonuçları incelenmiştir.74

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P68Au/TiO 2 /nSi/Au yapıların parametrelerinin incelenmesiM. Sel ve M. ÖzerGazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500, AnkaraMetal–yarıiletken (MS) kontakların son yıllarda elektronik ve optoelektronik sanayindeoldukça fazla miktarda kullanılır hale gelmesi araştırıcıları bu yapıları farklı yarıiletkenler vemateryallerle oluşturulmaya ve parametreleri kararlı, tekrarlanabilir, performansı daha iyiyapılar olması yönünde araştırmalar yapmaya yöneltmiştir. MS yapıları hazırlama yöntemlerive şartları genellikle arayüzey durumlarının oluşmasına sebep olmakta bunlar da elektroniközellikleri ve parametreleri önemli ölçüde etkilemektdir. Burada sunulan çalışmada, nSiyarıiletkenin mat yüzeyinde Au ile omik kontak ve parlak yüzeyi üzerinde ise önce püskürtmemetodu ile TiO 2 ince film ve onun üzerinde ise vakumda metal buharlaştırma metoduyla Aukullanılarak Schottky engeli oluşturuldu. Akım–gerilim (I–V) ve sığa–gerilim (C–V)ölçümlerinden elde edilen verilerle yapılan hesaplardan yapının parametreleri belirlendi.Teşekkür: Bu çalışmayı destekleyen Gazi Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri (BAP 05/2011-39) venumuneleri hazırlayan Gazi Üniversitesi Yarıiletken Teknolojileri İleri Araştırma Labratuvarı Grubuna teşekkürederiz.75

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011GaAs 1-x N x epitaksiyel tabakaların büyütülmesi ve karakterizasyonuN. Musayeva 1 , R. Jabbarov 1 , S. Abdullayeva 1 , S. Ş. Çetin 2 ,S. Özçelik 2 , T. Memmedli 2 , G. Attolini 3 , M. Bosi 3 ve B. Clerjaud 41 Fizik Enstitüsü, Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi, Bakü, Azerbaycan2 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara3 IMEM, CNR, Parma, İtalya4 Nanobilim Enstitüsü, Pierre et Marie Curie Üniversitesi, Paris, FransaP69GaAs ve Ge alttaşlar üzerine metal organik buhar faz büyütme (MOVPE) tekniği ilebüyütülen GaAs 1-x N x (x~%1.0-2.1) üçlü alaşımlarının Raman saçılması ve fotolüminesans(PL) özellikleri incelendi. Yatay reaktörde kaynak olarak Trimetilgalyum (TMGa), AsH 3 veDimetilhidrazin (DMHy) kullanıldı. Numuneler DMHy ve diğer kaynaklar arasındaki molaroran değiştirilerek atmosferik basınçta ve 500 C sıcaklıkta büyütüldü. Büyütülen seyreltikGaAsN yapısında azotun varlığı, Raman saçılması spektrumunda yaklaşık 470 cm –1 de azottitreşim modunun gözlenmesi ile tespit edildi. 500 cm –1 ve 600 cm –1 arasında TO ve LObenzeri ikinci dereceden zayıf Raman pikleri gözlendi. Büyütülen numunelerin PL özellikleriincelendi. GaAs 1-x N x yapısının 77 K‟de PL pik enerjisi 1.15 eV gözlenirken, yüksekçözünürlüklü X-ışını kırınımı (HRXRD) tekniği ile analizi sonucu N içeriği (x) % 2.1bulundu. Ge üzerine büyütülen numunelerin PL spektrumu GaAs alttaş üzerine büyütülennumunelerden ölçüm sıcaklığı artıkça çok daha fazla genişlediği gözlendi. Ayrıcanumunelerin bazı optik parametreleri spektroskopik elipsometre ölçümleri ile belirlendi.Teşekkür: Bu çalışma CBP.EAP.CLG 983724 nolu, “Diluted Nitrides for Tandem Solar cells” isimli proje ileNATO tarafından desteklenmiştir.76

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Si üzerine MOVPE tekniği ile büyütülen GaInPN alaşımlarının yapısal ve optikkarakterizasyonuN. Musayeva 1 , G. Attolini 2 , M. Bosi 2 , B. Clerjaud 3 , R. Jabbarov 1 , S. Ş. Çetin 4 , S. Özçelik 4ve T. Memmedli 41 Fizik Enstitüsü, Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi, Bakü, Azerbaycan2 IMEM, CNR, Parma, İtalya3 Nanobilim Enstitüsü, Pierre et Marie Curie Üniversitesi, Paris, Fransa4 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraP70InGaPN epitaksiyel tabakalarının Si alttaşlar üzerine büyütülmesi; dimetilhidrazin,trimetilgalyum, trimetilindiyum ve fosfin kaynakları ile metal organik buhar faz büyütme(MOVPE) tekniği kullanılarak yapıldı. Silisyum yüzey üzerine, çoklu-bağlanma ve anti fazoluşumları kaynaklı arayüzey problemlerini azaltmak amacıyla çok ince bir GaP tampontabaka büyütüldü. Tabakalar 46 Torr basınçta ve 630 C alttaş sıcaklığında hazırlandı. X-ışınıkırınımı deneyleri, tabakaların örgü sabitlerini ve alttaş ile örgü uyumsuzluklarınıdeğerlendirmek için kullanıldı. Taramalı elektron mikroskobu (TEM), tabakaların yapısalözelliklerini değerlendirmek ve kusurların varlığını değerlendirmek için kullanıldı.Numuneler fotolüminesans ve Raman saçılması ile karakterize edildi. Ortalama yüzeypürüzlülüğü, atomik kuvvet mikroskopu ile 20-30 nm olarak bulundu.Teşekkür: Bu çalışma CBP.EAP.CLG 983724 nolu, “Diluted Nitrides for Tandem Solar cells” isimli proje ileNATO tarafından desteklenmiştir.77

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011çinko oksit yapılarının optik ve yapısal özelliklerine film kalınlığının etkisininincelenmesiS. Ş. Çetin, T. Asar, Y. Özen, G. Kurtuluş, T. Memmedli ve S. ÖzçelikFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraP71RF magnetron püskürtme tekniği kullanılarak, farklı kalınlıklara sahip üç tane ZnO yapısınıncam alttaş üzerine 200 C sıcaklıkta kaplandı. Numunelerin kristalografik yapısı X-ışınıkırınımı (XRD) tekniği ile incelendi. Soğurma katsayısı ve film kalınlıkları UV–Visspektrometresi ile elde edilen geçirgenlik spektrumu kullanılarak hesaplandı. Kırılma indisi(n) ve sönüm katsayısı (k) gibi optik sabitler geçirgenlik spektrumundan belirlendi. AyrıcaZnO yapılarının oda sıcaklığı fotolüminesans (PL) ve UV–Vis ölçümleri sonucu emisyon pikenerji pozisyonları karşılaştırmalı olarak incelendi. Film kalınlığının optik ve yapısalözellikler üzerine etkisi tartışıldı.Teşekkür: Bu çalışma 2011K120290 nolu proje ile DPT tarafından desteklenmiştir.78

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011MBE tekniği ile büyütülen Ga x In 1-x P/GaAs alaşımlarının kritik noktaenerjilerinin spektroskopik elipsometre ile incelenmesiS. Ş. Çetin 1 , B. Kınacı 1 , E. Pişkin 1 , H. İ. Efkere 2 , T. Memmedli 1 ve S. Özçelik 11 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Fizik Bölümü, Erciyes Üniversitesi, KayseriP72Katı kaynaklı moleküler demet büyütme (MBE) tekniği kullanılarak, farklı kompozisyonlarasahip GaInP yarıiletken alaşımları GaAs alttaş üzerine büyütüldü. Yüksek çözünürlüklü X-ışını kırınım desenlerine LEPTOS yazılımı kullanılarak simülasyon yapılması ile numunelerinalaşım oranı (x) belirlendi. Ayrıca, oda sıcaklığı fotolüminesans (PL) ölçümleri sonucu eldeedilen emisyon pik enerji pozisyonları alaşım oranına bağlı olarak incelendi. GaInPyapılarının bantlararası-geçiş kenarlarının kritik nokta enerjileri ( E0, E0 0, E1ve E1 1),0.7–4.7 eV aralığında spektroskopik elipsometre (SE) ölçümleri ile belirlendi. Bu amaçladielektrik fonksiyonunun reel kısmının ikinci türev spektrumları “standart kritik nokta çizgişekli”eşitliklerine en küçük kareler yöntemi ile fit edilerek, galyum kompozisyonuna görekritik nokta enerji değerlerinin değişimi incelendi.Teşekkür: Bu çalışma 2011K120290 nolu proje ile DPT ve 05/2010-34 nolu proje ile BAP tarafındandesteklenmiştir.79

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Üçlü ZnSnAs 2 yarıiletken bileşiğinin elektronik, termodinamik ve optiközelliklerinin ab inito metot ile hesaplanmasıP73S. Şahin 1 , Y. Ö. Çiftci 1 *, K. Çolakoğlu 1 , S. Aydın 1 , E. Deligöz 21 Gazi Üniversitesi, Fizik bölümü, Teknikokullar,06500, Ankara, Türkiye2 Aksaray Üniversite, 68100, Aksaray, TürkiyeÜçlü ZnSnAs 2 kalkopirit yarıiletken bileşiğin elektronik, termodinamik ve optik özellikleridüzlem-dalga psödo potansiyeli metodu yerel yoğunluk fonksiyonu yaklaşımı kapsamında ilkprensip (ab inito) hesaplamaları yapılarak incelendi. Bu hesaplardan elde edilen bilgilerlebileşiğin örgü sabitleri, sertliği, bulk modülü, bulk modülünün basınca göre birinci derecedentürevi, Zener anizotropi faktörü, Poisson oranı, Young modülü ve izotropik shear(kayma)modülü gibi fiziksel parametreleri hesaplandı. Yarıiletkenlerin termodinamik özelliklerininbulunmasında kullanılan yarı-harmonik Debye modeli termodinamik özelliklerininhesaplanmasında kullanıldı. Hacmin sıcaklığa ve basınca bağlı davranışı, lineer genleşmekatsayısı, ısı kapasitesi, oluşum enerjisi, Debye sıcaklığı ve Grüneisen parametresi 0–80 GPabasıncında ve 0–1000 K sıcaklık aralığında hesaplandı. ZnSnAs 2 „nın optik özellikleridielektrik fonksiyonunu kırılma indisi, sönüm katsayısı, soğrulma katsayısı, optik yansıma veelektron enerjisi kayıp spektrumu 0–25 eV enerji aralığında nasıl değiştiği incelendi. Eldeedilen sonuçlar mevcut deneysel ve teorik sonuçlarla karşılaştırıldı.80

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Bazı nadir toprak elementi hexaboritlerin (REB 6 , RE=La ve Pr) bağlanma vesertlik karakteristiklerinin ilk-prensipler yoluyla incelenmesiS. Aydın 1,* , Y. Çiftçi 1 , A. Tatar 11 Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraP74(REB 6 , RE=La ve Pr) nadir toprak elementi hexaboritlerinin yapısal, elektronik ve elastiközellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisi kapsamında, değiş-tokuş korelasyon fonksiyoneliiçin genelleştirilmiş gradyent yaklaşımı (GGA) seçilerek, ultrasoft pseudopotansiyellerkullanılarak incelendi. Polikristal yaklaşımı altında, hesaplanan elastik sabitler yardımıyla,Bulk modülü, Young modülü ve makaslama modülü gibi mekanik özellikler belirlendi.Kristallerin bağlanma karakteristikleri incelenerek, mikrosertliklerinin doğası araştırıldı.81

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Pt 2 CoAl ve Pt 2 FeAl Heusler alaşımlarının yapısal, manyetik, elektronik veelastik özellikleriŞ. Uğur 1 , A. Ekiz 1 ve R. Ellialtıoğlu 21 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, AnkaraP75Kübik L2 1 yapıdaki Pt 2 CoAl ve Pt 2 FeAl Heusler alaşımlarının yapısal, manyetik, elektronikve elastik özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi kapsamında genelleştirilmiş gradiyentyaklaşımı kullanılarak incelendi. Alaşımların örgü sabitleri, ikinci dereceden elastik sabitlerive toplam manyetik momentleri hesaplanarak diğer çalışmalarla karşılaştırıldı. Temel simetriyönleri boyunca elektronik bant yapısı, ile kısmi ve toplam durum yoğunluğu eğrileri aşağıspinve yukarı-spin durumlar için çizildi.Teşekkür: Bu çalışma Hacettepe Üniversitesi Bilimsel Araştırmalar Birimi 0701602005 nolu projesi iledesteklenmiştir.82

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011CaCd bileşiğinin yapısal, elektronik, elastik ve termodinamik özelliklerininab-initio yöntemi ile incelenmesiT. Öztürk 1 , Y. Çiftci 1 , K. Çolakoğlu 1 , ve E. Deligöz 21 Gazi Üniversitesi, Ankara ,Türkiye,2 AksarayÜniversitesi,Ankara, Türkiye,P76CaCd bileşiğinin yapısal, elektronik, elastik ve termodinamik özellikleri genelleştirilmişgradyent yaklaşımı (GGA) ve yerel yoğunluk yaklaşımı (LDA) altında yoğunluk fonksiyonelteorisi ve düzlem dalga pseudo-potansiyeli teorisine dayanan ab initio metodla incelendi. Yapıparametresini incelemek için CsCl (B2) ve NaTl (B32) gibi iki farklı yapı kullanıldı. CaCd‟untermodinamik özelliklerini incelenmek için quasi-harmonik debye modeli uygulandı. CaCdbileşiğinin her iki fazı içinde örgü parametreleri, bant yapıları ve durum yoğunluğu eğrileri,elastik sabitleri, Debye sıcaklıkları, erime sıcaklıkları, ses hızları, Zener anizotropi faktörü,Young ve izotropik Shear modülleri, Poisson oranları hesaplandı. Ayrıca, termodinamiközelliklerin basınçla ve sıcaklıkla değişimi incelendi. Elde edilen sonuçlar mevcut deneysel veteorik sonuçlarla karşılaştırıldı. Kullandığımız metodun bileşiklerin özelliklerini oldukçadoğru bir şekilde tahmin ettiği görüldü.83

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P77ZnO/p-Si Güneş Hücrelerinin FabrikasyonuT. Asar, B. Kınacı, K. Kızılkaya, Y. Özen, T. Memmedli ve S. ÖzçelikFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraBu çalışma kapsamında; fotovoltaik özelliklerini değerlendirmek amacıyla dört adet ZnO incefilm RF magnetron püskürtme yöntemi ile p-tipi Si (100) tek-kristali üzerine kaplandı. BütünZnO ince filmler 200 o C‟de, 1000 Å kalınlığında kaplanmıştır. Numunelerden biri sadece ZnOhedefi kullanılarak oluşturuldu; diğer üç numune farklı O 2 /Ar oranlarındaki (10/90, 20/80,30/70) oksijen varlığında reaktif yöntemle elde edildi. Numunelerin yüzey morfolojisi atomikkuvvet mikroskopu (AFM) ile incelendi. 1×1 cm 2 boyutlarındaki örnekler kullanılarak güneşhücresi fabrikasyonu yapıldı. Hücrelerin oda sıcaklığında, karanlık ve ışık altındaki akım -gerilim (I–V) ölçümleri alındı. I–V verileri kullanılarak, kısa devre akımı (I sc ), açık devregerilimi (V oc ), dolum faktörü (FF), enerji dönüşüm verimi () gibi güneş hücresi çıktıparametreleri hesaplandı. Doğal n-tipi özelliğe sahip ZnO filmlerinin p-Si üzerinebüyütülmesi ile fotovoltaik etki oluştuğu belirlendi.Teşekkür : Bu çalışma 2011K120290 nolu proje ile DPT tarafından desteklenmiştir.84

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011GaAs güneş hücrelerin farklı fabrikasyonlarının hücre verimine etkisiT. Asar 1 , S. Ş. Çetin 1 , G. Kurtuluş 1 , E. Pişkin 1 , H. İ. Efkere 2 ,T. Memmedli 1 ve S. Özçelik 11 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara, Türkiye2 Fizik Bölümü, Erciyes Üniversitesi, Kayseri, TürkiyeP78Bu çalışmada; fabrikasyon adımlarındaki değişimin, GaAs güneş hücresinin elektrikselparametrelerine (kısa devre akımı (I sc ), açık devre gerilimi (V oc ), dolum faktörü (FF), enerjidönüşüm verimi ()) etkileri incelendi. GaAs güneş hücre yapısı, katı kaynaklı molekülerdemet büyütme (SSMBE) tekniği kullanılarak, n-tip, (100) yönelimli, 625 µm kalınlıklı, 3”GaAs alttaş üzerine, sırasıyla, 1m n-tip GaAs tampon ve 2,5 m p-tip GaAs tabaka olarakbüyütülmüştür. 1×1 cm 2 boyutlarındaki örneklere Güneş hücresi fabrikasyonu yapıldı. İkifarklı metalizasyon yöntemi kullanılarak, güneş hücresinin çıktı parametrelerindekideğişiklikler incelendi. Ön dairesel nokta kontaklar her iki hücre için aynı yöntemlegerçekleştirildi. Numunelerin arka kontak metalizasyon işlemlerinden biri, ön yüzeyin bellibir kısmının 4 m aşındırılmasının ardından, aşındırılan kısma; diğeri ise numunenin arkayüzeyinin tamamına yapıldı. Fabrikasyonları tamamlanan numunelerin oda sıcaklığında,karanlık ve ışık altındaki akım – gerilim (I–V) ölçümleri alındı. Ölçümler sonucunda eldeedilen verilere ait I–V grafikleri çizilerek, güneş hücresi çıktı parametreleri hesaplandı. Eldeedilen verilere bakıldığında, ön taraftan yapılan arka kontak metalizasyon işlemli hücredeenerji dönüşüm veriminin () daha yüksek olduğu görüldü.Teşekkür : Bu çalışma 110T333 nolu proje ile TÜBİTAK tarafından desteklenmiştir.85

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Yüksek basınç altında UC 2 kristalinin yapısal, elektronik ve elastik özelliklerininyoğunluk fonksiyoneli teorisi ile incelenmesiY. Ö. Çiftçi, A. Tatar, ve S. AydınFizik Bölümü, Fen Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraP79CaC 2 -tipi UC 2 kristalinin 0–17 GPa basınç aralığında yapısal, elektronik ve mekaniközellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisini temel alan ilk-prensip hesaplamaları yapılarakaraştırıldı. Öncelikle 0 GPa‟daki yapının elektronik özellikleri, bağlanma karakteristikleri,elastik özellikleri ve bunlara bağlı olarak bulk modülü, makaslama modülü gibi mekaniközellikleri incelendi, sertliği hesaplandı. Yapı üzerine 0–17 GPa aralığında hidrostatik basınçuygulanarak, incelenen bu özelliklerin basınçla nasıl değiştikleri araştırıldı.86

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011% 0.2 Bor katkılı ZnO ince filmlerin elektriksel ve optik özelliklerininincelenmesiG. Babür 1 , G. Çankaya 2 , U. Kölemen 11 Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü 60240 Tokat, TÜRKİYE2 Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, Mühendislik ve Doğa Bilimleri FakültesiMalzeme Mühendisliği 06030 Ankara, TÜRKİYEP80Çinko oksit (ZnO) yasak band aralığı yaklaşık 3.3 eV olan ve elektromanyetik spektrumungeniş bir aralığında yüksek geçirgenliğe sahip bir malzemedir. Uygun katkı malzemelerikullanarak optik, yapısal ve elektriksel özelliklerini iyileştirmek mümkündür. Çinko oksitucuzluğu, sağlığa zararlı olmaması ve diğer şeffaf iletken malzemelere alternatif olmaözelliklerinden dolayı son yıllarda yaygın olarak çalışılmaktadır. Katkılı ve katkısız ZnOfilmler farklı metotlarla hazırlanmaktadır. Bunların arasında sol–jel metodu geniş yüzeylereucuz bir maliyetle kolay uygulanabilirliği ve film kompozisyonunun kontrolünün kolaylığısebebiyle tercih edilmektedir. Bu çalışmada, ince film üretim tekniklerinden biri olan sol–gelspin coating tekniği kullanılarak % 0.2 Bor (B) katkılı ZnO ince filmi elde edilmiş olup,filmin optik ve elektriksel özellikleri incelenmiştir. Bunun yanında, B konsantrasyonu vetavlama sıcaklığı için taşıyıcıdan gelen B difüzyonunun etkisi de analiz edilmiştir.Teşekkür: Bu çalışma, Gaziosmanpaşa Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Başkanlığı tarafından (ProjeNo: 2011/37) desteklenmiştir.87

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P81Farklı Se–Te katkı oranlarının (x=0.0, 0.2, 0.4, 0.6, 0,8, 1.0) CuIn 0.7 Ga 0.3 Se 2–x Te xince filmlerinin morfolojik ve optik özellikleri üzerine etkisiS. Fiat 1 , P. Koralli 2 , İ. Polat 3 , E. Bacaksız 3 , G. Çankaya 4 ve M. Kompitsas 51 Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 60240 Tokat, Türkiye2 School of Mechanical Engineering, National Technical University of Athens, IroonPolytechniou 9 Zografu, 15780 Atina, Greece3 Karadeniz Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 61080 Trabzon,Türkiye4 Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, MalzemeMühendisliği, 06030 Ankara5 National Hellenic Research Foundation, Theoretical and Physical ChemistryInstitute, 11635 Atina, GreeceSon zamanlarda ince filmler bilim ve teknolojinin gelişiminde çok önemli rolleroynamaktadırlar. İnce filmler farklı birçok malzeme üzerine nano veya mikro boyutlardakaplanarak, malzemelerin optik, mekanik ve elektriksel özeliklerini arttırabilmektedirler.Özellikle kalkopirit yapılı ve I–III–VI 2 yarıiletken ince filmler başta fotovoltaik uygulamalarolmak üzere birçok alanda yaygın bir şekilde kullanılmaktadır. Periyodik tablonun I., III. veVI. Grup elementlerin üçünün ya da daha fazlasının bir araya gelmesi ile oluşan bu bileşikyarıiletkenlerinin soğurum katsayıları (α = 10 4 – 10 5 cm –1 ) yüksek olup; bakır, indiyum veselenyumdan yapılan üçlü bileşik yarı-iletkenle başlayan bu grup CIS güneş pilleri olarakisimlendirilir. Bu tür yapılarda ilk üretilen güneş pillerindeki soğurucu tabaka CuInSe 2 yapısıolmuştur. Daha sonra farklı elementler katkılanarak verim artırma çalışmaları yapılmıştır veşuanda en çok ilgi gören yapılar Ga katkılı Cu(InGa)Se 2 (CIGS) dörtlü yapılar olmuştur.Bizim çalışmamız ise bu yapıya Te katkılayarak (x = 0.0, 0.2, 0.4, 0.6, 0,8, 1.0); Se ve Teoranlarını değiştirmek suretiyle optik ve yüzey özelliklerini iyileştirmektir. Buna istinadenfarklı oranlarda katkıladığımız Se ve Te miktarlarının filmlerin kalınlık, kırılma indisi, sönümkatsayısı, ve band aralığı üzerine etkisi incelenmiş olup, AFM ile nano boyutta yüzey haritasıgörüntülenmiştir.88

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Kuantum noktalarda ‟ de spin droplet oluşumuH. Atcı 1,2,3 , E. Räsänen 2 , U. Erkarslan 1 , ve A. Sıddıki 3,41Muğla Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 48170-Kötekli-Muğla, Türkiye2 Jyväskylä Üniversitesi, Nano Bilim Merkezi, Fizik Bölümü, FI-40014-Jyväskylä, Finlandiya3 İstanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 34134-Vezneciler-İstanbul, Türkiye4 Harvard Üniversitesi, Fizik Bölümü, MA-02138-Cambridge, ABDP82Kuantum noktalarda doldurma faktörü 5/2 durumu, doldurma faktörü 2 olan spinlerinçiftlenmiş olduğu tam dolu en düşük Landau seviyesi (0LL) ve spin droplet yardımıylaaçıklanan doldurma faktörü 1/2 spin-polarize yarım dolu bir sonraki Landau seviyesinin(1LL) karışımını içerir. Spin droplet oluşumu, kollektif etkileşen elektronlar olgusudur vekuantum noktalarda toplam elektron sayısı yeterince fazla olduğunda meydana gelmektedir.Bu çalışmada, iki boyutlu yarı iletken kuantum noktalar doldurma faktörü 2 v 5/ 2aralığında nümerik çok elektron metotları kullanılarak spin droplet oluşumu incelenmiştir.89

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011c-Si/a-Si:H heteroeklemlerinin üretilmesi ve optoelektronik özelliklerininincelenmesiG. Başer ve A. BacıoğluHacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Beytepe, 06800, Ankara.P83PECVD sisteminde, silan (SiH 4 ) gazının RF plazması kullanılarak, hidrojenlendirilmiş amorf silisyum(a-Si:H) ve silan-azot karışımının plazması kullanarak hidrojenlendirilmiş amorf silisyum-azot alaşımı(a-SiN x :H) ince filmler Corning 7059 alttaşlar üzerine büyütülerek, optik ve elektrikselkarakterizasyonları yapılmıştır. Daha sonra, a-Si:H ve a-SiN x :H tek katman örneklerin p tipi kristalsilisyum alttaş üzerine büyütülmesiyle c-Si/a-Si:H heteroeklemleri üretilmiştir. a-Si:H ince filmler,PECVD sisteminde, vakum odası basıncı 200 mTorr, SiH 4 gaz akış hızı 10 sccm ve alttaş sıcaklığı 300°C değerlerinde sabit tutularak, RF güç yoğunluğu 16±3 mW/cm 2 ile 31±3 mW/cm 2 arasındadeğiştirilerek üretilmiştir. Elektriksel ve optik özellikleri, sıcaklığa bağlı karanlık iletkenlik, optikgeçirgenlik ve sabit fotoakım yöntemi (CPM) deneyleri ile incelenen bu örneklerin en düşük kopukbağ yoğunluğuna sahip hazırlama koşulları hidrojenlendirilmiş amorf silisyum-azot (a-SiN x :H) incefilmlerin üretiminde temel alınmıştır. Aynı hazırlama koşulları kullanılan a-SiN x :H ince filmlerde,reaktöre giren gaz akış oranı r (=F N2 /( F N2 + F SiH4 )), 0,09 ile 0,50 arasında ayarlanarak değiştirilmiştir.Tüm a-SiN x :H filmlerin karakterizasyonunda da optik geçirgenlik, sıcaklığa bağlı karanlık iletkenlikve sabit fotoakım yöntemi (CPM) ölçüleri kullanılmıştır. Düşük kopuk bağ kusur yoğunluğuna veyüksek iletkenliğe sahip a-SiN x :H örneğin hazırlama koşulları c-Si/a-SiN x :H ve c-Si/a-Si:H/a-SiN x :Hyapıdaki heteroeklemlerin üretiminde kullanılmıştır.Heteroeklem üretiminde kullanılacak katmanların karakterizasyonundan sonra, temizliği ve alt kontağıatılan p tipi kristal silisyum alttaş üzerine ~10 nm kalınlığında a-SiN x :H tek-katman, RF plazmabiriktirme sisteminde büyütülmüştür. İnce film üretildikten sonra ısıl buharlaştırma sisteminde üstkontaklar atılmıştır. Karanlık ve aydınlatma altında J–V ölçümleri yapılmıştır. Karanlık J–Veğrisinden p tipi kristal silisyum üzerine büyütülen a-SiN x :H katmanın n tipi gibi davranış sergilediği,üretilen aygıtın bir p–n eklem gibi karanlık J–V eğrisi verdiği gözlenmiştir. Karanlık J–Völçümlerinden, seri direnç R S = 650 Ω ve paralel direnç R P = 46 kΩ olarak hesaplanmıştır. Şiddeti 80mW/cm 2 olan kuartz halojen lamba aydınlatması altında alınan J–V verisinden ise açık devre gerilim(V ad ), kısa devre akım yoğunluğu (J kd ),doluluk oranı (FF) ve verim, sırasıyla, 0,40 V, 0,50 mA/cm 2 ,%7,1, ve %0,1 olarak hesaplanmıştır. Dış toplama verimliliği (external collection efficiency-ECE) vetayfsal duyarlılık (spectral response-SR) ölçümleri yapılmıştır. 600 nm–700 nm dalgaboyu aralığındakuantum verimliliğinin en büyük değer olan 0,002 ve SR ise 750 nm civarında en büyük değeri olan1,2 mA/W‟a ulaşmıştır. c-Si/a-SiN x :H heteroeklemlerine, farklı kalınlıklarda a-Si:H katman eklenerekc-Si/a-Si:H/a-SiN x :H heteroeklemler üretilmiştir. 200 nm, 300 nm ve 500 nm a-Si:H katmankalınlığına sahip bu heteroeklemlerin karakterizasyonu için J–V eğrileri, ECE, SR eğrilerindenyararlanılmıştır. En büyük V ad ve J kd değerleri, 500 nm i-tabaka kalınlığına sahip örnekte, 0,42 V ve0,34 mA/cm 2 olarak ölçülmüştür. En büyük verim ise yine aynı örnekte %0,04 olarak hesaplanmıştır.90

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P84Görünür bölge dielektrik aynalarG. Gündoğdu ve Ö. D. CoşkunHacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara, TürkiyeBu çalışmada yüksek indisli malzeme olarak TiO 2 , düşük indisli malzeme olarak da SiO 2 incefilmler kullanılarak elektromagnetik spektrumun görünür bölgesi ve yakın IR bölgesi içindielektrik aynalar tasarlanmış, tasarlanmış olan dielektrik aynalardan bir kaçı HacettepeÜniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, İnce Film Hazırlama ve KarakterizasyonLaboratuvarı‟nda bulunan RF magnetron kopartma sistemi kullanılarak hazırlanmıştır.Öncelikle bireysel film malzemeleri hazırlanarak optik karakterizasyonları yapılmıştır. Her ikimalzeme içinde uygun çalışma koşulları belirlenmiştir. Hazırlanmış olan filmlerin 350-1100nm dalga boyu aralığında s ve p polarizasyon optik geçirgenlik ve optik yansıtma ölçümlerilaboratuvarımızda buluna nkd-8000e Aquila spektrofotometre kullanılarak alınmıştır.Hazırlanmış olan filmlerin enerji band aralıkları hesaplanmıştır. Matlab ve TFC optik tasarımprogramı kullanılarak, görünür bölge için λ/4 kalınlıklı katmanlardan oluşan optik kaplamalartasarlanmıştır. Şekil 1 ve Şekil 2‟de sırası ile görünür bölge için tasarlanmış 7 katlı ve 11 katlıoptik kaplamanın dalga boyuna bağlı optik yansıtma grafikleri görülmektedir. Şekil 3‟de iseyakın IR bölgesi için tasarlanmış 7 katlı optik kaplamanın dalga boyuna bağlı optik yansıtmagrafikleri görülmektedir. Yapılmış olan tasarımlar ile deneysel çalışma sonuçları çok iyi birşekilde uyuşmaktadır.Şekil 1. Tasarlanmış olan 7 katlı dielektrik aynanın S/(HL)^3 H/Adalga boyuna bağlı olarak yansıtma değişimi. S:Alttaş-Mikroskopcamı, H:TiO 2 , L: SiO 2 , A:Hava.Şekil 2. Tasarlanmış olan 11 katlı dielektrik aynanın S/(HL)^5 H/A dalga boyuna bağlı olarak yansıtmadeğişimi. S:Alttaş-Mikroskop camı, H:TiO 2 , L: SiO 2 , A:Hava.Şekil 3. Tasarlanmış olan 7 katlı dielektrik Yakın kızılaltı bölgesi için aynanın S/(HL)^3 H/A dalga boyuna bağlıolarak yansıtma değişimi. S:Alttaş-Mikroskop camı, H:TiO 2 , L: SiO 2 , A:Hava.91

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Tavlamanın Nb 2 O 5 ince filmlerin optik ve yapısal özellikleri üzerindeki etkisiM. Yeşiltepe a,b , Ö. D. Coşkun ba Hacettepe Üniversitesi, Nanoteknoloji ve Nanotıp, Ankara, Türkiyeb Hacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara, TürkiyeP85Nb 2 O 5 ince filmler yüksek kırılma indisleri, üstün kimyasal kararlılığı ve korozyon direncigibi özelliklerinin sonucu olarak pek çok modern teknoloji uygulamalarına sahiptir ve yaygınolarak optik girişim filtreleri, elektrokromik filmler ve gaz sensör malzemeleri gibiuygulamalarda kullanılırlar. İnce filmlerin büyütme koşullarına bağlı olarak, farklı optik veyapısal özellikler kazanmaları sağlanabilir. Aynı şekilde, büyütme işleminden sonrauygulanan ısısal tavlama işlemi ile filmin kristal yapısının değişmesine bağlı olarak optikgeçirgenlik, yansıtma, enerji bant aralığı, soğurma ve saçılma gibi özelliklerinde dedeğişimler meydana gelmektedir. Oda sıcaklığında büyütülen amorf Nb 2 O 5 ince filmler sahipoldukları yüksek optik geçirgenlikleri ile pek çok optik filtrelerde kullanılabilmektedirler;ancak elektrokromik uygulamaları için iyonların kristal yapıyla etkileşmeleri daha kolayolduğundan bu tip uygulamalar için kristal yapı daha avantajlıdır.Bu çalışmada Nb 2 O 5 ince filmler, Hacettepe Üniversitesi Fizik mühendisliği bölümü İnceFilm Ölçüm ve Karakterizasyon laboratuarında bulunan, RF magnetron kopartma tekniğikullanılarak, oda sıcaklığında hazırlanmıştır. s ve p polarizasyon optik geçirgenlik veyansıtma ölçümleri, nkd-8000e Aquila spektrofotometre kullanılarak 350–1100 nm dalgaboyu aralığında alınmıştır. Hazırlanmış olan filmlerin dalga boyuna bağlı olarak kırma indisive soğurma sabiti değişimleri, optik ölçümlerinin Code V optik karakterizasyon programıkullanılarak, Kim osilatör modeli [1] ile uyuşumu işlemi sonucunda elde edilmiştir. Filmlerinkristal yapı analizleri, yüzey pürüzlülükleri ve elementel analizleri de sırası ile, Rigaku D-maxB yatay difraktometre, Nano Magnetics Instruments AFM ve XPS kullanılarak yapılmıştır.Daha sonra, aynı film 24 saat süresince 700 C' de tavlanmış, aynı ölçümler tekrarlanarak odasıcaklığında hazırlanan film ile tavlanmış olan filmin yapısal ve optik özelliklerikarşılaştırılmıştır.Referans:[1] C. C. Kim, J. W. Garland, H. Abad, and P. M. Raccah, Phys. Rev. B 45 (20) 1992, 11749–11767.92

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011GS17CrMo5-5 çeliğinin mekanik özellikleriE. Öztuyak 1 , Ö. Aykut 2 , C. Değirmenci 2 , ve F. Meydaneri 11 Karabük Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Bölümü,78050, Karabük, 2 Kardökmak A.Ş., 78050, Karabük,P86Termik santrallerde oldukça fazla kullanılan C:0.165, Mn:0.58, Si:0.32. P:0.017, S:0.022,Cr:1.00, Ni:0.22, Mo:0.55 bileşimine sahip GS17CrMo5-5 ferritik çeliğinin döküm sıcaklığı1580 0 C‟dir. Bu çalışmada, numunelerden birincisi 950 0 C‟de 1 saat tavlanmış olup, busıcaklıktan su verilmiştir. Tekrar 680 0 C‟de 1 saat tavlanarak, fırında soğumaya bırakılmıştır.İkinci numune ise 950 0 C‟de 1 saat tavlanmış ve havada soğutulmuş, sonra tekrar 680 0 C‟de 1saat temperlenerek, havada soğumaya bırakılmıştır. Bu ısıl işlemler sonucunda birincinumune için çentik darbe değeri 43.5, 39.2, 30.2 joule‟dür. İkinci numunede ise çentik darbedeğeri 19.9, 27, 16.4 jouledir. Birinci numune için akma dayanımı 482 N/mm 2 , çekmedayanımı 624 N/mm 2 , % uzama 20 ve % kesit daralması 46 iken, ikinci numune için akmadayanımı 352 N/mm 2 , çekme dayanımı 558 N/mm 2 , %uzama 22 ve % kesit daralması 46olarak bulunmuştur. Buna göre fırında soğumaya bırakılan birinci numunenin tokluğununhavada soğumaya bırakılan ikinci numuneye göre daha iyi olduğu ve standartlara uygunolduğu sonucuna varmaktayız.Teşekkür: Bu çalışma Kardökmak A. Ş. tarafından desteklenmiş olup, Şirket Müdürü ve dökümhaneçalışanlarına teşekkür ederiz.93

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Orta-kızıl ötesi bölgede (8–12 μm) çalışan GaAs/AlGaAs kuantum kuyufoto-algılayıcılarında karanlık akım modellemeleri ve deneyleriY. Kıtay 1 , H. Kuru 2 , B. Arpapay 2 , H. Yıldırım 1 , U. Serincan 2 , ve B. Aslan 21 Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Karabük Üniversitesi, Karabük 780502 Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Anadolu Üniversitesi Yunus Emre Kampüsü, Eskişehir 26470P87GaAs/AlGaAs tabanlı, 8–12 μm atmosfer penceresinde çalışan çok katmanlı kuantum kuyukızılötesi foto-algılayıcıları için, üç boyutlu taşıyıcı sürüklenme modeli ve yayılma-tutmamodeli olmak üzere iki farklı karanlık akım modellemesi yapıldı. Kullanılan modellerdekaranlık akım kaynağı olarak, alt ve üst kontak bölgeler arasına uygulanan potansiyel farkınetkisiyle bariyerler üzerinden akan elektronlar ve kuyularda yakalanan ve dışarıya verilenelektronlar düşünüldü. Modellemeler sonrasında elde edilen sonuçlar, aynı yapı içinde farklıkuantum kuyu genişliklerine sahip yapılarda sıcaklığa bağlı olarak yapılan akım-voltaj ölçümsonuçlarıyla karşılaştırıldı. Yapılan hesapların, ölçümlerle iyi bir şekilde uyuştuğu gözlendi.94

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Bi-2212 süperiletkenlerinin mekanik özellikleri üzerine Lu (Lutesyum)katkısının etkisiE. Asıkuzun 1 , O. Yıldız 1 , M. Coskunyürek 1 , S. Kaya 1 , S. P. Altıntaş 2 ve O. Öztürk 11 Fizik Bölümü, Kastamonu Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, 37200, Kastamonu2 Fizik Bölümü, Abant İzzet Baysal Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, 14280, BoluP88Bu çalışmada, 840 o C‟ de 50 saat süreyle tavlanmış Bi-2212 süperiletkenlerinin mekaniksel vesüperiletkenlik özellikleri üzerine Lu (Lutesyum) katkısının etkisi incelendi. Numuneler,yüksek sıcaklık süperiletkenlerini hazırlamada en yaygın yöntem olarak kullanılan katıhaltepkime yöntemi ile hazırlandı. Hazırlanan numunelerin süperiletkenlik özelliklerinibelirlemek için dc elektriksel özdirenç ölçümleri, mekanik özelliklerini belirlemek için iseVickers mikrosertlik ölçümleri yapıldı. Yüksek sıcaklık süperiletkenlerinin mekaniközelliklerinin karakterize edilmesi, bu malzemelerin mühendislik ve teknolojikuygulamalarında kullanımı açısından oldukça önem taşımaktadır. Zira bu malzemelerçoğunlukla seramik oldukları için özellikle kablo yapımında kırılganlıklarının tespit edilmesikullanılabilirliği açısından oldukça önemlidir. Bu nedenle çalışmamızda Lu katkılı Bi-2212süperiletkenlerinin mekaniksel özellikleri üzerinde daha fazla durulmuştur. Katkılı ve katkısıznumunelerin yüke bağlı ve yükten bağımsız olarak Vickers mikrosertlik, elastik modülü,gerilme ve kırılma dayanımı değerleri ayrı ayrı hesaplandı. Sonuç olarak, sertlik ölçümlerinindeneysel sonuçları Meyer kanunu, PSR modeli, modifiye edilmiş PSR modeli (MPSR),elastik/plastik deformasyon modeli (EPD) ve Hays–Kendall yaklaşımı kullanılarak analizedildi ve numuneler üzerindeki çentik boyutu etkisini (ÇBE) açıklamada Hays–Kendallyaklaşımı en başarılı model olarak belirlendi.95

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Farklı koşullarda SiO 2 yapı içerisinde elde edilen yarıiletkennanokristallerin yapısal ve spektroskopik karakterizasyonun incelenmesiB. Şahin ve S. AğanKırıkkale Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Bölümü, Kırıkkale, Türkiye,P89Çalışmamızda SiO x içerisinde Si, Ge ve SiGe yapılı ince filmlerin elde edilmesi için Plazmaile Güçlendirilmiş Kimyasal Buharlaştırma Tekniği (PECVD) tekniği kullanılmıştır. Filmbüyütme işleminde kullanılan GeH 4 , SiH 4 ve N 2 O gazlarının farklı akış oranlarında farklıözeliklerde ince filmler hazırlanmıştır. Büyütülen bu filmler daha sonra nanokristallerinoluşabilmesi için farklı sürelerde ısıl tavlanma işlemine tabi tutulmuştur. Farklı gaz akışparametresi ve farklı ısıl tavlama işlemlerinde elde edilen numulerin içerisinde oluşan nanoyapıların boyut ve boyut dağılımına ilişkin yapısal özellikleri HRTEM ve Ramanspektroskopi teknikleri yardımıyla araştırılmıştır. Film büyütme koşulları ve farklı ısıltavlamanın yarıiletken nanokristallerin özelliklerine olan etkileri belirlenmiştir. Spektroskopikanalizler yardımı ile farklı gaz akış oranlarında büyütülmüş filmlerde ve farklı sürelerdekitavlamalarda Ge nanokristallerin oluşturulabileceği görülmüştür.96

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Çok katlı Ge,SiGe nanokristal oluşumu ve nanokristalli metal oksit yarıiletkenkapasitör uygulamasıE. C. Kayıkcı, B. Akyazı, N. M. Gümüş, E. Yaşar, S. Ağan ve A. Aydınlı*Kırıkkale Üniversitesi, Fen-Edb. Fakültesi, Fizik Bölümü, Kırıkkale, Türkiye,* Bilkent Üniversitesi, Fizik Bölümü, Bilkent, AnkaraP90SiGeO içeren bir yapı yüksek sıcaklıkta tavlandığında Ge atomları bu yapıdan ayrılırlar vesistemde bir yandan oluşmaya devam eden SiO 2 içerisinde bir araya gelerek kristal yapıyıoluştururlar. Bu tez de bu fikirden yararlanılarak nanokristal oluşturulmuştur. Farklı gaz akışmiktarları, tavlama sıcaklıkları ve süreleri kullanılarak Ge naokristal oluşumundaki değişimlergözlemlenmiştir. Amorf ince filmler Plazma ile Zenginleştirilmiş Kimyasal Buhar Depolama(PECVD) tekniği ile büyütülmüştür. Ardından yüksek sıcaklık fırınında tavlanaraknanokristaller elde edilmiştir. Kristallenme özellikleri Raman Spektroskopisi kullanılarakkontrol edilmiştir. Nanokristal boyutları Geçirmeli Eletron Mikroskupu (TEM) ilegözlemlenmiştir. Malzeme kompozisyonu ise Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) üzerindebulunan X ışını Dağılımı Spektoroskopisi (EDAX) dedektörü ile ortaya konulmuştur.Metal Oksit Yarıiletken Kapasitör‟ ün oksit tabakasına gömülmüş nanokristallerin üretilmeamacı; Ge kuantum noktalarının şarj tutma özellikleri incelemektir. Nanokrsitallerin şarjoldukları akım-voltaj (I–V) eğrilerindeki ani artışlarla gözlemlenmiştir. Ayrıca şarjkapasiteleri de kapasitans-voltaj eğrilerindeki histerisislerde gözlemlenmiştir. Histerislerdekien fazla kayma V olarak bulunmuştur. Omik kontak direnci ise Geçirmeli Çizgi Methodu(TLM) ile ölçülmüştür.97

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Çift farklı yapılı {In x Ga 1-x N y As 1-y } kuantum yarıiletkende kuantum kuyulazerlerin incelenmesiİ. Bilican, S. Yaşar*, B. Şahin, S. Ağan ve İ. UluerKırıkkale Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü , Kırıkkale*Mustafa Kemal Üniversitesi,Fen-Edb. Fakültesi, Fizik Bölümü, HatayP91Bu çalışmada, günümüzde nano teknolojik uygulamalarda bir çok araştırmacının dikkatleriniüzerine çeken kuantum kuyu lazerlerin simülasyon yoluyla üretimi ve analizi yapılmıştır.Lazer yapılar simülasyonda dizayn edilirken Fabry – Parot ve Fabry – Parot Ridge tipi lazeryapı olarak iki farklı konfigürasyonda ele alınmıştır. Bu lazer yapılar {QWL / Bariyer(SCH)/Kaplama} genel formuyla dizayn edilmiştir. Burada Kuyu malzemesi (QWL) olarak InGaAskuyular kullanılmıştır. Bariyer veya hapis sınırlama bölgesi (SCH :Seperate ConfinementHeterostructure) malzemesi olarak AlGaAs, GaAs, AsPGa, AlGaAs, GaAsP malzemelerikullanılmıştır. Kaplama (Cladding) malzemesi olarak da AlGaAs, GaAs, AlGaAs malzemelerkullanılmıştır. Böylece In x Ga 1–x N y As 1–y lazerlerinin kuantum kuyu malzemesi, bariyer (SCH)ve kaplama malzemelerinin çeşitli kompozisyon ve konfigürasyonlarda dizaynı ileincelenmesi ve simülasyonu planlanmıştır. Özellikle QWL bölgesi kalınlıkları ve malzemekarışım oranları (x=01 ve y=01 aralığında) değiştirilerek kuyu malzemesinin lazer çıkışıve kazancına etkilerine bakılmıştır. Her yapının bölge bölge (kuantum kuyu bölge, bariyer vehapis bölgeleri gibi) Bant - Enerji grafikleri ve değerleri, katkı oranları (n tipi ve p tipibölgeler için) profili ve değerleri üretilmiştir. Tasarlanan lazer yapıların {L–I–V} (Güç–Akım–Voltaj) grafiği ve verileri üretilmiştir. Elde edilen tüm bu sonuçlar literatürlekarşılaştırılmıştır.98

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Güneş hücrelerinde yararlanılabilecek Si 3 N 4 matrisli ince filmlerin içerisindesilikon nanokristallerin elde edilmesiR. Karatepe , S. Ağan, N. A. P. Mogaddam* ve R. Turan*Kırıkkale Üniversitesi, Fen-Edb. Fakültesi, Fizik Bölümü, Kırıkkale, Türkiye,*Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü, ODTÜ, AnkaraP92Bu çalışmada, güneş hücrelerinde yararlanılabilecek yapılar, silikon alttaş ve kuartz üzerineplazma ile zenginleştirilmiş kimyasal buhar depolama tekniği (PECVD) ile farklı gaz akışoranlarında silan ve amonyak gazları gönderilerek ince film amorf silikon nitrat yapılarbüyütüldü. Amonyak gazının silan gazına oranı değiştirilerek sitokometrik yapı ve zenginsilikon(rich-silikon) yapılar oluşturuldu. Böylece farklı gaz akış oranlarının nanokristaloluşumuna etkisi incelendi. PECVD ile üretilen ince filmlerde hemen nanokristal oluşmasıbeklenmez çünkü yapı içerisinde bulunan silikon atomların kinetik enerjileri zayıf olduğundandüzenli yapı oluşturmak için enerjiye ihtiyaç duyarlar. Bu yüzden kristal yapı oluşturmak içinyüksek sıcaklık fırınında, sabit azot gazı altında fırınlanmış ve farklı sıcaklıkların Sinanokristalleri üzerine olan etkileri incelenmiştir. Silikon nitrat yapı içerisinde oluşturulansilikon nanokristallerin yapısal ve optik özellikleri; Raman, Fotolüminesans ve FTIRspektroskopisi teknikleri kullanılarak analiz edilmiştir.99

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P93ZnO ince filmlerin optik özelliklerinde yaşlanma etkisiE. Güngör ve T. GüngörFizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi,15100 Burdurİnce filmlerin optik sabitlerinin belirlenmesinde, elipsometrik ve mekanik yöntemlerinyanında kullanım kolaylığı açısından optik geçirgenlik spektrumlarının çok sık kullanıldığıbilinmektedir. Bu çalışmada ZnO filmler, çinko-asetat tuzu (Zn(CH 3 COO) 2 .2H 2 O), methanolve kristalleşmeyi engelleyecek uygun kimyasallar ile elde edilen çözeltilerinin kullanıldığıultrasonik kimyasal püskürtme (UKP) ve daldırmalı kaplama (DK) teknikleri ilehazırlanmıştır. Biriktirme işleminden sonra, belirli süre ve sıcaklıklarda ısıl işleme maruzbırakılan filmlerin, biriktirme işlemini takip eden farklı zaman aralıklarında, 300–900 nmdalgaboyu aralığında UV–Vis spektrofotometre ile elde edilen optik geçirgenlik spektrumlarıdeğerlendirilmiştir. Her iki teknikle elde edilen filmlerde, film eldesi için kullanılan çözeltininve ısıl işlemin herhangi bir yaşlanma (aging) etkisi yaratıp yaratmadığı incelenmiştir.100

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile hazırlanmış ZnO:Co ince filmlerinoptik özellikleriE. Güngör 1 , T. Güngör 1 , E. Tıraş 21 Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi,15100 Burdur2 Fizik Bölümü, Anadolu Üniversitesi, 26470 Eskişehir,P94Spintronik aygıt teknolojisindeki son gelişmeler, seyreltik manyetik yarıiletken (SMY)malzemelerle ilgili araştırmaların çok önemli sonuçlarını içermektedir. Özellikle bu alandaZnO-tabanlı malzemelerin, oda sıcaklığı ya da yüksek Curie sıcaklıklarında çalışan malzemegrubunda değerlendirilebilecek iyi bir alternatif olduğu düşünülmektedir. Bu çalışmada CokatkılıZnO ince filmler, Ultrasonik Kimyasal Püskürtme tekniği kullanılarak uygunbiriktirme koşullarında hazırlanmış ve öncelikle optik özellikler çerçevesindedeğerlendirilmiştir. Biriktirme tekniği için uygun sol–gel; çinko asetat dihidrat(Zn(CH3COO)2.2H2O) ve cobalt asetat tetrahidrat (Co(CH 3 COO) 2 .4H 2 O) (%99.9, Merck)tuzları methanol içinde çözülerek hazırlanmıştır. Biriktirme işleminden sonra, belirli süre vesıcaklıklarda ısıl işleme maruz bırakılan ZnO:Co filmlerin optik geçirgenlik spektrumları,300-900 nm dalgaboyu aralığında UV-Vis spektrofotometre ile elde edilmiştir. Filmlerinyüzey morfolojileri AFM görüntüleri ile incelenerek yüzey pürüzlülüğü belirlenmiştir.ZnO:Co ince filmlerin kalınlıkları ve optik sabitleri (kırma indisi, sönüm katsayısı), noktatabanlı kısıtlamasız minimizasyon algoritması (PUMA) ile analiz edilmiştir.101

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P95Bilgisayar kontrollü daldırmalı kaplama sistemi tasarımıT. Güngör ve E. GüngörFizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi,15100 BurdurBu çalışmada Daldırmalı Kaplama (DK, dip coating) sistemi; düşey doğrultuda hareketedecek olan mekanik birimin, bilgisayar kontrollü adım motoruyla kullanılması temelindetasarlanmıştır. Düşey doğrultuda yataklanmış olan sonsuz vida dişli mekanik birim, L297dekoder entegresi ve BD135 güç transistörlerinden oluşan adım motor sürücü birimlehareketlendirilmektedir. Bu sistemde adım motorun dönüşü (saat ibreleri veya saat ibrelerinintersi yönde), bilgisayarın yazıcı portundan sağlanan D0–D3 bitlerini giriş olarak kabul edendekoder entegresi ile kontrol edilmektedir. Alttaşın çözelti içine daldırılma hızı, çözelti içindebekleme süresi, geri çekme hızı ve kurutma için gereken bekleme süreleri uygun bilgisayaryazılımları (QBASIC ve/veya Labview) ile ayarlanabilmektedir. Bu sistem kullanılarak alttaşyüzeyinde film kaplama profilini kontrol etmek mümkündür. Sonuç olarak laboratuardaüretilen bu sistemle, uygun sol-gel kullanılarak alttaş yüzeyine 1 cm/dak daldırma–çekmehızında metal oksit ince film biriktirilebilmiştir. ZnO film biriktirme işlemi için elde edilenfilm kalınlığı daldırma-çekme sayısına bağlı olarak ortalama 10 nm arasında değişmektedir.102

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 20113-(2-(4-izopropilpiperazin-1-il)-2-okzoetil)-6-(4 metoksibenzoil)benzo[d]tiyazol-2(3H)-on molekülünün optik soğurma spektrumu üzerineçözücü etkisiE. Güngör 1 , T. Güngör 1 ve E. Taşal 21 Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, 15100 Burdur,2 Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, 26480 Eskişehir,P96İlaç sektöründe güçlü ağrı kesici ve iltihap önleyici özelliklere sahip olmaları nedeni ile 2-benzotiyazolinon türevleri üzerinde araştırmalar devam etmektedir. Bu çalışmada * 3-(2-(4-izopropilpiperazin-1-il)-2-okzoetil)-6-(4metoksibenzoil)benzo[d]tiyazol-2(3H)-onmolekülünün farklı çözücüler ile elde edilen çözeltilerinin optik soğurma spektrumlarıdeğerlendirilmiştir. Çözelti formundaki örneklerin optik soğurma spektrumları, odasıcaklığında 200–900 nm dalgaboyu aralığında UV–Vis spektrofotometre ile elde edilmiştir.Çözücü içindeki molekülün optik soğurma spektrumunda gözlenen maksimumun konumu(dalgaboyu veya frekans değeri), çözücünün dielektrik sabiti (), kırma indisi (n), Kamlet–Taft parametreleri olarak bilinen α ve parametrelerine doğrusal olarak bağlıdır. Bunun içinçözücülerin dielektrik sabitleri, kırılma indisleri ve solvatokromik parametreleri (α ve )referanslardan alınarak soğurma spektrumları üzerine çözücü ve substituent etkileritartışılmıştır.Teşekkür: Bu çalışma, 108T192 numaralı TBAG projesi olarak, TÜBİTAK tarafından desteklenmiştir.103

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Kimyasal depolama yöntemi ile elde edilen PbS yarıiletken ince filmin optiközellikleriF. Yavuz 1 , F. Göde 1 , E. Güneri 2 , F. Kırmızıgül 3 , C. Habiboğlu 3 , Ö. Filazi 4 ve C. Gümüş 31 Fizik Bölümü, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, 15030, Burdur.2 İlköğretim Bölümü, Erciyes Üniversitesi, Talas, 38039, Kayseri.3 Fizik Bölümü, Çukurova Üniversitesi, Yüreğir, 01330, Adana.4 Fizik Bölümü, Adıyaman Üniversitesi, 02040 AdıyamanP97Bu çalışmada; PbS yarıiletken ince filmi kurşun asetat [(PbCH 3 COOH).2H 2 O], sodiumhidroksit (NaOH, pH = 12.63), tiyoüre (NH 2 CSNH 2 ), trietanolamin [(HOCH 2 CH 2 ) 3 N], trisodyumsitrat (C 6 H 5 Na 3 O 7 ) sulu çözeltileri kullanılarak Kimyasal Depolama Yöntemi ile odasıcaklığında 2 saat bekletilerek elde edilmiştir. Elde edilen filmin yapısal özelliği x-ışınıkırınımı (XRD) ile incelenmiş ve filmin kübik yapıda, (111) düzlemi yönünde yöneldiğigörülmüştür. Kübik yapıya ait örgü parametresi a = 6.00 Å olarak bulunmuştur. Tane boyutuise (111) düzlemi kullanılarak 172 nm hesaplanmıştır. UV/VIS spektrometreden alınangeçirgenlik (T), absorpsiyon (A) ve yansıma (R) ölçümleri kullanılarak elde edilen filme aityasak enerji aralığı (2.84 eV), kırılma indisi (n = 2.54, λ = 550 nm ), sönüm katsayısı (k) vedielektrik sabitleri [reel (ε 1 ) ve komplex (ε 2 )] hesaplanmıştır.Teşekkür: Bu çalışma, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri tarafından 0119-YL-10nolu proje ile desteklenmiştir.104

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Rh metalinin moleküler dinamik simülasyonu: Mekanik ve termoelastiközelliklerÜ. Bayhan 1 , G. Aydın 2 , ve M. Çivi 21 FizikBölümü, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, 15030, Burdur2 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraP98Bu çalışmada, fcc yapıdaki Rh metali moleküler dinamik simülasyon yöntemi (MD) ileincelendi. Sutton–Chen (SC) çokcisim potansiyeli kullanılarak 0 K–2000 K arasında yapısalve termodinamik özellikler araştırıldı. Rh tek metalinin mekanik özellikleri oluşturulan MDsimülasyonları (NPH, NPT, NVE) uygulandı. MD Simülasyonu periyodik sınır şartlarınısağlayan kübik bir hücrede 500 atom içeren sistemle gerçekleştirildi. Sistemin elastik sabitlerive Bulk Modülünün sıcaklıkla değişimi incelendi.105

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Cu-zengini CAIS ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optik özelliklerininincelenmesiH. H. Güllü, İ. Candan, M. Parlak, ve Ç. ErçelebiFizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi , 06531, AnkaraGüneş Araştırmaları ve Uygulamaları Merkezi, (GÜNAM), ODTÜ, AnkaraP99Bu çalışmada, CuInSe 2 ve AgInSe 2 üçlü yapılarının dört elementli bileşiği olarakCu 1–x Ag x InSe 2 (CAIS) üzerinde yoğunlaşılmıştır. CAIS ince filmleri elektron demetibuharlaştırma tekniği ile büyütülmüş ve bu üretimler için kristal tozu kaynağı Bridgmankristal büyütme yöntemiyle üretilen CAIS kristalinden elde edilmiştir. İstenen stokiyometrikoranın elde edilmesi için Cu ve Se ek kaynakları da ince film üretimi sırasında kullanılmış, vesonuçta CAIS ince filmleri katmanlı yapı olarak büyütülmüştür. Çalışmada temel olarakyapıda Cu oranı Ag oranına göre fazla olan CAIS ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optiközellikleri analiz edilmiştir.106

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011CIGS yarıiletken ince filmlerinde bakır oranının yapı, elektrik,ve optik özelliklere etkisiİ. Candan, H. H. Güllü, M. Parlak, ve Ç. ErçelebiOrtadoğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06531, AnkaraGüneş Araştırmaları ve Uygulamaları Merkezi, (GÜNAM), ODTÜ, AnkaraP100Saçtırma (sputtering) yöntemi ile farklı bakır oranları kullanılarak üretilen CIGS ince filmler,bileşenlerinin oranına göre farklı elektriksel ve optik özellikler göstermektedir. Bu çalışmadagüneş pilinde emilim katmanı olarak kullanılan CIGS ince filmlerin yapısını oluşturanbileşenlerinden bakır (Cu) elementinin oran değişiminin yapıya etkisi incelendi. Yarıiletkenince filmler bakır miktarının yapıdaki oran degişimine göre olması gereken ve bakır zenginifilmler olarak üretildi. Üretilen bütün filmlerin yapısal özelliklerini incelemek için X-ışınıKırınımı (XRD) ve Enerji Dağılımlı X-ışını Analizi (EDXA) yöntemleri kullanıldı. İncefilmlerin kalınlıkları elipsometri ve kalınlık profilometresi kullanılarak analiz edildi.Elektriksel özelliklerin tespit edilmesi için farklı bakır oranlarına sahip CIGS ince filmler,100–400 K sıcaklık aralığında, sıcaklık bağımlı iletkenlik ölçümü, fotoiletkenlik ölçümleriyapıldı. Ayrıca optik özellikleri, oda sıcaklığında 325–900 nm aralığında geçirgenlikölçümleri, foto-tepki (photoresponse) yöntemleri kullanılarak incelendi.107

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Kuartzın alfa–beta geçişi için hacim verisinden hesaplanan raman frekansıP101M. C. Lider ve H. YurtsevenOrtadoğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06531, AnkaraBu çalışmada, kuartzın alfa–beta geçişinde 207 cm –1 Raman mod frekansının hesabı, farklısıcaklıklarda nötron kırınımı yöntemiyle elde edilen hacim değerleri ile ortalama yapınınbirim hücre hacim değerleri kullanılarak yapılmıştır. Bu örgü modunun Grüneisen parametresielde edilerek Raman frekansları hesaplanmıştır.Kuartzın alfa fazından beta fazına geçerken sıcaklığın faz geçiş sıcaklığına doğru artışıylanötron kırınımı yöntemiyle elde edilen hacim değerlerinden hesaplanan Raman frekanslarınınazaldığı deneysel olarak gözlendiği gibi görülmüştür. Bu durum, quartzın α–β geçişi içinhacim değerlerinden Raman frekanslarının hesaplanmasının olanaklı olduğunu göstermiştir.108

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Elektron demeti tekniğiyle büyütülen AgGa x In (1–x) Te 2 ince filmlerin yapısal,optik ve elektriksel karakterizasyonuÖ. Bayraklı, M. Demirtaş, H. H. Güllü, İ. Candan, ve M. ParlakFizik Bölümü, Ortadoğu Teknik Üniversitesi, 06531, AnkaraGüneş Araştırmaları ve Uygulamaları Merkezi, (GÜNAM), ODTÜ, AnkaraP102I–III–VI 2 kalkopirit yarı iletken bileşikleri güneş hücresi, optelektronik ve lineer olmayanaygıt uygulamalarında dikkate değer bir önem kazanmıştır. AgGa x In (1–x) Te 2 (AGIT) incefilmler cam alttaşlar üzerine elektron demeti (e-beam) methoduyla oda sıcaklığındaüretilmiştir. Kaynak büyütme malzemesi olarak Bridgman Kristal Büyütme yöntemiyle eldeedilen AGIT kristali kullanılmıştır. Üretilmiş olan filmlerin oda sıcaklığında ve farklısıcaklıklarda ısıl işleme tabi tutularak, yapı ve içerik özellikleri X-ışını Kırınımı (XRD) veEnerji Dağılımlı X-ışını Analizi (EDXA) yöntemleri kullanılarak incelendi. Filmlerin optiközelikleri 325–900 nm aralığında geçirgenlik ölçümleri ve foto-tepki (photoresponse)yöntemleri kullanılarak yapıldı. Ayrıca filmlerin elektriksel özellikleri 200–400 K sıcaklıklarıarasında sıcaklık bağımlı iletkenlik ve Hall etkisi ölçümleriyle incelendi.109

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P1032-(2,5-diflorobenzil)izoindolin-1,3-dione molekülünün yapısal karakterizasyonuve kuramsal analiz çalışmasıE. Temel 1 , S. Gümüş 2 , E. Ağar 2 ve O. Büyükgüngör 11 Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 55139-Samsun.2 Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Kimya Bölümü, 55139-SamsunSentezi yapılan ve X-ışını tek kristal kırınımı tekniği kullanılarak üç boyutlu yapısıaydınlatılan bileşik izoindolin türevidir. Bileşik, monoclinic, P21/c uzay grubunda kristalizeolmuştur. X-ışını kırınımı deneyinden elde edilen moleküler geometriye ilave olarak,kuramsal yöntemle optimize moleküler geometri, titreşim frekansları ve HOMO–LUMOorbital enerjileri hesaplanmıştır. Hesaplamalarda Yoğunluk Fonksiyoneli Kuramı (B3LYP),6-311G(d,p) baz setiyle kullanılmıştır. Ayrıca, deneysel olarak yapı aydınlatıldığında,moleküller arası C-H…O tipi hidrojen bağlarının kristal paketlenmeyi sağladığı görülmüştür.110

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P104Piridin-2-6-dikarboksilik asit türevi La(III) ve Ce(III) bileşiklerinin yapı analiziO. Şahin 1 , S. Sharif 2 , I. U. Khan 2 , S. Ahmad 3 , ve O. Büyükgüngör 11 Fizik Bölümü, Ondokuz Mayıs Üniversitesi Samsun, 55139, Türkiye2 Kimya Bölümü, GC Üniversitesi Lahore, 54000,Pakistan3 Kimya Bölümü, ET Üniversitesi Lahore, 54890,PakistanBu çalışmada piridin-2-6-dikarboksilik asit (Pydc) türevi La(III) ve Ce(III) bileşiklerine aityapısal özellikler incelenmiştir. X-ışınları sonuçlarına göre La(III) [La(Pydc) 2 (H 2 O) 2 ].4H 2 Obileşiği bir boyutlu polimer oluşturmaktadır. Moleküller arası O-H···O hidrojen bağları üçboyutta R 1 1 (6), R 4 4 (16) ve R 4 4 (20) halkaları oluşturmaktadır. Ce(III),{[Ce(Pydc) 3 ][Ce(Pydc)(HO-CH 2 CH 2 -OH)(H 2 O) 3 ].6H 2 O)}, bileşiğinde bir Ce(III) atomu üçadet Pydc molekülü ile koordinasyon oluştururken diğer Ce(III) atomu iki Pydc molekülü, birglikol molekülü ve üç adet su molekülü ile koordinasyon oluşturmaktadır. Moleküller arası O-H···O ve C-H···O hidrojen bağları üç boyutta R 2 2 (8), R 2 2 (16) ve R 2 2 (20) halkalarıoluşturmaktadır.111

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Deneysel ve kuramsal yöntemler ile 1-(naftalin-2-yl)-2-(1H-payrazol-1-yl)ethanoneO-bütiloksim bileşiğinin kristal yapısının incelenmesiZ. S. Şahin 1 , Z. Özdemir 2 , A. Karakurt 2 ve Ş. Işık 11 Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Ondokuz Mayıs Üniversitesi, 55139, Samsun2 Farmasötik Kimya Anabilim Dalı, Eczacılık Fakültesi, İnönü Üniversitesi, 44280, MalatyaP105Bu çalışmada; 1-(naftalin-2-yl)-2-(1H-payrazol-1-yl)ethanoneO-bütiloksim, [C 19 H 21 N 3 O],bileşiği sentezlendi, kristal ve moleküler yapısı IR, 1 H-NMR, kütle spektrumu, elementelanaliz ve X-ışınları kırınımı yöntemleri kullanılarak belirlendi. Moleküle ait kuramsalhesaplamalarda, molekülün gaz fazındaki kararlı yapısı, enerjisi ve moleküler özellikleribelirlendi. Elde edilen sonuçlar X-ışını kırınımı sonuçları ile karşılaştırıldı. Hesaplamalarda,Yoğunluk Fonksiyoneli Teorisi (DFT) kullanılarak B3LYP-6311G(d,p) baz seti seçildi.Hesaplama sonuçlarının deneysel sonuçlar ile uyum içerisinde olduğu görülmüştür. Ayrıcamoleküle ait moleküler elektrostatik potansiyel haritası (MEP) ve HOMO–LUMO enerjilerihesaplatıldı.112

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Katkısız ve katkılı CdSe ince filmlerinin optik ve elektrik özelliklerininaraştırılmasıD. Takanoğlu ve O. KarabulutPamukkale Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü DENİZLİP106Bu çalışmada II–VI yarıiletken grubuna ait katkısız ve katkılı CdSe ince filmlerinin, yapısal,elektriksel ve optik özellikleri XRD, sıcaklık bağımlı elektriksel iletkenlik, Hall etkisi,manyetik direnç ve soğurma ölçümleri ile belirlenmiştir. İnce filmler temizlenmiş uygun camalttaşlar üzerine termal buharlaştırma yöntemi ile büyütülmüşlerdir. Büyütme esnasındasistemin vakumu 10 –5 torr civarında tutulmuştur. Büyütülen filmler 673 K sıcaklığında 30dakika tavlanmıştır. CdSe ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optik özellikleri üzerindekitavlama ve katkılamanın etkisi araştırılmıştır. X ışını kırınımlarından, kristalin yapısı vesitokiyometrisi belirlenmiştir. Filmlerin sitokiyometrik ve hegzagonal olduğu gözlenmiştir.İletim mekanizmaları, tuzak seviyeleri, iletkenlik tipi, taşıyıcı konsantrasyonları vemobilitelerini belirlemek için, 10–400 K sıcaklık aralığında sıcaklığa bağlı elektrikseliletkenlik ve Hall ölçümleri yapılmıştır. Tavlamaya ve In katkısına bağlı olarak saf CdSe incefilmlerinin özdirençlerinde düşüş gözlenmiştir. Katkılı ve katkısız örneklerin iletkenliklerininsıcaklık ile birlikte değişimi iki farklı aktivasyon enerjisini ortaya koymaktadır. Katkısız vekatkılı ince filmlerin özdirençlerindeki değişim 3,44×10 2 Ω·cm ile 5,15×10 1 Ω·cmaralığındadır. Örneklerin aktivasyon enerjileri düşük sıcaklık bölgesinde 4–10 meV, yükseksıcaklık bölgesinde ise 23–58 meV aralığında bulunmuştur. Ayrıca filmlerin aktivasyonenerjisi ile özdirencinin tavlamaya bağlı olarak azaldığı gözlenmiştir. Hall ölçümlerinden,katkısız ve In katkılı CdSe ince filmlerinin n tipi iletkenliğe sahip olduğu bulunmuştur.Manyeto direnç ölçümlerinde 10 K‟nin altında negatif manyeto direnç, 15 K‟nin üzerindepozitif manyeto direnç gözlenmiştir.Filmlerin yasak enerji aralıkları UV–VIS–IR spektroskopisinde 190–1100 nm dalga boylarıarasında incelenmiştir. Tavlamaya bağlı olarak saf CdSe filmlerinin yasak enerji aralıklarının2,25 eV‟dan 1,75 eV değerine düştüğü gözlenmiştir. Benzer düşüş In katkılı CdSe filmi için2,18 eV‟dan 1,65 eV şeklinde gerçekleşmiştir.113

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Taramalı Hall aygıtı mikroskobu için bizmut ve grafen nano-Hall algılayıcıüretimiS. Sonuşen 1 , M. Dede 2 , H. Çetin 3 , ve A. Oral 1P1071 Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, Sabancı Üniversitesi,Tuzla, 34956, İstanbul2 Nanomanyetik Bilimsel Cihazlar Ltd. Şti, 06800, Ankara3 Fizik Bölümü, Bozok Üniversitesi, 66200, YozgatTaramalı uç mikroskobu (TUM) çeşitlerinden biri olan taramalı hall aygıtı mikroskobu (THAM)yüzeyin manyetik alan haritasını ve topolojik bilgisini aynı anda veren, nitel ve tahribatsız birmanyetik görüntüleme tekniğidir. THAM‟ın en önemli bileşeni; manyetik ve süper iletkenmalzemelerin yüzeyinde ki, dik manyetik alana duyarlı Hall algılayıcısıdır. Hall algılayıcısınınyapıldığı malzemenin yüksek elektron akışkanlığına ve düşük taşıyıcı yoğunluğu sahip olması yüksekçözünürlükte manyetik ve uzaysal görüntülemeye olanak verir. Son yıllarda, üstün elektroniközelliklerinden dolayı yarı iletken dünyasında önemli hale gelen grafenin, oda sıcaklığında dahi çokyüksek elektron akışkanlığına sahip olması (15,000–40,000 cm 2 V –1 s –1 ) THAM uygulamaları açısındanda ümit vaat etmektedir. Bu çalışmada litografi yöntemleri kullanılarak, THAM uygulamalarındakullanılmak üzere grafen nano-hall aygıtı üretimi gerçekleştirilmiştir. Buna ek olarak, düşük taşıyıcıyoğunluğuna sahip olan Bizmut ince film kullanılarak 50 nm ve daha düşük boyutlarda aktif fizikselalana sahip Hall algılayıcıların üretimi tamamlanmıştır.(a)(b)(c)(d)Şekil 1. (a) THAM‟ın şematik gösterimi. (b) Bizmut Hall aygıtının 100 KX büyütmede SEM görüntüsü. (c)Mekanik soyma yöntemi ile üretilmiş grafenin 100X büyütmede optik mikroskop görüntüsü (d) Gafen nano-hallaygıtının X50 büyütmede optik mikroskop görüntüsü.114

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Çok tabakalı CdSe/ZnS kuantum nokta içerisinde bulunan ikili ekzitonlarınoptik özellikleriA. Aktürk 1 , F. Koç 1 , A. Erdinç 2 , M. Şahin 11 Fizik Bölümü, Selçuk Üniversitesi, 42075 Konya, Türkiye2 Fizik Bölümü , Erciyes Üniversitesi , 38039 Kayseri, TürkiyeP108Bu çalışmada, CdSe/ZnS/CdSe kuantum nokta-kuantum kuyu nanokristal yapı içerisindekiikili ekzitonların, elektronik ve optik özellikleri incelenmiştir. Bunun için öncelikle, gözönüne alınan kuantum nokta yapının elektronik özellikleri, etkin kütle yaklaşımında, Poisson-Schrödinger denklemlerinin öz-uyumlu bir şekilde çözülmesiyle belirlendi. Ayrıca, yapılanhesaplamalarda kuantum mekaniksel çok parçacık etkileri, yerel yoğunluk yaklaşımı (LocalDensity Approximation) altında göz önüne alındı. Bu çalışmada ikili ekziton yapısındakielektron ve deşiklerin S seviyesinde (temel seviye) olduğu durum ile bir ekzitonun Sseviyesinde, diğer ekzitonun ise P seviyesinde olduğu durum incelenmiştir. Bu iki sistemdekielektron ve deşiklerin tabaka kalınlıklarına göre olasılık yoğunluklarının dağılımı, bağlanmaenerjileri, hayat süreleri ve soğurma pikleri incelenmiştir. Sonuç olarak, ikili ekzitonlarınelektronik ve optik özelliklerinin tabaka kalınlıklarına ve bulundukları seviyelere güçlü birşekilde bağlı olduğu görülmüştür.115

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P109Simetrik çift kuantum kuyusunun optiksel özellikleriM. S. Çakıcı ve İ. KarabulutSelçuk Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Konya 42075, TürkiyeBu çalışmada, simetrik çift kuantum kuyusunda altbandlararası optiksel süreçler teorik olarakincelendi. Gözönüne alınan yapının elektronik seviyeleri matris köşegenleştirme tekniğikullanılarak nümerik olarak elde edildi. İlk iki seviye arasındaki geçişlere dayalı lineer,üçüncü ve beşinci mertebe alınganlıklar yoğunluk matris formalizmi kullanılarak elde edildi.Bu alınganlıklara bariyer genişliğinin etkisi detaylı olarak çalışıldı.116

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P110Richardson grafiğinde Schottky engel homojensizlikleriM. GülnaharErzincan Üniversitesi Meslek Yüksekokulu, Elektrik ve Enerji Bölümü, 24200, ErzincanSchottky eklemler katıhal elektroniğinde araştırma yapılan ana çalışma alanlarından birisinioluşturmakta ve bu yapılarda arayüzeyin yapısından kaynaklanan anormallikleri yorumlamakiçin çok çeşitli yaklaşım ve metotlar önerilmiştir. Ancak arayüzeyin yapısından dolayıarayüzey homojensizliklerin yapısı hala iyi anlaşılamamaktadır. Schottky bariyerdeanormallikler standart sapmayla karakterize edilmektedirler. Deneysel çalışmalarda her birengel dağılım bölgesi için bir ortalama değer olarak hesaplanılır. Bu çalışmada yapılan teorikanalizler sonucunda (T) ifadesi yeniden düzenlendi. Birden fazla dağılım bölgelerine sahipolabilen bir Schottky yapıda modifiye edilmiş olan Richardson grafiği deneysel çalışmalariçin çözülmemiş bir problemdir. Bu halde Richardson grafiği her bir dağılım bölgesi için birlinearizasyona ve A * Richardson sabitine sahiptir. Ancak bizim elde ettiğimiz yeni modelsayesinde elde edilen deneysel (T) değerlerinin modifiye edilmiş Richardson grafiğindekullanımıyla tüm dağılım bölgeleri için tek bir lineearizasyon sağlanmış olmakta ve A *Richardson sabiti hesaplanabilmektedir.117

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P111Kolesterik sıvı kristallerde seçici ışık yansımasıR. KarapınarYüzüncü Yıl Üniversitesi,Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 65080 VanKolesterik sıvı kristal (KSK) bir fazda, optikçe aktif davranış gösteren kiral moleküller ortamiçinde helisel bir düzenlenme sergiler. Ortamda helis ekseni boyunca periyodik bir yapı sözkonusudur. Bir tam helis dönüşü KSK fazın helis adımı olarak adlandırılır. Helis adımıgörünür ışığın dalga boyu ile aynı mertebede olduğunda, ilginç optik özellikler ortaya çıkar.Eğer KSK bir maddeye, helis adımı uzunluğuna eşit dalga boyundaki bir ışık gönderilirse,helisle aynı dönme yönüne sahip olan dairesel polarize bileşen tümüyle yansımaya uğrar.KSK bir ortamdaki seçici yansıma özelliği, belirli şartlar altında ilginç renklerin gözlenmesineyol açar. KSK maddelerin helis adımı sıcaklığın bir fonksiyonu olduğundan, KSK bir filminışık yansıtma olayı sıcaklık değişimlerini belirlemede kullanılabilir. Bu özelliğinden dolayı butür filmler herhangi bir yüzey üzerine kaplanarak yüzey sıcaklığını ölçmek amacıylakullanılır. Yüzey sıcaklığı ölçümünde kullanılan en yaygın kolesterik maddeler, kolesteroltürevlerinden meydana gelir. Bu çalışmada yapımı gerçekleştirilen KSK ince filmlerdekiseçici ışık yansıması ve renk değişimi olayları deneysel olarak incelenmiştir.118

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P112Küresel kuantum noktalarının optiksel özellikleriHasan Cihat İslamoğlu 1 , İbrahim Karabulut 1 , ve Haluk Şafak 11 Selçuk Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Konya 42075, TürkiyeBu çalışmada, küresel bir kuantum noktasının bandiçi lineer ve lineer olmayan optikselözellikleri teorik olarak incelendi. Kuantum noktasındaki elektronik seviyeler matrisköşegenleştirme tekniği kullanılarak nümerik olarak elde edildi. Safsızlığın olduğu veolmadığı durumlar için optiksel süreçler detaylıca incelendi.119

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P113Hızlı katılaştırılmış şekil hafızalı CuAlBe alaşımlarının mekanik özelliklerininincelenmesiO. Uzun, S. Ergen, F. Yılmaz, N. Başman, ve U. KölemenFizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, 60240, TokatŞekil hafızalı alaşımların (ŞHA) teknolojik önemleri sahip oldukları şekil hafıza etkisi vesüper-elastik yeteneklerinden ileri gelmektedir. ŞHA‟ların sıcaklık veya zor etkisiyle fazdeğişimine uğramaları ve buna bağlı olarak şekil değiştirmeleri, bu alaşımlara çok farklıavantajlar kazandırmaktadır. ŞHA‟lar, makine-teçhizat ve yapı malzemeleri, medikal aygıtlarve araçlar gibi endüstriyel ve tıbbi uygulamaların yanı sıra; elektronik aygıtlar, uzay araçlarıgibi ileri düzey uygulamalarda ve süperelastik gözlük çerçeveleri, telefon antenleri gibigünlük hayatı kolaylaştıran birçok üründe kullanılmaktadır. Son yıllarda robotik alandayapılan uygulamalarda da ŞHA‟ların kullanımı yaygınlaşmaktadır. Bununla birlikte savunmasanayinin birçok kolunda ŞHA‟ların kullanımı diğer sistemlere tercih edilir hale gelmiştir. Buçalışmada biz şekil hafızalı Cu-12Al-XBe (X: 0.4; 0.5 ve 0.6) alaşımlarının şekil hafıza etkisive mekanik özellikleri üzerine Be miktarının ve hızlı katılaştırmanın etkisini araştırdık. Buamaçla şekil hafızalı Cu-12Al-XBe (X: 0.4; 0.5 ve 0.6) alaşımları hızlı katılaştırmayöntemlerinden biri olan eriyik eğirme tekniği ile şerit formunda üretildi. Elde edilenşeritlerin faz dönüşümleri, mikroyapıları ve martensit ve ostenit dönüşüm sıcaklıkları X-ışınıkırınım cihazı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve diferansiyel taramalıkalorimetre (DSC) kullanılarak karakterize edildi. Hem XRD hem de SEM analizlerindenşeritlerin oda sıcaklığında tümüyle martensit yapıda oldukları belirlendi. Üç farklı orandaüretilen CuAlBe şeritlerin DSC analizleri sonucu, Be miktarındaki artışın martensit ve ostenitdönüşüm sıcaklıklarında azalmaya neden olduğu tespit edildi. Şekil hafızalı alaşımlarda,onlara diğer alaşımlara kıyasla büyük avantajlar sağlayan mekanik özelliklerinin incelenmesioldukça önemli olduğundan çalışmamızda söz konusu alaşımların bazı mekanik özellikleri(sertlik ve elastik modülleri gibi) nanoçentme cihazı ile incelendi. Şerit formunda üretilenCuAlBe alaşımlarında, Be miktarındaki artışın sertlik değerlerinde de artışa sebebiyet verdiğibelirlendi.Teşekkür: Bu çalışma, Gaziosmanpaşa Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Birimince (Proje No: 2009/54)desteklenmiştir.120